Зарегистрироваться
Восстановить пароль
FAQ по входу

Твердотельная электроника

Теги, соответствующие этому тематическому разделу

Файлы, которые ищут в этом разделе

Доверенные пользователи и модераторы раздела

Newark: Wiley-IEEE, 2016. — 426 p. Examines the history, basic structure, and processes of NAND flash memory This book discusses basic and advanced NAND flash memory technologies, including the principle of NAND flash, memory cell technologies, multi-bits cell technologies, scaling challenges of memory cell, reliability, and 3-dimensional cell as the future technology. Chapter...
  • №1
  • 31,85 МБ
  • добавлен
  • изменен
Книга посвящена вопросам проектирования аналоговых СВЧ монолитных схем и устройств. (на англ. языке). Изд-во - Wiley-Int. 2003. - p. 906, ISBN 0-471-20755-1 Contents: Introduction. Transmission Lines and Lumped Elements. Resonators. Impedance Transformation Techniques. Hybrids and Couplers. Filters. Active Devices. Passive Devices. Oscillators. Amplifiers....
  • №2
  • 36,22 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Boston: Artech House. – 2003. – 508 p. During the last decade, stimulated by unprecedented growth in the wireless communication application, outstanding progress has been made in the development of low-cost solutions for front-end RF and microwave systems. Lumped elements such as inductors, capacitors, and resistors have played a vital role in the development of such low-cost...
  • №3
  • 9,79 МБ
  • добавлен
  • изменен
3rd Edition. — CRC Press, 2016. — 466 p. — (Series in Plasma Physics). — ISBN-13 9781482260601. This third edition has the following revisions compared to the second edition published in 2007: Every chapter has been significantly updated. The chapter previously called Ultrawideband Systems is titled Beamless Systems and includes nonlinear transmission lines. Chapter 10 now focuses...
  • №4
  • 17,94 МБ
  • добавлен
  • изменен
Springer, 2010. - 130 p. - The book describes the basic principles that relate to field and current inhomogeneities in semiconductors and their kinetics that occur in the regime of negative differential conductances of semiconductors. The book presents the related theory and experiment. It proceeds to give for the first time the experimental methods to observe directly these...
  • №5
  • 3,00 МБ
  • добавлен
  • изменен
Tulsa: PennWell Corp., 2008. — 180 p. Chip Design for Non-Designers: An Introduction provides a practical introduction to modern chip design methodologies. It is intended for manufacturing-oriented and other non-design professionals with an t in the pre-tape-out design side. The book concentrates on functional, logic, circuit, and layout design using state-of-the-art methods and...
  • №6
  • 25,05 МБ
  • добавлен
  • изменен
World Scientific, 1991. — 1014 p. — ISBN 9810206372. This is perhaps the most comprehensive undergraduate textbook on the fundamental aspects of solid state electronics. It presents basic and state-of-the-art topics on materials physics, device physics, and basic circuit building blocks not covered by existing textbooks on the subject. Each topic is introduced with a historical...
  • №7
  • 53,12 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
World Scientific, 1991. — 1014 p. — ISBN 9810206372. This is perhaps the most comprehensive undergraduate textbook on the fundamental aspects of solid state electronics. It presents basic and state-of-the-art topics on materials physics, device physics, and basic circuit building blocks not covered by existing textbooks on the subject. Each topic is introduced with a historical...
  • №8
  • 12,10 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
CRC Press. 2008. -260 p. ISBN 978-1-4200-6687-6 Книга посвящена вопросам технологии SiGe HBT BiCMOS для аналоговых интегральных схем СВЧ диапазона. Приведено описание технологий известных зарубежных фирм. Contents The Big Picture Brief History of the Field Overview: Fabrication of SiGe HBT BiCMOS Technology Device Structures and BiCMOS Integration SiGe HBTs on...
  • №9
  • 6,18 МБ
  • добавлен
  • изменен
Wiley - 2015, - 260 p. ISBN 978-1-118-92152-4 Книга посвящена вопросам моделирования и применения гетероструктурных биполярных транзисторов (SiGe HBT) при построении твердотельных интегральных схем (на англ. языке) Contents Introduction Basic Concept of Microwave Device Modeling Modeling and Parameter Extraction Methods of Bipolar Junction Transistor Small-Signal...
  • №10
  • 3,88 МБ
  • добавлен
  • изменен
Wiley, 2010. - 249 p. - Sunlight readable transflective liquid crystal displays, used on devices from cell phones and portable media players, to GPS and even some desktop monitors, have become indispensable in our day-to-day lives. Transflective Liquid Crystal Displays is a methodical examination of this display technology, providing a useful reference to the fundamentals of the...
