Зарегистрироваться
Восстановить пароль
FAQ по входу

Полупроводниковые приборы

Доверенные пользователи и модераторы раздела

Springer, 2005, 318 pages, ISBN 1-4020-2878-4 The main focus of this book is to provide the reader with a deep understanding of modeling and design strategies of Current-Mode digital circuits, as well as to organize in a coherent manner all the original and powerful authors’ results in the domain of Current-Mode digital circuits. Model and Design of Bipolar and MOS Current-Mode...
  • №1
  • 12,08 МБ
  • добавлен
  • изменен
Springe, 2018. — 171 p. — (Springer Theses). — ISBN 978-3-319-94982-6. Starting from a broad overview of heat transport based on the Boltzmann Transport Equation, this book presents a comprehensive analysis of heat transport in bulk and nanomaterials based on a kinetic-collective model (KCM). This has become key to understanding the field of thermal transport in semiconductors,...
  • №2
  • 6,99 МБ
  • добавлен
  • изменен
The Institution of Engineering and Technology, 2009, 350 pages. Scope: This book provides fundamental and practical information on all aspects of GaAs processing. The book also gives pragmatic advice on cleaning and passivation, wet and dry etching and photolithography, and dry etching. Other topics covered include device performance for HBTs (Heterojunction Bipolar...
  • №3
  • 1,62 МБ
  • добавлен
  • изменен
S IE Publications | 2006 | ISBN: 0819458457 | 1094 pages | Language: English | This comprehensive volume, edited by a senior technical staff member at SEMATECH, is the authoritative reference book on EUV source technology. The volume contains 38 chapters contributed by leading researchers and suppliers in the EUV source field. Topics range from a state-of-the-art overview and...
  • №4
  • 32,28 МБ
  • добавлен
  • изменен
Woodhead Publishing, 2019. — 409 p. — (Electronic and Optical Materials). — ISBN 978-0-08-102306-8. This book provides readers with a single resource on why these devices are superior to existing silicon devices. The book lays the groundwork for an understanding of an array of applications and anticipated benefits in energy savings. Authored by the Founder of the Power...
  • №5
  • 17,19 МБ
  • добавлен
  • изменен
ISTE Ltd and John Wiley & Sons, Inc., 2011. — 347 p. — ISBN978-1-84821-231-2. The main purpose of this book is to remind new engineers in silicon foundry, the fundamental physical and chemical rules in major Front end treatments: oxidation, epitaxy, ion implantation and impurities diffusion. Table of Contents Silicon and Silicon Carbide Oxidation Ion Implantation Dopant Diffusion:...
  • №6
  • 17,63 МБ
  • добавлен
  • изменен
IEEE Press - Wiley, 2009, 432 pages, ISBN 978-0-470-82342-2 The microelectronics industry has witnessed an explosive progress in the capability to integrate components on a silicon chip with CMOS as the predominant technology. The present day System-on-Chip (SOC) contains billions of devices with the Metal–Oxide–Semiconductor (MOS) transistor forming the basic building...
  • №7
  • 3,11 МБ
  • добавлен
  • изменен
N.-Y.: Springer Science+Business Media, 1997. — xxii, 358 p. — ISBN: 978-1-4899-1806-2, 978-1-4899-1804-8. Rapid thermal processing has contributed to the development of single wafer cluster processing tools and other innovations in integrated circuit manufacturing environments. Borisenko and Hesketh review theoretical and experimental progress in the field, discussing a wide...
  • №8
  • 15,17 МБ
  • добавлен
  • изменен
John Wiley & Sons, Inc., 2002, - 460 pages. The book contains nine chapters in total. The first chapter provides an overview of emerging trends in compound semiconductors and computing technology. Authors have tried to focus the book on the three emerging areas: telecommunications, quantum structures, and challenges and alternatives to CMOS technology. The balance of the book...
  • №9
  • 6,81 МБ
  • добавлен
  • изменен
Springer Science+Business Media, 2011, 467 pages, ISBN: 1441972757 Ultra-thin chips are the "smart skin" of a conventional silicon chip. This book shows how very thin and flexible chips can be fabricated and used in many new applications in microelectronics, Microsystems, biomedical and other fields. It provides a comprehensive reference to the fabrication technology, post...
  • №10
  • 15,19 МБ
  • добавлен
  • изменен
254 p. Springer Science+Business Media New York 2014 Wire bonds form the primary interconnections between an integrated circuit chip and the metal lead frame in semiconductor packaging. Wire bonding is considered to be a more cost-effective and flexible interconnect technology than flip–chip interconnects. As of 2013, more than 90 % of semiconductor packages were interconnected by...
  • №11
  • 5,06 МБ
  • добавлен
  • изменен
Boca Raton, FL: CRC Press, 2011. - 207 p. - ISBN-10: 1439862052, ISBN-13: 978-1-4398-6205-6, 978-1-4398-6207-0. Contents History and background Package form factors and families Surface-mount technology Other packaging needs Reliability testing Polymers Metals Ceramics and glasses Trends and challenges Light-emitting diodes In semiconductor manufacturing,...
  • №12
  • 7,51 МБ
  • добавлен
  • изменен
New York ; London, Plenum Press, 1996. — 364 p. In the first comprehensive treatment of these technologically important materials, the authors provide theories linking the properties of semiconductor alloys to their constituent compounds. Topics include crystal structures, bonding, elastic properties, phase diagrams, band structures, transport, ab-initio theories, and...
  • №13
  • 31,73 МБ
  • добавлен
  • изменен
Taylor & Francis Group, LLC, 2006. – 1177 p. – ISBN-10: 0849335590 An extraordinary combination of material science, manufacturing processes, and innovative thinking spurred the development of SiGe heterojunction devices that offer a wide array of functions, unprecedented levels of performance, and low manufacturing costs. While there are many books on specific aspects of Si...
  • №14
  • 36,82 МБ
  • добавлен
  • изменен
CRC Press, 2017. — 155 p. This book focusses on the spacer engineering aspects of novel MOS-based device–circuit co-design in sub-20nm technology node, its process complexity, variability, and reliability issues. It comprehensively explores the FinFET/tri-gate architectures with their circuit/SRAM suitability and tolerance to random statistical variations.
  • №15
  • 4,38 МБ
  • добавлен
  • изменен
Pan Stanford Publishing, 2009. — 440 p. This book offers an excellent insight into the Micro-to-Nano transition that the electronics industry is currently engaged in. The different chapters clearly illustrate the latest stages of evolution of the "classical" silicon transistor and explore the next-generation devices which are likely to be its successor. An excellent reference...
  • №16
  • 24,43 МБ
  • добавлен
  • изменен
Boston: Academic Press, 1993. — viii, 430 p. — ISBN: 978-0-12-247690-7, 0-12-247690-5. Content: Rapid Thermal Processing — A Justification. Rapid Thermal Processing–Based Epitaxy. Rapid Thermal Growth and Processing of Dielectrics. Thin-Film Deposition. Extended Defects from Ion Implantation and Annealing. Junction Formation in Silicon by Rapid Thermal Annealing....
  • №17
  • 7,94 МБ
  • добавлен
  • изменен
Imperial College Press, 2008. — 477 p. Devices, nanoscale science and technologies based on GaN and related materials, have achieved great developments in recent years. New GaN-based devices such as UV detectors, fast p-HEMT and microwave devices are developed far more superior than other semiconductor materials-based devices. Written by renowned experts, the review chapters in...
  • №18
  • 48,09 МБ
  • добавлен
  • изменен
Boca Raton, FL: CRC Press, 2009. — 753 p. — ISBN: 9781420043761, 1420043765. Uncover the defects that compromise performance and reliability as microelectronics features and devices become smaller and more complex, it is critical that engineers and technologists completely understand how components can be damaged during the increasingly complicated fabrication processes...
  • №19
  • 18,86 МБ
  • добавлен
  • изменен
2nd Edition. - Springer, 2014. - The science and technology relating to nanostructures continues to receive significant attention for its applications to various fields including microelectronics, nanophotonics, and biotechnology. This book describes the basic quantum mechanical principles underlining this fast developing field. From the fundamental principles of quantum mechanics...
