Springer, 2025. — 202 p. — ISBN-13 : 978-3031861017 This book offers a comprehensive introduction and in-depth information on all the packaging technologies and fabrication methodologies employed in advanced semiconductor packaging. Coverage includes materials, substrates, and assembly processes, as well as critical areas of testing and reliability, which are crucial for...
Springer, 2025. — 694 p. — ISBN 978-3-031-83056-3 This book presents progress in device processing and materials characterization of the wide-bandgap semiconductor gallium nitride (GaN) and related materials for power electronics applications. The content of the book is based on the output of multiple well defined and actively managed programs from the U.S. Department of...
Balwinder Raj, Shiromani Balmukund Rahi, Nandakishor Yadav (Editor). — Wiley-Scrivener, 2025. — 352 p. — ISBN-13: 978-1394287277. FeFET Devices, Trends, Technology and Applications is essential for anyone seeking an in-depth understanding of the latest advancements in ferroelectric devices, as it offers comprehensive insights into research techniques, novel materials, and the...
Balwinder Raj, Shiromani Balmukund Rahi, Nandakishor Yadav (Editor). — Wiley-Scrivener, 2025. — 352 p. — ISBN-13: 978-1394287277. FeFET Devices, Trends, Technology and Applications is essential for anyone seeking an in-depth understanding of the latest advancements in ferroelectric devices, as it offers comprehensive insights into research techniques, novel materials, and the...
Balwinder Raj, Shiromani Balmukund Rahi, Nandakishor Yadav (Editor). — Wiley-Scrivener, 2025. — 352 p. — ISBN-13: 978-1394287277. FeFET Devices, Trends, Technology and Applications is essential for anyone seeking an in-depth understanding of the latest advancements in ferroelectric devices, as it offers comprehensive insights into research techniques, novel materials, and the...
Balwinder Raj, Shiromani Balmukund Rahi, Nandakishor Yadav (Editor). — Wiley-Scrivener, 2025. — 352 p. — ISBN-13: 978-1394287277. FeFET Devices, Trends, Technology and Applications is essential for anyone seeking an in-depth understanding of the latest advancements in ferroelectric devices, as it offers comprehensive insights into research techniques, novel materials, and the...
CRC Press, 2024. — 362 p. — ISBN 9781032574479 After briefly summarizing the basics of semiconductors, the authors describe semiconductor devices from a circuit theoretic point of view, making the book especially suitable for circuit design students and engineers. Further to the emphasis on the circuit perspective, the book then uses circuit theory to introduce readers to the...
Springer, 2025. — 148 p. — ISBN-13 : 978-3031842856 Parameters that determine the performance of silicon-based Field Effect Transistors (FET) devices in the presence of degenerate doping, often are not modeled properly and so require precise analysis to improve modeling accuracy. The book is focused on the extraction of parameters for silicon-based FET models that critically...
Справочник. — М.: Радио и связь, 1988. — 576 с.: ил. — ISBN 5-256-00417-4. Содержит данные по электрическим параметрам, габаритным размерам, предельным эксплуатационным характеристикам, сведения по основному функциональному назначению отечественных тиристоров. Приводятся динамические, импульсные, частотные, температурные зависимости параметров, а также описываются особенности...
Справочник. — М.: Радио и связь, 1988. — 576 с.: ил. — ISBN 5-256-00417-4. Содержит данные по электрическим параметрам, габаритным размерам, предельным эксплуатационным характеристикам, сведения по основному функциональному назначению отечественных тиристоров. Приводятся динамические, импульсные, частотные, температурные зависимости параметров, а также описываются особенности...
Москва: Радио и Связь, 1983. — 220 с. Рассмотрены характеристики, физические принципы работы, конструкция и основы технологии изготовления следующих типов полупроводниковых диодов: детекторные диоды, смесительные диоды, параметрические диоды, умножительные и настроечные диоды, переключательные и ограничительные диоды, туннельные и обращённые диоды, диоды Ганна и...
Wiley-Scrivener, 2025. — 513 p. — ISBN 9781394248476. Field Effect Transistors is an essential read for anyone interested in the future of electronics, as it provides a comprehensive yet accessible exploration of innovative semiconductor devices and their applications, making it a perfect resource for both beginners and seasoned professionals in the field. Miniaturization has...
Под ред. С. Я. Шаца. — М.: Советское радио, 1973. — 208 с. Книга посвящена изложению основ теории и схемотехники новых типов быстродействующих полупроводниковых негатронов — лавинных транзисторов. В ней анализируются статические S- и N-образные вольт-амперные характеристики транзисторов в лавинном режиме работы и динамические характеристики в переключающих схемах. Описаны...
NY: AIP Publishing LLC, 2023 — 364 p. Power electronics, using wide-bandgap semiconductors, has been a fast growing field in recent years driven by the need of energy-efficient power systems, low carbon economy, and reaching the ever wider voltage range of emerging commercial and consumer application areas. This book has been developed focusing on these new generation of power...
Методические указания по выполнению расчетно-графических работ. — Алматы: АУЭС, 2014. — 28 с. Методические указания включают расчетно-графические задания (РГР), методические рекомендации и требования к оформлению и содержанию РГР, список необходимой литературы.
Учебно-методическое пособие. — Воронеж: ВГУ, 2017. — 37 с. Физические основы работы МОП-транзисторов. Приборно-технологическое проектирование n-МОП-структур. Проект в программе-оболочке SENTAURUS Workbench. Технология создания n-МОП-структур. Физико-технологическая модель n-МОП-структуры в модуле SProcess. Оптимизация расчётной сетки в модуле SNMesh. Расчёт основных...
М: Наука, Главная редакция физико-математической литературы, 1968. — 264 с. Излагается теория переходных процессов в полупроводниковых диодах с p-n-переходом, работающих в режиме переключения , а также описаны основные экспериментальные результаты по рассматриваемой проблеме. Наиболее подробно проанализирована модель nлоскостного диода с nолубесконечной базовой областью, так...
Учебник для радиотехн. спец. техникумов. — 3-е изд., перераб. и доп. — М.: Высшая школа, 1986. — 303 с.: ил. В книге рассмотрены принципы работы, устройство, основные параметры и технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. 3-е издание (2-е— 197 9 г.) переработано с учетом последних достижений в области физики, химии и технологии изготовления...
Учебник для радиотехн. спец. техникумов. — 3-е изд., перераб. и доп. — М.: Высшая школа, 1986. — 303 с.: ил. В книге рассмотрены принципы работы, устройство, основные параметры и технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. 3-е издание (2-е— 197 9 г.) переработано с учетом последних достижений в области физики, химии и технологии изготовления...
Москва ; Ленинград : Госэнергоиздат, 1960. — 403 с. Описаны принципы построения схем, приведены физические процессы, основные количественные соотношения и характеристики (в относительных единицах) различных типов быстродействующих магнитных и магнитно-полупроводниковых усилителей. Также дана простая инженерная методика расчета дросселя (сердечника, обмоток) магнитного...