  • №11
  • 3,65 МБ
  • добавлен
  • изменен
New York: McGraw-Hill, 2017. — 560 p. Thoroughly Revised, State-of-the-Art Semiconductor Design, Manufacturing, and Operations Information Written by 70 international experts and reviewed by a seasoned technical advisory board, this fully updated resource clearly explains the cutting-edge processes used in the design and fabrication of IC chips, MEMS, sensors, and other electronic...
  • №12
  • 43,41 МБ
  • добавлен
  • изменен
New York: McGraw-Hill, 2017. — 560 p. Thoroughly Revised, State-of-the-Art Semiconductor Design, Manufacturing, and Operations Information Written by 70 international experts and reviewed by a seasoned technical advisory board, this fully updated resource clearly explains the cutting-edge processes used in the design and fabrication of IC chips, MEMS, sensors, and other electronic...
  • №13
  • 74,31 МБ
  • добавлен
  • изменен
New York: Springer, 2016. — 235 p. — (Lecture Notes in Electrical Engineering. Volume 265). This book brings together a selection of the best papers from the fifteenth edition of the Forum on specification and Design Languages Conference (FDL), which was held in September 2012 at Vienna University of Technology, Vienna, Austria. FDL is a well-established international forum...
  • №14
  • 5,88 МБ
  • добавлен
  • изменен
InTech. 2011. 222 p. Following the targeted word direction of Opto- and Nanoelectronics, the field of science and technology related to the development of new display technology and organic materials based on liquid crystals ones is meeting the task of replacing volume inorganic electro-optical matrices and devices. An important way in this direction is the study of promising...
  • №15
  • 13,81 МБ
  • добавлен
  • изменен
2nd edition. — Springer Science+Business Media, 2006. — 697 p. — ISBN 0-387-28893-7. Semiconductor Physical Electronics, Second Edition, provides comprehensive coverage of fundamental semiconductor physics that is essential to an understanding of the physical and operational principles of a wide variety of semiconductor electronic and optoelectronic devices. This text presents a...
  • №16
  • 8,68 МБ
  • добавлен
  • изменен
Now Publishers Inc., 2007 — 151 p. Statistical Performance Modeling and Optimization reviews various statistical methodologies that have been recently developed to model, analyze and optimize performance variations at both transistor level and system level in integrated circuit (IC) design. The following topics are discussed in detail: sources of process variations, variation...
  • №17
  • 1,55 МБ
  • добавлен
  • изменен
New York: The Technical Education Press, 2000. — 482 p. The book begins with a review of dc and ac circuits and then introduces solid state diodes. Included are general purpose diodes, zeners, LEDs, varactors and Schottkys. The biasing of NPN and PNP transistors includes base biasing, collector-feedback biasing, universal biasing, and two-power-supply biasing. The field effect...
  • №18
  • 60,90 МБ
  • добавлен
  • изменен
Steve Marsh Practical MMIC Design . -Artech House. -2006. -p. 356. ISBN 1-59693-036-5 Contents Introduction Component Technology and Foundry Choice Foundry Use and Economics Simulation and Component Models Design Layout Processing Technology Test Книга посвящена вопросам проектирования СВЧ монолитных интегральных схем. Содержит примеры топологий МИС СВЧ различного...
  • №19
  • 4,41 МБ
  • добавлен
  • изменен
Boca Raton, USA: Taylor & Francis Group, LLC, 2015. — 388 p. — (Devices, Circuits, and Systems). — ISBN 1482220032. Gallium Nitride (GaN): Physics, Devices, and Technology offers a balanced perspective on the state of the art in gallium nitride technology. A semiconductor commonly used in bright light-emitting diodes, GaN can serve as a great alternative to existing devices used...
  • №20
  • 19,07 МБ
  • добавлен
  • изменен
Woodhead Publishing, 2014. — 532 p. — eBook ISBN 9780857098092 Non-volatile memory retains its data when the power supply is removed and is thus invaluable for data storage. However, new solutions are needed for future development because solid-state non-volatile memory (flash), while useful, is limited. This book presents a systematic overview of the emerging technologies...
  • №21
  • 39,55 МБ
  • добавлен
  • изменен
Cambridge University Press, 2017. — 246 p. — ISBN-10 1107157595. This book covers in-depth discussion of design principles, synthesis and thermal behavior of all types of liquid crystal (LC) dimers. The text presents recent advances in the field of LC dimers consisting of different mesogenic units such as calamitic, discotic and bent-core molecules. It starts with a chapter on the...