  • №20
  • 10,11 МБ
  • добавлен
  • изменен
Contents. Introduction to Semiconductor Manufacturing. Technology Overview. Process Monitoring. Statistical Fundamentals. Yield Modeling. Statistical Process Control. Statistical Experimental Design. Process Modeling. Advanced Process Control. Process and Equipment Diagnosis. of the book places the manufacture of integrated circuits into its. historical context, as...
  • №21
  • 4,97 МБ
  • добавлен
  • изменен
Wiley-VCH Verlag GmbH, 2001. 2330 p. — ISBN 3-527-26538-4. The book series Sensors Applications covers the application of up-to-date sensor principles in key areas, meeting the growing need for comprehensive information on the wide variety of available systems and their purposes, potentials, applications and limitations. Sensors Applications Upcoming volumes: Sensors in...
  • №22
  • 50,90 МБ
  • добавлен
  • изменен
3rd edition. — McGraw-Hill, 2010. — 448 p. The Industry Standard Guide to Wire Bonding - Fully Updated. The definitive resource on the critical process of connecting semiconductors with their packages. Wire Bonding in Microelectronics, Third Edition, has been thoroughly revised to help you meet the challenges of today's small-scale and fine-pitch microelectronics. This...
  • №23
  • 7,68 МБ
  • добавлен
  • изменен
Монография. Wiley, 2012, 590p. A state-of-the-art overview of high-k dielectric materials for advanced field-effect transistors, from both a fundamental and a technological viewpoint, summarizing the latest research results and development solutions. The book clearly discusses the advantages of these materials over conventional materials and also addresses the issues that...
  • №24
  • 12,18 МБ
  • добавлен
  • изменен
Bristol: Institute of Physics Publishing. – 2004. – 613 p. The success of the semiconductor industry relies on the continuous improvement of integrated circuits performances. This improvement is achieved by reducing the dimensions of the key component of these circuits: the metal–oxide–semiconductor field effect transistor (MOSFET). The purpose of this book is to give a...
  • №25
  • 8,77 МБ
  • добавлен
  • изменен
672 p. 2014 Woodhead Publishing Limited. Light-emitting diodes (LEDs) have extended their presence from being dim indicators on instrument panels and children’s toys to highly efficient solid-state lighting (SSL) of daily life. This beautifully engineered technology, pioneered by Professor Holonyak in 1962 and enabled by numerous bright scientists and engineers with fifty-plus...
  • №26
  • 57,55 МБ
  • добавлен
  • изменен
CRC Press, Taylor & Francis Group, 2010. — 389 p. — (Devices, Circuits, and Systems). — ISBN 978-1-4398-0385-1. Semiconductor Radiation Detection Systems addresses the state-of-the-art in the design of semiconductor detectors and integrated circuit design, in the context of medical imaging using ionizing radiation. It addresses exciting new opportunities in X-ray detection,...
  • №27
  • 25,14 МБ
  • добавлен
  • изменен
Prentice Hall; 2 edition, 2002, ISBN: 0201444941, 316 pages Modular Series on Solid State Devices This introductory book assumes minimal knowledge of the existence of integrated circuits and of the terminal behavior of electronic components such as resistors, diodes, and MOS and bipolar transistors. It presents to readers the basic information necessary for more advanced...
  • №28
  • 4,27 МБ
  • добавлен
  • изменен
Springer, 2014. - 840 p. - The purpose of this workshop is to spread the vast amount of information available on semiconductor physics to every possible field throughout the scientific community. As a result, the latest findings, research and discoveries can be quickly disseminated. This workshop provides all participating research groups with an excellent platform for interaction...
  • №29
  • 133,23 МБ
  • добавлен
  • изменен
Springer Dordrecht Heidelberg New York London, 2014, VII, 149 p. 98 illus. — ISBN 978-94-017-8767-3, ISBN 978-94-017-8768-0 (eBook), DOI 10.1007/978-94-017-8768-0 — (Lecture Notes in Electrical Engineering, Vol. 300). Through his work experience in industry, the author is able to give actual examples of the latest semiconductor technologies Profound and theoretical approach to...
  • №30
  • 5,17 МБ
  • добавлен
  • изменен
Springer, 2005. - 367 p. - Quantum size effects are becoming increasingly important in microelectronics, as the dimensions of the structures shrink laterally towards 100 nm and vertically towards 10 nm. Advanced device concepts will exploit these effects for integrated circuits with novel or improved properties. Keeping in mind the trend towards systems on chip, this book deals...
  • №31
  • 6,16 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Woodhead Publishing Limited, 2011, 340 pages Understanding and limiting electromigration in thin films is essential to the continued development of advanced copper interconnects for integrated circuits. Electromigration in thin films and electronic devices provides an up-to-date review of key topics in this commercially important area. Part one consists of three...
  • №32
  • 6,71 МБ
  • добавлен
  • изменен
John Wiley & Sons, Ltd, 2017. — 348 p. — ISBN-10: 1119247403 Electronic devices based on oxide semiconductors are the focus of much attention, with crystalline materials generating huge commercial success. Indium–gallium–zinc oxide (IGZO) transistors have a higher mobility than amorphous silicon transistors, and an extremely low off-state current. C-axis aligned crystalline...
  • №33
  • 31,45 МБ
  • добавлен
  • изменен
Springer International Publishing, Switzerland, 2015. — 430 p. — ISBN 3319186744 This book starts with background concerning three-dimensional integration - including their low energy consumption and high speed image processing - and then proceeds to how to construct them and which materials to use in particular situations. The book covers numerous applications, including next...
  • №34
  • 43,04 МБ
  • добавлен
  • изменен
World Scientific Publishing, 2005, 208 pages. Impact ionization, avalanche and breakdown phenomena form the basis of many very interesting and important semiconductor devices, such as avalanche photodiodes, avalanche transistors, suppressors, sharpening diodes (diodes with delayed breakdown), as well as IMPATT and TRAPATT diodes. In order to provide maximal speed and power,...
  • №35
  • 9,14 МБ
  • добавлен
  • изменен
Dordrecht: Kluwer Academic Publishers, 1989. - xiv, 984 p. - ISBN: 978-0-7923-0154-7,978-94-009-0917-5. - (NATO Advanced Science Institute Series E, vol. 164). The primary thrust of very large scale integration (VLSI) is the miniaturization of devices to increase packing density, achieve higher speed, and consume lower power. The fabrication of integrated circuits containing in...
  • №36
  • 28,93 МБ
  • добавлен
  • изменен
Springer-Verlag GmbH, 2017. — 160 p. — (Springer Series in Materials Science 250) — ISBN 3662536935. This book systematically introduces the most important aspects of organic semiconductor heterojunctions, including the basic concepts and electrical properties. It comprehensively discusses the application of organic semiconductor heterojunctions as charge injectors and charge...
  • №37
  • 7,79 МБ
  • добавлен
  • изменен
McGraw-Hill, 1999. – 766 p. The definitive, all-in-one, cost-saving guide to electronic failure analysis--from the field's top experts. Still digging for the latest developments and techniques in electronic failure analysis? The leading-edge methods for slashing product failure rates are all right here--in one complete, comprehensive source. In the Electronic Failure Analysis...
  • №38
  • 19,19 МБ
  • добавлен
  • изменен
Springer, 2008. – 583 p. — ISBN: 9781402064814. Semiconductor Device Physics and Design teaches readers how to approach device design from the point of view of someone who wants to improve devices and can see the opportunity and challenges. It begins with coverage of basic physics concepts, including the physics behind polar heterostructures and strained heterostructures. The book...
  • №39
  • 8,19 МБ
  • добавлен
  • изменен
Cambridge University Press, 1995, 239 Pages. This book is the first to give a comprehensive description of the physics and applications of resonant tunneling diodes. The opening chapters of the book set out the basic principles of coherent tunneling theory. The authors describe in detail the effects of impurity scattering, femtosecond dynamics, non-equilibrium distribution, and...
  • №40
  • 13,75 МБ
  • добавлен
  • изменен
The Institution of Engineering and Technology, 2016. — 384 p. — (Materials, Circuits & Devices). — ISBN 10 1849199973. — ISBN 13 978-1849199971. The demand for ever smaller and portable electronic devices has driven metal oxide semiconductor-based (CMOS) technology to its physical limit with the smallest possible feature sizes. This presents various size-related problems such as...
  • №41
  • 16,13 МБ
  • добавлен
  • изменен
New York: Wiley, 1982.- 906 p. Explains the theoretical and experimental foundations of the measurement of the electrical properties of the MOS system and the technology for controlling its properties. Emphasizes the silicon oxide and the silicon oxide-silicon interface. Provides a critical assessment of the literature, corrects incomplete or incorrect theoretical formulations,...
  • №42
  • 7,25 МБ
  • добавлен
  • изменен
2nd Edition Academic Press; 2014 - 758 pages ISBN-10: 0120885743 ISBN-13: 978-0120885749 Reliability and Failure of Electronic Materials and Devices is a well-established and well-regarded reference work offering unique, single-source coverage of most major topics related to the performance and failure of materials used in electronic devices and electronics packaging. With a...
  • №43
  • 71,12 МБ
  • добавлен
  • изменен
SPIE, Bellingham, Washington, 2010, 861 pages Chemistry and Lithography provides a comprehensive treatment of the chemical phenomena in lithography in a manner that is accessible to a wide readership. The book presents topics on the optical and charged particle physics practiced in lithography, with a broader view of how the marriage between chemistry and optics has made...
  • №44
  • 22,64 МБ
  • добавлен
  • изменен
Boca Raton: CRC Press. - 2012. - xlv, 510 p. - Series in Sensors. - ISBN: 9781439873137, 1439873135. Content: Semiconductors. Growth Techniques. Detector Fabrication. Contacting Systems. Radiation Detection and Measurement. Present Detection Systems. Improving Performance. Abstract: . Although elemental semiconductors such as silicon and germanium are standard for...
  • №45
  • 23,74 МБ
  • добавлен
  • изменен
Taylor & Francis Group, LLC, Boca Raton, FL, USA, 2004. –301 p. – ISBN: 0750310219 Introduction to Semiconductor Device Physics is a popular and established text that offers a thorough introduction to the underlying physics of semiconductor devices. It begins with a review of basic solid state physics, then goes on to describe the properties of semiconductors including energy...
  • №46
  • 163,93 МБ
  • добавлен
  • изменен
William Andrew, Noyes Publications, 2000, 571 pages. Wide bandgap semiconductors, made from such materials as GaN, SiC, diamond and ZnSe, are undergoing a strong resurgence in recent years, principally because of their direct bandgaps which give them a huge advantage over the indirect gap SiC. As an example, more than 10 million blue LEDs using this technology are sold each...
  • №47
  • 24,06 МБ
  • добавлен
  • изменен
2ed., Prentice Hall, Pearson Education, Upper Saddle River, New Jersey, 2003, 231 pages, ISBN: 013061792X, 0-201-12295-2 Modular Series on Solid State Devices vol. 6 Focus on silicon-based semiconductors—a real-world, market-dominating issue that will appeal to people looking to apply what they are learning. Comprehensive coverage includes treatment of basic semiconductor...
  • №48
  • 1,88 МБ
  • добавлен
  • изменен
WILEY-VCH, Weinheim, 2007, 519 pages ISBN: 978-3527406678 This is the first book to be published on physical principles, mathematical models, and practical simulation of GaN-based devices. Gallium nitride and its related compounds enable the fabrication of highly efficient light-emitting diodes and lasers for a broad spectrum of wavelengths, ranging from red through yellow and...
  • №49
  • 8,14 МБ
  • добавлен
  • изменен
Shichun Qu • Yong Liu. Wafer-Level Chip-Scale Packaging. Analog and Power Semiconductor Applications. ISBN 978-1-4939-1555-2 ISBN 978-1-4939-1556-9 (eBook). DOI 10.1007/978-1-4939-1556-9. Springer New York Heidelberg Dordrecht London. Library of Congress Control Number: 2014946821. # Springer Science+Business Media New York 2015. A wafer-level chip-scale package (WLCSP) is...
  • №50
  • 19,30 МБ
  • добавлен
  • изменен
Prentice Hall, 2000, 666 p. Язык - английский. Технология производства полупроводников. Книга известных американских специалистов (Michael Quirk, Julian Serda) охватывает практически все важнейщие аспекты технологии субмикронных СБИС. Несмотря на то, что она написана в 2000 г., до сих пор книга не потеряла своей ценности и актуальности и не только для отечественного читателя,...
  • №51
  • 65,86 МБ
  • добавлен
  • изменен
New York: Springer, 2006. — 236 p. — ISBN 978-0-387-32500-2. Design of Systems on a Chip: Design&Test is the second of two volumes addressing the design challenges associated with new generations of the semiconductor technology. The various chapters are the compilations of tutorials presented at workshops in the recent years by prominent authors from all over the world....
  • №52
  • 3,22 МБ
  • добавлен
  • изменен
CRC Press, Taylor & Francis Group, 2011, 303 pages, ISBN: 1439813876. Sales of U.S. chemical sensors represent the largest segment of the multi-billion-dollar global sensor market, which includes instruments for chemical detection in gases and liquids, biosensors, and medical sensors. Although silicon-based devices have dominated the field, they are limited by their general...
  • №53
  • 7,69 МБ
  • добавлен
  • изменен
Springer-Science+Business Media, B.V., 1996. — xii, 565 p. — (NATO Advanced Science Institute Series, Series E: Applied Sciences, vol. 318). — ISBN: 978-90-481-4696-3, 978-94-015-8711-2. Rapid thermal and integrated processing is an emerging single-wafer technology in ULSI semiconductor manufacturing, electrical engineering, applied physics and materials science. Here, the...
  • №54
  • 17,27 МБ
  • добавлен
  • изменен
Springer, 2011. — 269 p. Primary goal of this book is to provide a cohesive description of the vast field of semiconductor quantum devices, with special emphasis on basic quantum-mechanical phenomena governing the electro-optical response of new-generation nanomaterials. The book will cover within a common language different types of optoelectronic nanodevices, including...
  • №55
  • 8,05 МБ
  • добавлен
  • изменен
Springer-Verlag, 2006, - 304 с. (англ. яз.) Книга представляет собой введение в физику полупроводниковых гибридных матричных детекторов. Подробно рассматривается механизм формирования сигнала в сенсоре. Даны основные сведения о технологии производства сенсоров. Дан обзор свойств сенсоров из материалов, отличных от кремния. Рассматриваются принципы проектирования электроники...
  • №56
  • 59,99 МБ
  • добавлен
  • изменен
2nd Edition. — Springer International Publishing AG, 2018. — 935 p. — ISBN 978-3-319-63153-0. This textbook describes the basic physics of semiconductors, including the hierarchy of transport models, and connects the theory with the functioning of actual semiconductor devices. Details are worked out carefully and derived from the basic physical concepts, while keeping the internal...
  • №57
  • 5,96 МБ
  • добавлен
  • изменен
2nd Edition. — Springer International Publishing AG, 2018. — 804 p. — ISBN 978-3-319-63153-0. This textbook describes the basic physics of semiconductors, including the hierarchy of transport models, and connects the theory with the functioning of actual semiconductor devices. Details are worked out carefully and derived from the basic physical concepts, while keeping the internal...
  • №58
  • 8,95 МБ
  • добавлен
  • изменен
Springer, 2015. — 648 p. This book describes the basic physics of semiconductors, including the hierarchy of transport models, and connects the theory with the functioning of actual semiconductor devices. Details are worked out carefully and derived from the basic physics, while keeping the internal coherence of the concepts and explaining various levels of approximation....
  • №59
  • 13,84 МБ
  • добавлен
  • изменен
Монография. Boston-London, Artech House, Inc., 2004, 212 pp. Silicon Carbide Overview General Properties High-Temperature SiC-FET Chemical Gas Sensors CHAPTER 3 Silicon Carbide Technology and Power Electronics Applications Advances in Selective Doping of SiC Via Ion Implantation Power SiC MOSFETS Power and RF BJTs in 4H-SiC: Device Design and Technology
  • №60
  • 6,22 МБ
  • добавлен
  • изменен
New York: Electronics division, The electrochemical society, Inc., 1969. — 360 p. Physics of interfaces semiconductors, ohmic contacts to classical semiconductors and wide-band-gap semiconductors, multilevel metalization systems for silicon integrated circuits.
  • №61
  • 7,70 МБ
  • добавлен
  • изменен
2nd edition. — CRC Press, 2006. — 506 p. — 1574446746. First introduced nearly a decade ago, the first edition of the Handbook of Semiconductor Interconnection Technology became widely popular for its thorough, integrated treatment of interconnect technologies and its forward-looking perspective. The field has grown tremendously in the interim and many of the "likely...