  • №22
  • 21,63 МБ
  • добавлен
  • изменен
Cambridge University Press, 2011, 470 pages Written from an engineering standpoint, this book provides the theoretical background and physical insight needed to understand new and future developments in the modeling and design of n- and p-MOS nanoscale transistors. A wealth of applications, illustrations and examples connect the methods described to all the latest issues in...
  • №23
  • 3,71 МБ
  • добавлен
  • изменен
Springer, 2008. — XXIX, 470 p. — ISBN 978-3-540-71892-5. Gallium Nitride Electronics covers developments in III-N semiconductor-based electronics with a focus on high-power and high-speed RF applications. Material properties of III-N semiconductors and substrates; the state-of-the-art of devices and circuits, epitaxial growth, device technology, modelling and characterization; and...
  • №24
  • 6,10 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
2nd edition. — The Institution of Engineering and Technology, 2011. — 582 p. — ISBN 978-0852967867. RFIC and MMIC technology provides the core components for many microwave and millimetre-wave communications, radar and sensing systems. Recent years have seen exciting developments, such as circuits operating to over 200 GHz, millimetre-wave micromachined antenna arrays and...
  • №25
  • 59,22 МБ
  • добавлен
  • изменен
2nd Edition. — Springer, 2007. — 343 p. Failures of nano-metric technologies owing to defects and shrinking process tolerances give rise to significant challenges for IC testing. As the variation of fundamental parameters such as channel length, threshold voltage, thin oxide thickness and interconnect dimensions goes well beyond acceptable limits, new test methodologies and a...
  • №26
  • 5,81 МБ
  • добавлен
  • изменен
Physics of Semiconductor Devices, Michael Shur, Prentice Hall, Upper Saddle River, New Jersey, 1990, 680 p. Physics of Semiconductor Devices effectively covers the rapidly changing field of semiconductor device physics. New ideas, theories, models and practical applications of semiconductor electronics are presented, and new developments, such as amorphous silicon, compound...
  • №27
  • 6,36 МБ
  • добавлен
  • изменен
Cambridge University Press, 2012. — 378 p. — ISBN 9781107012585. A comprehensive review of cutting-edge solid state research, focusing on its prominent example – quantum dot nanostructures – this book features a broad range of techniques for fabrication of these nano-structured semiconductors and control of their quantum properties. Written by leading researchers, the book...
  • №28
  • 14,05 МБ
  • добавлен
  • изменен
John Wiley & Sons Singapore Pte. Ltd, 2016. — 259 p. — ISBN 1118871669. A comprehensive advanced level examination of the transport theory of nanoscale devices Provides advanced level material of electron transport in nanoscale devices from basic principles of quantum mechanics through to advanced theory and various numerical techniques for electron transport Combines several...
  • №29
  • 8,46 МБ
  • добавлен
  • изменен
Hoboken: Wiley, 2010. — 228 p. An eagerly anticipated, up-to-date guide to essential digital design fundamentals Offering a modern, updated approach to digital design, this much-needed book reviews basic design fundamentals before diving into specific details of design optimization. You begin with an examination of the low-levels of design, noting a clear distinction between...
  • №30
  • 2,94 МБ
  • добавлен
  • изменен
4th edition. — Pearson Education, 2011. — 839 p. — ISBN 0321547748. For both introductory and advanced courses in VLSI design, this authoritative, comprehensive textbook is highly accessible to beginners, yet offers unparalleled breadth and depth for more experienced readers. The Fourth Edition of "CMOS VLSI Design: A Circuits and Systems perspective" presents broad and in-depth...
  • №31
  • 13,83 МБ
  • добавлен
  • изменен
Раздел Микроэлектроника. Ташкент, Электротехнический институт связи, 2002 г. Конспект лекции В конспекте лекций обобщен и систематизирован материал по разделу «микроэлектроника» курса «Электронные и квантовые приборы и микроэлектроника». Отличительной особенностью конспекта является наличие концептуальных диаграмм, соответствующих содержанию изучаемых тем. Они должны помочь при...
  • №32
  • 314,12 КБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Раздел Полупроводниковые диоды/Конспект лекций – Ташкент : ТЭИС, 2002, 87 с. В конспекте лекций обобщен и систематизирован материал по разделу «полупроводниковые диоды» курса «Электронные и квантовые приборы и микроэлектроника». Отличительной особенностью конспекта является наличие концептуальных диаграмм, соответствующих содержанию изучаемых тем. Они должны помочь при...
  • №33
  • 250,37 КБ
  • добавлен
  • изменен
Арипов Х.К., Кузьмина Г.Н., Абдуллаев А.М., Афанасьева А.М. Конспект лекций. - Ташкент: ТУИТ 2003. В данном конспекте лекций обобщен материал по дисциплине "Микроволновые полупроводниковые приборы". Отличительной особенностью конспекта является наличие концептуальных диаграмм, соответствующих содержанию изучаемых тем. Они должны помочь студентам при самостоятельном изучении...
  • №34
  • 483,70 КБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Харьков: ХНУ, 2004. - 144 с. Приведены задачи по основным разделам курсов - "Физика полупроводников", "Твердотельная электроника", "Оптоэлектроника", которые включают химические связи в полупроводниках, статистику электронов и дырок в полупроводниках, кинетические явления в полупроводниках, неравновесные носители заряда в полупроводниках, контактные явления, биполярные...
  • №35
  • 10,13 МБ
  • добавлен
  • изменен
Харьков: ХНУ, 2004. - 144 с. [Постраничная версия] Приведены задачи по основным разделам курсов - "Физика полупроводников", "Твердотельная электроника", "Оптоэлектроника", которые включают химические связи в полупроводниках, статистику электронов и дырок в полупроводниках, кинетические явления в полупроводниках, неравновесные носители заряда в полупроводниках, контактные явления,...
  • №36
  • 12,97 МБ
  • добавлен
  • изменен
Курс лекций. — Ярославль: Ярославский государственнй университет имени П.Г. Демидова, 2000. — 77 с. Избранные лекции по курсу "Твердотельная электроника". Курс содержит краткие сведения по физике полупроводников, а также теорию диодов и биполярных транзисторов. Предназначено для студентов, специализирующихся по радиофизике и электронике. Введение. Краткие сведения из...
  • №37
  • 1,55 МБ
  • добавлен
  • изменен
Минск, Наука и техника, 1981.- 214 с. В книге обобщены и систематизированы результаты исследований тонких пленок полупроводников с целью создания на их основе и с применением методов интегральной технологии нового поколения миниатюрных твердотельных измерительных преобразователей (ИП). Книга такой направленности издастся впервые. Она дополнит серию недавно изданных монографий,...
  • №38
  • 3,41 МБ
  • добавлен
  • изменен
підручник. – К. : НТУУ «КПІ», 2015. – 484 с. Висвітлено фізичні процеси більшості відомих дискретних приладів твердотільної електроніки. Подано основні відомості з фізики напівпровідників, фізики утворення електронно-діркового та інших електронних переходів; розглянуто теоретичну модель електронно-діркового переходу та його властивості. Докладно викладено принцип дії, параметри і...
  • №39
  • 18,74 МБ
  • добавлен
  • изменен
Пер. с англ. Под ред. В.Н. Губанкова. — М.: Мир, 1986. — 399 с.: ил. В книге английского ученого всесторонне и с единых позиций рассмотрены механизмы генерирования шумов и шумовые характеристики электронных устройств, начиная с биполярных и полевых транзисторов, диодов, резисторов, СВЧ-приборов и кончая такими современными приборами и уникальными установками, как квантовые...
  • №40
  • 5,96 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
М.: Мир, 1986. — 399 с., ил. В книге английского ученого всесторонне и с единых позиций рассмотрены механизмы генерирования шумов и шумовые характеристики электронных устройств, начиная с биполярных и полевых транзисторов, диодов, резисторов, СВЧ-приборов и кончая такими современными приборами и уникальными установками, как квантовые усилители и генераторы, приборы с переходами...
  • №41
  • 37,03 МБ
  • добавлен
  • изменен
Москва: Физматлит, 2006. — 168 с. — ISBN 5-9221-0402-0. Настоящее учебное пособие представляет собой сборник задач по курсу "Основы полупроводниковой электроники", читаемому в технических университетах и ВУЗах. Сборник разделен на шесть глав: физические основы работы p-n-перехода, биполярные транзисторы и усилители, транзисторные ключи, операционные усилители, логические элементы,...
  • №42
  • 1,12 МБ
  • добавлен
  • изменен
Москва: Физматлит, 2004. — 168 с. — ISBN 5-9221-0402-0. Настоящее учебное пособие представляет собой сборник задач по курсу "Основы полупроводниковой электроники", читаемому в технических университетах и ВУЗах. Сборник разделен на шесть глав: физические основы работы p - n -перехода, биполярные транзисторы и усилители, транзисторные ключи, операционные усилители, логические...