  • №62
  • 12,77 МБ
  • добавлен
  • изменен
2nd Edition. — Springer Nature Singapore Pte Ltd., 2017. — 497 p. — (Topics in Applied Physics 133) — ISBN: 9789811037542. The revised edition of this important book presents updated and expanded coverage of light emitting diodes (LEDs) based on heteroepitaxial GaN on Si substrates, and includes new chapters on tunnel junction LEDs, green/yellow LEDs, and ultraviolet LEDs. Over...
  • №63
  • 20,68 МБ
  • добавлен
  • изменен
Springer Science+Business Media, Dordrecht, 2013. — 396 p. — (Topics in Applied Physics 126) — ISBN: 9789400758629 Over the last two decades, significant progress has been made in the growth, doping and processing technologies of III-nitride based semiconductors which paved the way for high brightness light emitting diodes (LEDs). LEDs have already penetrated traffic signals,...
  • №64
  • 20,55 МБ
  • добавлен
  • изменен
3rd ed. — New York, Boston, Dordrecht, London, Moscow, Kluwer Academic Publishers, 2002. — ISBN: 0-306-47509-X (eBook), ISBN: 0-7923-8393-1 (Print). Algorithms for VLSI Physical Design Automation, Third Edition covers all aspects of physical design. The book is a core reference for graduate students and CAD professionals. For students, concepts and algorithms are presented in...
  • №65
  • 22,30 МБ
  • добавлен
  • изменен
Springer, 2010. - 353 p. - Strain Effect in Semiconductors: Theory and Device Applications presents the fundamentals and applications of strain in semiconductors and semiconductor devices that is relevant for strain-enhanced advanced CMOS technology and strain-based piezoresistive MEMS transducers. Discusses relevant applications of strain while also focusing on the fundamental...
  • №66
  • 8,23 МБ
  • добавлен
  • изменен
Springer-Verlag/Wien, 2011, XIV, 252p. 101 illus. — ISBN 978-3-7091-0381-4, e-ISBN 978-3-7091-0382-1, DOI 10.1007/978-3-7091-0382-1 (Computational Microelectronics). Offers a comprehensive overview of strain techniques Includes an accurate description of strain induced modifications of the valence and conduction bands Provides an overview of transport modeling in strain...
  • №67
  • 3,41 МБ
  • добавлен
  • изменен
3-е перераб. и доп. изд. на английском языке - Wiley, 2007. (3-ed) (2007) Монография написана известными американскими специалистами в области полупроводниковой электроники. В книге изложена физика биполярных приборов (диодов, транзисторов и тиристоров) и приборов на основных носителях (полевых транзисторов с p-n переходом и барьером Шоттки), физика приборов на туннельном...
  • №68
  • 34,86 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Cambridge University Press, 2010, 196 pages If you are a semiconductor engineer or a magnetics physicist developing magnetic memory, get the information you need with this, the first book on magnetic memory. From magnetics to the engineering design of memory, this practical book explains key magnetic properties and how they are related to memory performance, characterization...
  • №69
  • 2,78 МБ
  • добавлен
  • изменен
Springer 1986 (Tokyo 1981) — 450 p. VLSI – Very Lage Scale Integration – Технология больших интегральных схем. VLSI Technology summarizes the main results of the research performed by the Japanese VLSI Technical Research Association. The studies concentrated on silicon as the major basis of modern semiconductor devices. The results presented are on microfabrication technology,...
  • №70
  • 7,60 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Wiley, 2003, 666 pages More than 1,100 TEM images illustrate the science of ULSI The natural outgrowth of VLSI (Very Large Scale Integration), Ultra Large Scale Integration (ULSI) refers to semiconductor chips with more than 10 million devices per chip. Written by three renowned pioneers in their field, ULSI Semiconductor Technology Atlas uses examples and TEM (Transmission...
  • №71
  • 26,26 МБ
  • добавлен
  • изменен
New York: Prentice Hall, 2002. - 235 p. Книга "The Essential Guide to Semiconductors" - это полное руководство по бизнесу и технологии проектирования и производства полупроводников. Достаточно концептуально для дилетантов и нетехнических инвесторов, но достаточно подробно для технических специалистов, Джим Терли объясняет как именно кремниевые чипы проектируются и производятся,...
  • №72
  • 53,69 МБ
  • добавлен
  • изменен
Springer, 2012. - 616 pp. Materials and Reliability Handbook for Semiconductor Optical and Electron Devices provides comprehensive coverage of reliability procedures and approaches for electron and photonic devices. These include lasers and high speed electronics used in cell phones, satellites, data transmission systems and displays. Lifetime predictions for compound...
  • №73
  • 15,45 МБ
  • добавлен
  • изменен
N.-Y., L.: Plenum Press, 1991. — 260 p. — Updates in Applied Physics and Electrical Technology. - ISBN: 0306438356, 9780306438356. This volume is dedicated to the field of dry (plasma) etching, as applied in silicon semiconductor processing. Content: Introduction. The Plasma State. The AC Discharge. Gas and Surface Processes. Reactor Technology. Etch Processes....
  • №74
  • 32,70 МБ
  • добавлен
  • изменен
Springer Science+Business Media, 2008, 330 pages Providing an important link between the theoretical knowledge in the field of non-linier physics and practical application problems in microelectronics, the purpose of the book is popularization of the physical approach for reliability assurance. Another unique aspect of the book is the coverage given to the role of local...
  • №75
  • 8,22 МБ
  • добавлен
  • изменен
CRC Press, 2016. — 250 p. — (Devices, Circuits, and Systems). — ISBN 10 1498743803. — ISBN 13 978-1498743808. This book introduces the reader to a number of challenges for the operation of electronic devices in various harsh environmental conditions. While some chapters focus on measuring and understanding the effects of these environments on electronic components, many also...
  • №76
  • 8,55 МБ
  • добавлен
  • изменен
CRC Press, 2016. — 292 p. — (Devices, Circuits, and Systems). — ISBN 10 1498743803. — ISBN 13 978-1498743808. This book introduces the reader to a number of challenges for the operation of electronic devices in various harsh environmental conditions. While some chapters focus on measuring and understanding the effects of these environments on electronic components, many also...
  • №77
  • 8,47 МБ
  • добавлен
  • изменен
CRC Press, 2016. — 276 p. — (Devices, Circuits, and Systems). — ISBN 10 1498743803. — ISBN 13 978-1498743808. This book introduces the reader to a number of challenges for the operation of electronic devices in various harsh environmental conditions. While some chapters focus on measuring and understanding the effects of these environments on electronic components, many also...
  • №78
  • 8,42 МБ
  • добавлен
  • изменен
CRC Press, 2016. — 282 p. — (Devices, Circuits, and Systems). — ISBN 10 1498743803. — ISBN 13 978-1498743808. This book introduces the reader to a number of challenges for the operation of electronic devices in various harsh environmental conditions. While some chapters focus on measuring and understanding the effects of these environments on electronic components, many also...
  • №79
  • 8,46 МБ
  • добавлен
  • изменен
Addison Wesley Longman Publishing Co, 1988, 531 pages, ISBN: 0201082225 Technology, circuit design, layout, and system design sufficient to feel confident with the technology. The book deals the technology down to the layout level of detail, thereby providing a bridge from a circuit to a form that may be fabricated. The early chapters provide a circuit view of the CMOS IC...
  • №80
  • 36,40 МБ
  • добавлен
  • изменен
Sunset Beach, CA: Lattice Press, 1995. - 744 pp. (на англ яз. ) Книга представляет собой 3-й том известной серии из 4 книг, посвященной технологии СБИС. Настоящий том посвящен рассмотрению важнейшей для технологии современных СБИС области - МДП-транзисторам с субмикронной длиной канала. В книге рассматривается многосторонняя взаимосвязь физики, конструкции и технологии...
  • №81
  • 36,58 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Sunset Beach, CA: Lattice Press, 2002. - 826 pp. (на англ яз. ) Книга представляет собой 4-й (и последний на сегодняшний день) том широко известной серии из 4 книг, посвященной технологии СБИС. Настоящий том посвящен рассмотрению технологических нововведений, появившихся на рубеже тысячелетий и характерных для поколений СБИС с минимальным размером элемента 0,18 мкм и менее. Все...