  • №43
  • 1,90 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
СПб: СПбГЭТУ (ЛЭТИ), 2002. Курс лекций для бакалавров. Оглавление. Этапы производства и оптимизация ИС. Предельные возможности интегральной микроэлектроники. Приборы с зарядовой связью. Гетеропереход и двумерный электронный газ. Сверхбыстродействующие транзисторы на основе гетероперехода. Микроэлектроника СВЧ.
  • №44
  • 127,96 КБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
М.: МЭИ, 2002. - 181 с. Оглавление. Основные понятия физики полупроводниковых материалов. Диоды. Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы.
  • №45
  • 1,39 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Учебное пособие. — СПб.: Изд-во Политехнического университета, 2013. — 79 с. Соответствует содержанию авторского курса Твердотельная электроника для обучающихся по направлению 223200 Техническая физика по бакалаврской подготовке. Рассмотрены основы теории полупроводниковых гетероструктур. Дана классификация полупроводников с изменяющимся по координате химическим составом...
  • №46
  • 1,43 МБ
  • добавлен
  • изменен
Книга посвящена описанию процессов ударной ионизации и лавинного пробоя в полупроводниках. Рассматривается умножение носителей в однородных p-n переходах и расчет параметров этих переходов в области пробоя, физические процессы при микроплазменном пробое реальных p-n переходов, свойства микроплазм и причины их возникновения, вольт-амперная характеристика и перегрузочная способность...
  • №47
  • 17,20 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Учебное пособие / 2-е изд., доп. - М.: Техносфера, 2005. - 408с. В учебном пособии рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены...
  • №48
  • 8,38 МБ
  • добавлен
  • изменен
2-е изд. — М.: Техносфера, 2007. — 408 с. — ISBN: 978-5-94836-120-8 В учебном пособии рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены...
  • №49
  • 3,06 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
2-е изд. — М.: Техносфера, 2007. — 408 с. — ISBN: 978-5-94836-120-8. дополнено до: 3-е изд., доп. — М.: Техносфера, 2008. — 512 с. — ISBN 978-5-94836-187-1. В учебном пособии рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах...
  • №50
  • 15,56 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Учебное пособие. — Петрозаводск: Издательство Петрозаводского государственного университета, 2004. — 312 с. В учебном пособии рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности...
  • №51
  • 2,63 МБ
  • добавлен
  • изменен
3-е изд., доп. — М.: Техносфера, 2008. — 512 с. — ISBN 978-5-94836-187-1. Рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно рассмотрены...
  • №52
  • 32,13 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебное пособие. — Севастополь: Изд-во СевНТУ, 2004. — 635 с.: ил. В данном учебном пособии рассмотрены физика процессов в полупроводниковых устройствах, базовых логических цифровых интегральных схемах; конструктивно-технологические основы проектирования и изготовления элементов и устройств твердотельной электроники, включая технологии монолитных, гибридных интегральных схем и...
  • №53
  • 32,26 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебное пособие. — Севастополь: Изд-во СевНТУ, 2004. — 635 с.: ил . В данном учебном пособии рассмотрены физика процессов в полупроводниковых устройствах, базовых логических цифровых интегральных схемах; конструктивно-технологические основы проектирования и изготовления элементов и устройств твердотельной электроники, включая технологии монолитных, гибридных интегральных схем и...
  • №54
  • 29,58 МБ
  • добавлен
  • изменен
М.: СевНТУ, 2004. - 635 с. - ISBN 966-7473-70-8. В учебном пособии рассмотрены физические процессы в полупроводниковых приборах и базовых логических цифровых интегральных схемах; конструктивно-технологические основы проектирования и изготовления элементов и устройств твердотельной электроники, включая технологию монолитных, гибридных интегральных схем и поверхностного монтажа;...
  • №55
  • 38,11 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учеб. пособие. – Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2007. – 292 с. Рекомендовано учебно-методическим объединением вузов Российской Федерации по образованию в области радиотехники, электроники, биомедицинской техники и автоматизации в качестве учебного пособия для студентов высших учебных заведений, обучающихся по специальности 210201 «Проектирование и технология радиоэлектронных...
  • №56
  • 7,41 МБ
  • добавлен
  • изменен
Воронеж: ВГУ, 2006. - 43 с. Учебно-методическое пособие, посвященное элементам и устройствам твердотельной электроники, подготовлено на кафедрах электроники и радиофизики физического факультета Воронежского государственного университета. Рекомендуется для студентов 3, 4 курсов физического факультета специальностей "Радиофизика и электроника", "Физика" (очная форма обучения), 4,...