  • №82
  • 79,90 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Sunset Beach, CA: Lattice Press, 1990. - 785 p. (на англ яз. ). Книга известного американского специалиста проф. Стэнли Волфа является вторым томом широко известной серии из 4-х книг, охватывающей практически все аспекты технологии СБИС. Несмотря на то, что этот том написан в 1990 г., во многом книга не потеряла своей ценности и в настоящее время, в частности, из-за полноты...
  • №83
  • 44,19 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Sunset Beach, CA: Lattice Press, 1986. - 684 pp. (на англ яз. ). Книга представляет собой первый том широко известной серии из 4-х книг, охватывающей практически все вопросы технологии СБИС. Несмотря на то, что книга написана в 1986 г., во многом она не потеряла своей ценности и в настоящее время. В книге удачно воплощено стремление осветить все аспекты технологии СБИС с единой...
  • №84
  • 37,70 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
SPIE — The International Society for Optical Engineering Press, Washington, 2001, 232 pages, ISBN: 0819439959 SPIE Tutorial Texts in Optical Engineering Vol. TT47 This tutorial summarizes optical lithography enhancement research and development over the past 20 years. Discusses theoretical and practical aspects of commonly used techniques, including optical imaging and...
  • №85
  • 3,87 МБ
  • добавлен
  • изменен
Wiley, 2005. - 409 p. - A practical approach to nano-CMOS circuit design and implementation The fast pace of new technology and the challenges of nano-scaling are bringing together the once-separate disciplines of circuit design, technology device physics, and physical implementation. A good understanding of the underlying physical constraints of device, interconnect, and...
  • №86
  • 5,78 МБ
  • добавлен
  • изменен
Wiley, 2017. — 443 p. — (Wiley Series in Display Technology). — ISBN 10 1119247454. — ISBN 13 978-1119247456. This book highlights the display applications of c-axis aligned crystalline indium gallium zinc oxide (CAAC-IGZO), a new class of oxide material that challenges the dominance of silicon in the field of thin film semiconductor devices. It is an enabler for displays with...
  • №87
  • 37,47 МБ
  • добавлен
  • изменен
6-е изд., доп. и испр. — М.: Солон-Пресс, 2008. — 591 с. — ISBN: 978-5-91359-043-5 В справочном пособии систематизированы в табличной форме в алфавитно-цифровой последовательности данные по основным электрическим параметрам и конструктивному исполнению на отечественные биполярные и полевые транзисторы, выпрямительные диоды, столбы и блоки, варикапы, стабилитроны и стабисторы,...
  • №88
  • 15,45 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Лекции по курсу электронные промышленные устройства Информационные основы построения электронных промышленных устройств (ЭПУ) Сигналы в электронных промышленных устройствах .Дискретизация сигналов Коды и кодирование . Структура цифровой системы записи-воспроизведения звука на основе оптического компакт-диска(ЦАП) Параллельные Последовательные ЦАП Интерфейсы цифро-аналоговых...
  • №89
  • 2,74 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Монография. Ульяновск: УлГТУ, 2009, 215 с. Современное машиностроение и приборостроение в значительной степени зависят от уровня развития как полупроводниковой, так и гибридной технологий микроэлектроники. Пленочные резисторы и гибридные интегральные схемы находят применение в тех областях, где требуется, прежде всего, высокая точность и надежность. Монография посвящена...
  • №90
  • 1,53 МБ
  • добавлен
  • изменен
Брошюра. — Куйбышев: Куйбышевское книжное изд-во, 1964. — 92 с. Описываются некоторые новые полупроводниковые приборы и наиболее часто встречающиеся в практике схемы на полупроводниковых приборах. Приведены формулы для расчета каскадов усиления низкой и высокой частоты, импульсных и широкополосных усилителей, преобразователей частоты, диодных детекторов и автоматической...
  • №91
  • 5,39 МБ
  • добавлен
  • изменен
Брошюра. — Куйбышев: Куйбышевское книжное изд-во, 1964. — 92 с. Описываются некоторые новые полупроводниковые приборы и наиболее часто встречающиеся в практике схемы на полупроводниковых приборах. Приведены формулы для расчета каскадов усиления низкой и высокой частоты, импульсных и широкополосных усилителей, преобразователей частоты, диодных детекторов и автоматической...
  • №92
  • 1,73 МБ
  • добавлен
  • изменен
Радиофизический факультет СПбГПУ, 2 курс, 3 семестр. 178 стр. Полупроводниковые приборы. Физические основы электронных приборов. Электронно-дырочный переход. Полупроводниковые диоды Транзисторы. Биполярный транзистор Полевые транзисторы. Приборы с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Лавинно-пролетный диод. Тиристоры. Диод Ганна. Светоизлучающие и...
  • №93
  • 9,61 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Справочник. Под ред. А. В. Голомедова. — М.: Радио и связь, 1985. — 400 с.: ил. Приводятся справочные данные по электрическим параметрам, эксплуатационным характеристикам и зависимостям параметров от режимов использования мощных полупроводниковых диодов. Даются основные области их применения в электронной аппаратуре. Для широкого круга инженерно-технических работников.
  • №94
  • 4,44 МБ
  • добавлен
  • изменен
М.: Информэлектро, 1984. — 68 с. — (Серия 5. Полупроводниковые приборы и преобразователи). Брошюра посвящена принципам построения микропроцессорных систем управления (МПСУ) вентильными преобразователями (ВП) электрической энергии. Проводится классификация систем управления ВП по виду преобразуемой энергии. Рассматриваются основные области применения ВП с МПСУ, отечественные и...
  • №95
  • 3,01 МБ
  • добавлен
  • изменен
М.: Физматлит, 2012. — 312 с. — ISBN 978-5-9221-1379-3. В книге изложены основные вопросы полупроводниковой электроники, необходимые для понимания работы современных полупроводниковых устройств. Подробно рассмотрена работа полупроводниковых приборов и базовых элементов аналоговых и цифровых схем. Для лучшего усвоения материала в начале книги приведены основные положения физики...
  • №96
  • 2,21 МБ
  • добавлен
  • изменен
М., Сов. радио, 305 стр., 1981 г. Изложены физические основы работы контакта металл — полупроводник, р—п перехода. Рассматривается физическая модель р—п перехода и контакта металл — полупроводник. Подробно анализируются вольт-амперные характеристики контакта металл — полупроводник и р—п перехода с учетом всех основных эффектов, характерных для этих контактов. Рассматриваются...
  • №97
  • 3,17 МБ
  • добавлен
  • изменен
М.: Энергоатомиздат, 1991. — 200 c. Приведены конструкции, параметры и характеристики полупроводниковых знакосинтезирующих индикаторов. А также практические схемы устройств с применением единичных, цифровых, буквенно-цифровых и матричных индикаторов. Описаны принципы и методы создания многорежимных пультов управления и конструктивно-функциональных модулей. Даны рекомендации по...
  • №98
  • 1,05 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Москва: Советское радио, 1971. — 248 с. В книге сделана попытка обобщить и систематизировать материал, связанный с принципом работы и эксплуатационными характеристиками фотоэлектрических преобразователей, широко применяемых в настоящее время в качестве источников энергопитания космических аппаратов. Излагаются физические основы фотовольтаического эффекта и применение теории для...
  • №99
  • 7,00 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебное пособие. — Белгород: Изд-во БГТУ им. В.Г.Шухова, 2006. — 184 с. В пособии рассмотрены устройство, принцип действия, характеристики и параметры дискретных полупроводниковых приборов широкого применения; описаны типовые узлы современных электронных устройств. Кроме теоретических сведений даны описания экспериментальных лабораторных работ. Учебное пособие предназначено для...
  • №100
  • 1,83 МБ
  • добавлен
  • изменен
2-е издание, переработанное и дополненное. — М.: Радио и связь, 1990 — 264 с.: ил. ISBN 5-256-00565-0. Рассмотрены физические принципы работы большинства известных полупроводниковых приборов: диодов, транзисторов, приборов с отрицательным сопротивлением с зарядовой связью, с инжекционным питанием, полупроводниковых датчиков, приборов на основе эффекта сверхпроводимости. Даны...