  • №57
  • 336,08 КБ
  • добавлен
  • изменен
Учебно-методическое пособие. — Екатеринбург: Изд-во Урал. ун-та, 2016. — 160 с. — ISBN 978-5-7996-1787-5. Пособие содержит описания физических процессов, возникающих в p-n переходе, виды пробоев p-n перехода, процессы в p-n переходах с туннельным эффектом, устройство, принципы работы, характеристики и параметры биполярных транзисторов и полевых транзисторов с управляющим p-n...
  • №58
  • 16,54 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебно-методическое пособие. — Екатеринбург: Изд-во Урал. ун-та, 2016. — 160 с. — ISBN 978-5-7996-1787-5. Пособие содержит описания физических процессов, возникающих в p-n переходе, виды пробоев p-n перехода, процессы в p-n переходах с туннельным эффектом, устройство, принципы работы, характеристики и параметры биполярных транзисторов и полевых транзисторов с управляющим p-n...
  • №59
  • 1,53 МБ
  • добавлен
  • изменен
М.: ДМК Пресс, 2013. — 600 с. В первом томе описана элементная база твердотельных электронных устройств общего назначения нано- и пикосекундного диапазона времен - от туннельных и диодов с накоплением заряда, биполярных, полевых и лавинных транзисторов до новых S-диодов, лавинных обострителей, дрейфовых диодов с резким восстановлением, SOS-диодов и интегральных микросхем. Во...
  • №60
  • 18,03 МБ
  • добавлен
  • изменен
М.: ДМК Пресс, 2013. — 600 с. В первом томе описана элементная база твердотельных электронных устройств общего назначения нано- и пикосекундного диапазона времен - от туннельных и диодов с накоплением заряда, биполярных, полевых и лавинных транзисторов до новых S-диодов, лавинных обострителей, дрейфовых диодов с резким восстановлением, SOS-диодов и интегральных микросхем. Во...
  • №61
  • 53,30 МБ
  • добавлен
  • изменен
М.: ДМК Пресс, 2013. — 576 с. В первом томе описана элементная база твердотельных электронных устройств общего назначения нано- и пикосекундного диапазона времен - от туннельных и диодов с накоплением заряда, биполярных, полевых и лавинных транзисторов до новых S-диодов, лавинных обострителей, дрейфовых диодов с резким восстановлением, SOS-диодов и интегральных микросхем. Во...
  • №62
  • 63,06 МБ
  • добавлен
  • изменен
М.: ДМК Пресс, 2013. — 576 с. В первом томе описана элементная база твердотельных электронных устройств общего назначения нано- и пикосекундного диапазона времен - от туннельных и диодов с накоплением заряда, биполярных, полевых и лавинных транзисторов до новых S-диодов, лавинных обострителей, дрейфовых диодов с резким восстановлением, SOS-диодов и интегральных микросхем. Во...
  • №63
  • 17,19 МБ
  • добавлен
  • изменен
М. - Высшая Школа, 1986. — 304 с. Учебник для студентов вузов В учебнике рассмотрены тепловые, электрические, оптические и магнитные свойства твёрдых тел и электрические свойства плёнок. Для облегчения восприятия материала rpoоздкие математические построения опущены. Широко используются упрощенные модели с сохранением достаточно строгого уровня изложения. Содержание...
  • №64
  • 3,44 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учеб. для студентов вузов М. - Высшая Школа, 1986. - 304 с. структура кристаллов. дефекты в кристаллах. тепловые колебания атомов кристалла. основы зонной теории. статистика в полупроводниках. кинетические явления. магнитные свойства твердых тел. контакт металл-полупроводник.
  • №65
  • 2,58 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Учебное пособие. — Санкт-Петербург: Наука, 2000. — 100 с. Введение. Основные обозначения. Энергетические диаграммы полупроводников с изменяющимся по координате химическим составом и полупроводниковых структур. Классификация полупроводников и структур на их основе. Неоднородные полупроводники и гомоструктуры. Варизонные полупроводники. Варизонный полупроводник—гетероструктура....
  • №66
  • 2,81 МБ
  • добавлен
  • изменен
Томск: ТУСУР, 2007. - 566 с. Рассматриваются физические основы и математическое описание процессов, определяющих принцип действия твердотельных приборов, явления переноса в твердых телах, контактные явления в полупроводниках и структурах металл-полупроводник, металл-диэлектрик–полупроводник, изотипные и анизотипные гетеропереходы. Рассмотрены принципы действия и характеристики...