  • №101
  • 8,41 МБ
  • добавлен
  • изменен
Радио и связь,1990. – 264 с. ISBN: 5-256-00565-0. Рассмотрены физические принципы работы большинства известных полупроводниковых приборов: диодов, транзисторов, приборов с отрицательным сопротивлением с зарядовой связью, с инжекционным питанием, полупроводниковых датчиков, приборов на основе эффекта сверхпроводимости. Даны выводы основных теоретических соотношений,...
  • №102
  • 18,51 МБ
  • добавлен
  • изменен
Издательский дом Додэка-XXI, 2001. -384с. Представлена эволюция развития основных семейств мощных ключевых приборов. Приведены базовые структуры полупроводниковых ключей, их характеристики, методы управления и защиты. Рассмотрены основные режимы работы силовых ключей и рассмотрены особенности их применения в устройствах преобразования электрической энергии. Для специалистов,...
  • №103
  • 5,32 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
М.: Машиностроение. 1966. — 288 с. Настоящее учебное пособие написано в соответствии с утвержденной программой курса "Полупроводники и полупроводниковые приборы" для специальных средних технических учебных заведений. В книге рассказано о строении атомов и на этой основе дано описание строения твердых тел. Рассмотрены физические явления, происходящие в полупроводниках, и...
  • №104
  • 4,41 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Томск: Издательство Томского университета, 1989. — 336 с. Один из лучших известных учебников по физике полупроводниковых приборов. Рассматриваются след. вопросы: контакты металл-полупроводник; электронно-дырочные переходы; пробой p-n-перехода; гетеропереходы; перех. процессы в п/п диодах; функциональные возможности п/п диодов; диоды для усиления и генерации СВЧ-мощности;...
  • №105
  • 2,31 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Москва: ДМК Пресс, 2008. - 352 с. В книге рассмотрены задачи, методы и особенности автоматизированного лабораторного практикума с удаленным доступом (АЛП УД) по исследованию полупроводниковых приборов, приведено описание реализующей его системы АЛП УД «Электроника», в том числе входящего в ее состав аппаратно-программного комплекса (АПК) «Электроника», разработанного на основе...
  • №106
  • 5,14 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
2-е изд., перераб. и доп. - М.: Энергоиздат, 1982. - 152 с. Рассмотрены аварийные режимы силовых полупроводниковых преобразователей, приведены расчетные формулы и построены кривые мгновенных и амплитудных значений аварийных токов и их теплового воздействия на полупроводниковые приборы. Определены требования, предъявляемые к защите полупроводниковых преобразователей, описаны...
  • №107
  • 13,93 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
2-е изд., перераб. и доп. - М.: Энергоиздат, 1982. - 152 с. Рассмотрены аварийные режимы силовых полупроводниковых преобразователей, приведены расчетные формулы и построены кривые мгновенных и амплитудных значений аварийных токов и их теплового воздействия на полупроводниковые приборы. Определены требования, предъявляемые к защите полупроводниковых преобразователей, описаны...
  • №108
  • 7,37 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
М.: Техника, 1977. — 104 с. Рассмотрены причины, вызывающие нестабильность режима работы полупроводниковых усилительных элементов - транзисторов и интегральных микросхем типа операционного усилителя. Даны методы, обеспечивающие простоту и требуемую точность расчета режима усилительных элементов, в том числе в усилителях с гальваническими связями элементов. Дан анализ ряда...
  • №109
  • 2,34 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учеб. пособие. — СПб.: Изд-во Политехнического ун-та, 2009. — 80 с. Проявления неустойчивости тока в полупроводниковых структурах. Структуры с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Пространственно-распределенные бистабильные системы. Анализ устойчивости точечных бистабильных систем. Нелинейная теория распределенных S-систем. Нелинейные системы со скрытой...
  • №110
  • 10,81 МБ
  • добавлен
  • изменен
4-е, перераб. и доп. — М.: Энергия, 1977. — 744 с. В справочнике приводятся электрические параметры, предельные эксплуатационные данные и другие характеристики отечественных серийно выпускаемых полупроводниковых диодов, транзисторов, тиристоров и интегральных схем широкого применения. Справочник предназначен для широкого круга специалистов по радиотехнике и электронике,...
  • №111
  • 14,55 МБ
  • добавлен
  • изменен
М. : Советское радио, 1974. — 304 с. Книга написана известным польским специалистом в области параметрических устройств К. Грабовски. Она представляет собой обстоятельный труд по параметрическим усилителям (ПУ) и преобразователям на варакторных диодах, с очень подробным изложением теории. В ней исследованы оптимальные режимы, рассмотрены однодиодные двухчастотные схемы, получившие...
  • №112
  • 85,72 МБ
  • добавлен
  • изменен
Минск. БГУ. 2007. 222 с. В коллективной монографии представлены наиболее важные результаты достижений последних лет по основным проблемам полупроводниковой гелиоэнергетики. В издании изложены не только теоретические аспекты той или иной проблемы, но и описаны технологии получения и конструкции по-лупроводниковых солнечных элементов и действующих модулей, а также показаны...
  • №113
  • 6,38 МБ
  • добавлен
  • изменен
М.: Московский государственный институт электроники и математики, 2009. - 24 с. Кратко изложены возможности конструирования различных профилей распределения примеси методом имплантационного полиэнергетического легирования. Представлено описание программного обеспечения для расчета параметров процесса ионной имплантации в полупроводники различных примесей. Описана методика...
  • №114
  • 1,21 МБ
  • добавлен
  • изменен
М.: Московский рабочий, 1958. — 144 с. Что такое полупроводники? Для чего они нужны и почему все чаще это малознакомое слово появляется в технической литературе и в газетах? Как и где используются полупроводники? Ответы на многие подобные вопросы читатель найдет в этой брошюре. Книжка в общепонятной форме рассказывает о применении полупроводников в технике и в быту....
  • №115
  • 26,27 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Новосибирск: Новосибирский государственный технический университет, 2009. — 80 c. В третьей части учебного пособия рассмотрены наиболее важные процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Адресовано студентам, специализирующимся в области создания полупроводниковых устройств.
  • №116
  • 52,81 МБ
  • добавлен
  • изменен
Новосибирск: Новосибирский государственный технический университет, 2011.— 79 c. В четвертой части учебного пособия подробно изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на арсениде галлия, наиболее быстродействующих и широко применяемых в СВЧ-диапазоне. Рассмотрена электрофизическая модель на данный тип транзисторов и приведены практические...
  • №117
  • 60,52 МБ
  • добавлен
  • изменен
Новосибирск: Новосибирский государственный технический университет, 2014.— 418 c. В работе представлены фундаментальные понятия и уравнения физики твердого тела; дан анализ работы биполярного транзистора в режимах большого и малого сигналов. Рассмотрены процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на...
  • №118
  • 42,77 МБ
  • добавлен
  • изменен
Москва: Энергоатомиздат, 1990. — 120 с: ил. — ISBN 5-283-005534. Рассмотрены свойства, параметры и характеристики симисторов ключевых элементов, используемых в качестве переключателей и регуляторов переменного тока в бытовой электроаппаратуре. Приведены практические схемы устройств освещения, электрообогрева, электроинструмента, в которых применяются симисторы. Приводятся...
  • №119
  • 1,03 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
М.: Радио и связь, 1987. — 88 с. Приведены свойства, конструктивные особенности и основы технологии новых высокочувствительных гальваномагнитных приборов. Основное внимание уделено описанию эксплуатационных характеристик и параметров приборов, выпускаемых промышленностью. Рассмотрены наиболее важные применения магнитодиодов и магнитотранзисторов и соответствующие схемы их...
  • №120
  • 1,00 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Электронное учебное пособие / Н. М. Егоров, А. С. Глинченко, В. А. Комаров, А. В. Сарафанов. – Красноярск : ИПК СФУ, 2008. – 361с. ISBN 978-5-7638-0896-4 (пособия) Настоящее издание является частью электронного учебно-методического комплекса по дисциплине «Электроника», включающего учебную программу, конспект лекций, интерактивное электронное техническое руководство к АПК УД...
  • №121
  • 9,31 МБ
  • добавлен
  • изменен
Под общей ред. А. К. Нарышкина. Совместное советско-чешское издание. М., «Сов радио», 1977, 416 с. Излагаются сведения об источниках шума в полупроводниковых приборах, на основе которых рассматриваются методы проектирования малошумящих каскадов усиления и преобразования сигналов в приемно-усилительных и передающих трактах. Подробно разбираются шумовые свойства усилитетей в...
  • №122
  • 4,58 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
М, Мир, 1984 - 456 с. (300dpi, b/w, OCR) Монография написана известным американским специалистом в области полупроводниковой электроники. В переводе на русский язык выходит в двух книгах. Книга 1 посвящена физике биполярных приборов (диодов, транзисторов и тиристоров) и приборов на основных носителях (полевых транзисторов с p–n-переходом и барьером Шоттки). Для научных...
  • №123
  • 10,08 МБ
  • добавлен
  • изменен
М.: Мир, 1984. — 456 с. Монография написана известным американским специалистом в области полупроводниковой электроники. В переводе на русский язык выходит в двух книгах. Книга 1 посвящена физике биполярных приборов (диодов, транзисторов и тиристоров) и приборов на основных носителях (полевых транзисторов с p–n-переходом и барьером Шоттки). Для научных работников и инженеров,...
  • №124
  • 12,35 МБ
  • добавлен
  • изменен
М.: Мир, 1984. — 456 с. Монография написана известным американским специалистом в области полупроводниковой электроники. В переводе на русский язык выходит в двух книгах. Книга 2 посвящена физике приборов на туннельном эффекте и оптоэлектронных устройств (светодиодов, лазеров, фотодетекторов и солнечных батарей). Для научных работников и инженеров, работающих с области электроники...
  • №125
  • 26,52 МБ
  • добавлен
  • изменен
М.: Мир, 1984. — 456 с. (300 dpi, b/w, OCR) Монография написана известным американским специалистом в области полупроводниковой электроники. В переводе на русский язык выходит в двух книгах. Книга 2 посвящена физике приборов на туннельном эффекте и оптоэлектронных устройств (светодиодов, лазеров, фотодетекторов и солнечных батарей). Для научных работников и инженеров, работающих с...
  • №126
  • 11,00 МБ
  • добавлен
  • изменен
СПб.: БХВ-Петербург, 2014. — 327 с.: ил. ISBN 978-5 -9775-2807-8 Собрано более 350 принципиальных схем, в которых используются ЖКИ, светоизлучающие и лазерные диоды: мигалки, вспышки, бегущие огни, различные индикаторы, автомобильные тестеры, парковочный радар, тактильный датчик, игры и др. Уделено внимание теоретическим основам и ответам на часто задаваемые вопросы. Каждая схема...
  • №127
  • 11,64 МБ
  • добавлен
  • изменен
Чебоксары: Издательство Чувашского университета, 2010. - 448 с./Иванов А.Г., Белов Г.А., Сергеев А.Г. Рассматриваются принципы и системы управления и регулирования различных видов полупроводниковых преобразователей силовой электроники. Для специалистов в области силовой электроники и автоматизированного электропривода, а также студентов, магистрантов и аспирантов....
  • №128
  • 12,05 МБ
  • добавлен
  • изменен
Чебоксары: Изд-во Чуваш, ун-та, 2010. - 448 с. Рассматриваются принципы и системы управления и регулирования различных видов полупроводниковых преобразователей силовой электроники. Оглавление. введение. Системы управления и регулирования преобразователями силовой электроники. Особенности современной полупроводниковой элементной базы, классификация и примеры применения...
  • №129
  • 91,19 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Новосибирск : СибГУТИ, 2011. — 213 с. Развитие науки и техники базируется на достижениях электроники. Рассматривая историю развития электроники можно выделить несколько этапов: - этап вакуумной электроники; - этап твердотельной электроники; - этап микро и оптоэлектроники; - этап наноэлектроники. На каждом этапе разрабатывались технологические процессы, использующие свойства...
  • №130
  • 11,70 МБ
  • добавлен
  • изменен
И. П. Исаев, Ю. М. Иньков, М. А. Маричев. — М.: Энергоиздат, 1983. — 96 с. На основе теоретико-вероятностных положений рассмотрены причины нестабильности параметров силовых полупроводниковых приборов и приведена статистическая модель прибора, характеризующая показатели его работы в статических и динамических режимах. Дан анализ процесса коммутации с учетом разброса параметров...
  • №131
  • 8,58 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
М. : «Энергия», 1975. − 112 с. В книге рассмотрены процессы образования, накопления и рассеивания электростатических зарядов. Анализируются причины электризации и условия разрядов статического электричества в полупроводниковом производстве. Приводятся результаты экспериментальных исследований воздействия электростатических разрядов на структуру и элементы конструкций...
  • №132
  • 2,87 МБ
  • добавлен
  • изменен
Омск : ОмГУПС, 2016. — 103 с. В учебном пособии приведены сведения о физических основах работы полупроводниковых приборов, необходимые для понимания процессов, происходящих в полупроводниковых приборах в различных режимах работы. Материал учебного пособия изложен в соответствии с требованиями образовательного стандарта. Предназначено для студентов всех форм обучения по...
  • №133
  • 970,52 КБ
  • добавлен
  • изменен
Москва: "Радио и Связь", 1984 - 136 c. Даны общие принципы проектирования однокристальных ЗУ и основные расчетные соотношения для МДП транзисторных и ПЗС элементов памяти. Проанализированы электронные схемы (обеспечивающие выбор требуемых ячеек памяти и запись или считывание информации), сформированные на одном кристалле с запоминающими элементами, приведена методика их...
  • №134
  • 2,99 МБ
  • добавлен
  • изменен
М.: Энергоатомиздат, 1988. — 130 с. Описан новый класс полупроводниковых приборов, созданный за последние десятилетия. Изложены физические процессы, приводящие к формированию симметричных нелинейных вольт-амперных характеристик и принципы действия приборов на основе поликристаллических и аморфных полупроводников: нелинейных резисторов, переключателей элементов памяти и др....
  • №135
  • 2,88 МБ
  • добавлен
  • изменен
2-е вид. / За ред. А.Г. Соскова. — К.: Каравела, 2009. — 416 с. Розглянуто принцип дії, характеристики, параметри та області застосування електронних напівпровідникових приладів; побудову та роботу пристроїв інформаційної електроніки: підсилювачів напруги змінного та постійного струмів, імпульсних і цифрових пристроїв, виконаних на основі дискретних елементів та інтегральних...
  • №136
  • 4,98 МБ
  • добавлен
  • изменен
Навч. посіб./За ред. А.Г. Соскова. 2-е вид. - К.: Каравела, 2004.- 432с. Для студентів, які навчаються за напрямками «Електромеханіка» та «Електротехніка» Стислий зміст Фізичні основи роботи напівпровідникових приладів Напівпроводникові прилади та їх стисла характеристика Підсилювачі електричних сигналів Підсилювачі постійного струму Імпульсні пристрої Логічні елементи...
  • №137
  • 5,72 МБ
  • добавлен
  • изменен
За ред. А. Г. Соскова. 2-е вид. - К.: Каравела, 2004. - 432 с. Рекомендовано Міністерством освіти і науки України як навчальний посібник для студентів вищих навчальних закладів, які навчаються за напрямками «Електромеханіка» та «Електротехніка» (лист № 14/18.2-1266 від 14.06.2002) Розглянуто принцип дії, характеристики, параметри та області застосування електронних...
  • №138
  • 13,10 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Учебное пособие. — М.: МИФИ, 2009. — 52 c. В пособии приводится краткая классификация полупроводниковых приборов, определения режимов работы транзисторов и линейные (малосигнальные) эквивалентные схемы (схемы замещения) транзисторов в активном режиме, а также методика и примеры расчетов параметров этих эквивалентных схем. Предназначено для студентов дневного и вечернего...
  • №139
  • 644,98 КБ
  • добавлен
  • изменен
М.: Энергия, 1967. — 185 с. Описываются устройство, принцип действия, характеристики, параметры и некоторые применения четырехслойных полупроводниковых приборов. Дана теория статических характеристик и электрических переходных процессов при переключении приборов. Описаны экспериментальные исследования свойств приборов и методы измерения электрических характеристик и параметров....