  • №67
  • 3,84 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебное пособие. — Томск: Эль Контент, 2011. — 244 с. Рассматриваются физические основы и математическое описание процессов, определяющих принцип действия твёрдотельных приборов, явления переноса в твёрдых телах, контактные явления в полупроводниках и структурах металл-полупроводник, металл-диэлектрик-полупроводник, изотипные и анизотипные гетеропереходы. Рассмотрены принципы...
  • №68
  • 2,06 МБ
  • добавлен
  • изменен
Курс лекций для студ. физ. фак-та. – Минск: БГУ, 2003. — 73 с. Курс предназначен для студентов 4 курса специализаций «Физика полупроводников и диэлектриков» и «Новые материалы и технологии». Рассматриваются вопросы переноса заряда в немагнитных и магнитоупорядоченных конденсированных средах и структурах на их основе во внешнем магнитном поле, возможность применения...
  • №69
  • 1,55 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Рассматриваются процессы в различных областях транзисторной структуры, определяющие теория статический коэффициент передачи тока базы транзистора и его зависимость от режима и температуры. Для студентов и аспирантов, обучающихся по специальности 200100 «Микроэлектроника и твердотельная электроника» (Московский государственный институт электроники и математики (технический...
  • №70
  • 872,28 КБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Пер. с англ. — М.: Атомиздат, 1970. — 165 с. Данная книга посвящена одной из наиболее актуальных и наименее изученных проблем радиационной физики полупроводников — влиянию поверхности на характеристики полупроводниковых материалов и приборов при воздействии ионизирующего излучения. В книге анализируются работы, характеризующие современное состояние исследований по данной...
  • №71
  • 2,07 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебное пособие. — М.: МИРЭА, 2011. - 61 с. Данное учебное пособие по курсу "Магнитоэлектроника" предназначено магистрам, обучающимся по направлению 210100 "Микроэлектроника". В нем рассмотрены недавно открытые физические эффекты, которые легли в основу бурного развития этой отрасли электроники, начавшегося с 90-х годов XX века и продолжающегося в настоящее время. Учащиеся...
  • №72
  • 878,99 КБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Специальная редакция для журнала Радио. – Таганрог, 2004. – 121 с. Рецензент к. т. н. Гайно Евгений Владимирович. Автор выражает благодарность уважаемому Владимиру Чуднову за ценные замечания при подготовке рукописи. Автор выражает благодарность своему учителю – Александру Владимировичу Кнышу.
  • №73
  • 1,85 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
М: Радио и связь, 1983. - 208 с. Рассмотрены основные свойства полупроводниковых материалов с отрицательным и положительным температурными коэффициентами сопротивления. Описана технология изготовления терморезисторов на основе этих материалов. Приведены варианты конструкций терморезисторов и их характеристики, а также схемные решения устройств с терморезисторами. Предложены...
  • №74
  • 2,32 МБ
  • добавлен
  • изменен
Мн.: БГУ, 2003. — 171 с.: ил. — ISBN 985-445-950-0. В монографии систематизированы физические методы исследования структуры, фазового состава, электрофизических свойств материалов и многослойных тонкопленочных структур, используемых в микроэлектронике для создания СБИС, а также функционального контроля микросхем. Представлены результаты по применению различных методов контроля...
  • №75
  • 3,29 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Навчальний посібник. - Х: ХНУ імені В.Н.Каразіна, 2007. - 544 с. У навчальному посібнику в наочній формі викладаються фізичні принципи дії багатьох сучасних твердотільних приладів. Детально розглядаються нерівноважні носії заряду в напівпровідниках, контактні явища, біполярні транзистори, уніполярні транзистори, тунельні явища й прилади, пролітні явища й прилади, міждолинний...
  • №76
  • 18,50 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебное пособие. — Минск: Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (БГУИР), 2019. — 300 с. — ISBN 978-985-543-432-1. Кратко рассмотрены элементы метрологии, используемые в микросенсорике. Подробно рассмотрены основные твердотельные датчики, используемые преимущественно в наукоемких областях (точная механика и оптика, микро- и наноэлектроника, атомная...
  • №77
  • 6,99 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебное пособие. — Томск: ТУСУР, 2006. — 330 с. Физические основы твердотельной электроники Контакты металл-полупроводник. Выпрямляющие и омические переходы на контакте металла с полупроводником Электронно-дырочные переходы Диоды на основе электронно-дырочных переходов Биполярные транзисторы Тиристоры Полевые транзисторы Сенсоры, датчики, преобразователи
  • №78
  • 2,90 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебно-методическое пособие. – Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 2007. — 76 с. Учебно-методическое пособие предназначено для проведения аудиторных практических занятий и самостоятельной работы по дисциплине «Твердотельная электроника» для студентов специальности 210104 «Микроэлектроника и твердотельная электроника» направления подготовки...
  • №79
  • 717,33 КБ
  • добавлен
  • изменен
М.: Просвещение, 1989. - 128 с.: ил. - (Мир знаний). Книга знакомит читателя с историей развития электроники, возникновением микроэлектроники. В ней даны основные понятия о видах микросхем - полупроводниковых интегральных и гибридных (тонкопленочных и толстопленочных). Даны элементарные понятия о физике полупроводников и основных элементов ИМС. Объясняется сущность основных...
  • №80
  • 6,31 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
М.: Наука, 1973 — 470 с. — (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). Книга посвящена терморезисторам — полупроводниковым резисторам с сильной зависимостью величины сопротивления от температуры. В ее первой части обсуждаются электрические свойства и кристаллическая структура ряда окислов переходных металлов, а также физические и физико-химические основы технологии...
  • №81
  • 11,62 МБ
  • добавлен
  • изменен
М.: Наука, 1973. — 416 с. — (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). OCR (распознан, можно копировать текст) Книга посвящена терморезисторам — полупроводниковым резисторам с сильной зависимостью величины сопротивления от температуры. В ее первой части обсуждаются электрические свойства и кристаллическая структура ряда окислов переходных металлов, а также физические и...
  • №82
  • 17,13 МБ
  • добавлен
  • изменен
Омск: Изд-во ОмГТУ, 2009. – 56 с. Зонная структура полупроводников Термины и определения Статистика электронов и дырок в полупроводниках, положение уровня Ферми Концентрация электронов и дырок в собственном полупроводнике Концентрация электронов и дырок в примесном полупроводнике Определение положения уровня Ферми Проводимость полупроводников Токи в...
  • №83
  • 5,87 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Перевод с англ. С.Д. Барановского и др. — М.: Мир, 1991. — 632 с.: ил. — ISBN 5-03-001459-4. Книга написана известным американским специалистом в области физики полупроводников М. Шуром. Подробно изложены электрофизические свойства GaAs. Особое внимание уделено явлениям переноса в субмикронных структурах. Рассмотрены все основные методы получения и исследования GaAs. Подробно...
  • №84
  • 20,75 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
В 2-х книгах. — Москва: Мир, 1992. — 479 с. Современное фундаментальное учебное пособие, написанное известным американским специалистом, в котором с единых позиций рассматриваются физические принципы работы, конструктивные особенности и технология практических всех полупроводниковых приборов и монолитных интегральных схем на их основе. В кн.1 содержатся сведения о физике...
  • №85
  • 11,28 МБ
  • добавлен
  • изменен
В 2-х книгах. — Москва: Мир, 1992. — 479 с. Современное фундаментальное учебное пособие, написанное известным американским специалистом, в котором с единых позиций рассматриваются физические принципы работы, конструктивные особенности и технология практических всех полупроводниковых приборов и монолитных интегральных схем на их основе. В кн.1 содержатся сведения о физике...
  • №86
  • 31,85 МБ
  • добавлен
  • изменен
В 2-х книгах. — Москва: Мир, 1992. — 295 с. Современное фундаментальное учебное пособие, написанное известным американским специалистом, в котором с единых позиций рассматриваются физические принципы работы, конструктивные особенности и технология практических всех полупроводниковых приборов и монолитных интегральных схем на их основе. В кн.2 описаны фотонные приборы, диоды с...
  • №87
  • 6,73 МБ
  • добавлен
  • изменен
В 2-х книгах. — Москва: Мир, 1992. — 295 с. Современное фундаментальное учебное пособие, написанное известным американским специалистом, в котором с единых позиций рассматриваются физические принципы работы, конструктивные особенности и технология практических всех полупроводниковых приборов и монолитных интегральных схем на их основе. В кн.2 описаны фотонные приборы, диоды с...
  • №88
  • 16,14 МБ
  • добавлен
  • изменен
В книге описаны физические механизмы эффекта Ганна - эффекта, на основе которого созданы объемные полупроводниковые приборы, в том числе наиболее мощные генераторы СВЧ на твердом теле. В ней рассматриваются также связанные с ганновской генерацией физические эффекты, различные ганновские приборы и возможности их практического применения. Книга рассчитана на инженеров, техников и...
  • №89
  • 8,63 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
В этом разделе нет файлов.

Комментарии

в разделе Твердотельная электроника #
Люди,у кого есть Грудко "Методы расчетов транзисторов",добавте пожалуйста!Очень нужная книга!
в разделе Твердотельная электроника #
Закинул
В этом разделе нет комментариев.