  • №140
  • 2,48 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
К.: Видавничий центр "Київський університет", 2000. - 72 с. Матеріал, що міститься у даному навчальному посібнику, являє собою перший розділ загального курсуОснови радіоелектроніки, який викладається студентам радіофізичного факультету на четвертому семестрі. Цей розділ ставить за мету ознайомити студентів з роботою напівпровідникових приладів, що знаходять застосування у...
  • №141
  • 1,25 МБ
  • добавлен
  • изменен
К.: Наукова думка, 1978. - 316 с. Оглавление Биполярные генерационные процессы в структурах МДП Результаты экспериментального исследования биполярных генерационных процессов в кремниевых структурах МДП Взаимосвязь генерационных и рекомбинационных параметров структур МДП Перенос заряда и полевая генерация в диэлектриках Полевая генерация в полупроводниковой подложке...
  • №142
  • 3,83 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
М.: Радио и связь, 1982. — 137 с. Изложены основы различных химических и физико-химических методов обработки поверхности полупроводников. Описаны методы химико-механического, химико-динамического, электрохимического, фотохимического, фотоэлектрохимического и плазмохимического травления и полирования монокристаллических подложек из кремния, германия и соединений A III B V , а...
  • №143
  • 5,45 МБ
  • добавлен
  • изменен
М.: МИЭМ, 2011. - 60 с. Данное пособие предназначено для студентов, обучающихся по специальности 210104 «Твердотельная электроника и микроэлектроника», а также для магистратуры по направлению подготовки 210100 «Электроника и наноэлектроника». В пособии рассматриваются особенности пробоя реальных p-n-переходов и обсуждаются методы повышения пробивного напряжения. Список...
  • №144
  • 1,08 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебное пособия для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению подготовки 210100 «Электроника и микроэлектроника». — М.: МИЭМ, 2009. — 97 с. Данное пособие предназначено для студентов, обучающихся по направлению подготовки дипломированных специалистов 654100 – «Электроника и микроэлектроника» и ориентировано на дисциплину государственного образовательного...
  • №145
  • 1,49 МБ
  • добавлен
  • изменен
Баку, БГУ, 2003, 231 стр. Рассмотрены электрофизические процессы в реальных контактах металл – полупроводник, в приконтакной полупроводниковой области которых возникает дополнительное электрическое поле контактной разности потенциалов (поле пятен) как между микроучастками с различными высотами потенциальных барьеров на контактной поверхности, так и между контактной поверхностью и...
  • №146
  • 2,48 МБ
  • добавлен
  • изменен
Автоколебательный мультивибратор. Однотактный релаксатор. Мультивибратор как делитель частоты. Триггер. СПбГПУ, физико-технический и радио-физический факультеты. 12 стр.
  • №147
  • 500,41 КБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
3-е изд., перераб. и доп. - Таганрог, 2010. - 204 с.: ил. В книгу входят сведения о полупроводниках, о созданных на их основе современных компонентах, например, плазменных панелях, дисплеях на углеродных нанотрубках, ионисторах, биполярных транзисторах с изолированными затворами, запираемых тиристорах и прочих. Материал содержит ответы на некоторые вопросы электронной техники,...
  • №148
  • 1,87 МБ
  • добавлен
  • изменен
3-е изд. - Таганрог, 2010. - 204 с.: ил. В книгу входят сведения о полупроводниках, о созданных на их основе современных компонентах, например, плазменных панелях, дисплеях на углеродных нанотрубках, ионисторах, биполярных транзисторах с изолированными затворами, запираемых тиристорах и прочих. Материал содержит ответы на некоторые вопросы электронной техники, его отличает...
  • №149
  • 2,88 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
В 2-х книгах. — M.: Мир, 1988. — 392 с. Книга является переводом восьмого тома 11-томной серии по микроэлектронике, написанной японскими специалистами. Посвящена вопросам проектирования компьютеров па основе наиболее перспективных СБИС. Значительное внимание уделено структурным решениям построения процессоров, запоминающих устройств, систем ввода-вывода данных. Даны рекомендации...
  • №150
  • 3,74 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
В 2-х книгах. — M.: Мир, 1988. — 336 с. Книга является переводом девятого тома 11-томной серии по микроэлектронике, написанной японскими специалистами. Посвящена вопросам проектирования ЭВМ специального назначения на основе БИС и СБИС. Рассмотрены методы параллельной обработки цифровых данных, а также символьной и графической информации. Описаны способы построения баз данных и...
  • №151
  • 3,59 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Мн.: Университетское, 1989. — 368 с. — ISBN 5-7855-0045-0. Монография посвящена вопросам постановки, методам и алгоритмам решения задачи численного моделирования микроэлектронных структур. Содержит обобщающее введение в проблему получения математических моделей полупроводниковых структур, берущую свое начало в закономерностях электромагнитных процессов, выраженных уравнениями...
  • №152
  • 4,62 МБ
  • добавлен
  • изменен
М.: ДОСААФ, 1968. — 72 с. В брошюре рассматриваются некоторые наиболее употребительные полупроводниковые приборы и даются примеры их практического применения в технике и в быту. Читатель сможет познакомиться с описанием нового типа полупроводникового прибора — канальным транзистором, с основными схемами его включения. Рекомендуемые автором схемы различных электронных устройств,...
  • №153
  • 1,03 МБ
  • добавлен
  • изменен
Определение полупроводниковых приборов и принцип действия (типы проводимостей). Электронно-дырочный переход. Полупроводниковый диод, принцип действия. Транзистор, принцип действия, схемы включения транзисторов.
  • №154
  • 100,05 КБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
М.: Высшая школа, 1979, 279 с. В книге рассматриваются физические основы работы полупроводниковых приборов различных типов и классов. Приводятся основные параметры и характеристики приборов, а также принципы управления ими. Кратко рассмотрены конструктивное оформление полупроводниковых приборов, технология их изготовления и области применения. Даны также краткие сведения по...
  • №155
  • 23,41 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Москва: ДОСААФ, 1966. — 80 с. Введение. Основные типы и конструкции диодов и транзисторов. Классификация и система обозначения диодов и транзисторов. Основные характеристики и параметры диодов и транзисторов. Параметры диодов. Параметры транзисторов. Проектирование схем с полупроводниковыми приборами. Выбор типа полупроводникового прибора. Разброс параметров полупроводниковых...
  • №156
  • 727,86 КБ
  • добавлен
  • изменен
Учеб. пособие. — Харьков: Нац. аэрокосм. ун-т "Харьк. авиац. ин-т", 2004. — 62 с. Приведена структура элементной базы радио- и электронных аппаратов. Рассмотрены: функциональное назначение, основные электрические и эксплуатационные параметры, маркировка и обозначение резисторов, конденсаторов, индуктивных компонентов. Для студентов, обучающихся по направлению "Электронные...
  • №157
  • 3,63 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Основы теории p-n Перехода: Учебное пособие / В. И. Елфимов, Н. С. Устыленко. Екатеринбург: Ооо изд-во Умц упи, 2000, 55 с.
  • №158
  • 588,34 КБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Под ред. Малинина А.Ю. М.: Энергия, 1979, 88 с. Рассматриваются вопросы получения гетероэпитаксиальных структур кремния на сапфире и шпинели и формирования на их основе интегральных схем. Изложены методы выращивания кристаллов сапфира и алюмомагниевой шпинели, а также методы подготовки диэлектрических подложек к гетероэпитаксии. Рассмотрены вопросы получения монокристаллических...
  • №159
  • 35,64 МБ
  • добавлен
  • изменен
Л.: ЛДНТП. 1963, Выпуск 11, 37 с. Настоящая серия «Полупроводники», издаваемая ЛДНТП, предназначается _для инженерно-технических работников, в той или иной степени соприкасающихся в своей повседневной работе с полупроводниковыми приборами и материалами. Предпринятое третье по счету издание цикла монографий по полупроводникам служит дополнением к предыдущим сериям, изданным ЛДНТП....
  • №160
  • 1,09 МБ
  • добавлен
  • изменен
М.: Высшая школа, 1987. - 479 с. ил. Учебник для вузов по специальности «Полупроводники и диэлектрики» и «Полупроводниковые и микроэлектронные приборы». - 4-е изд., пер. и доп. Хороший и достаточно емкий материал по полупроводниковым приборам В книге рассмотрены физические процессы в полупроводниковых приборах и элементах интегральных микросхем, их основные свойства,...
  • №161
  • 2,81 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
2001 г. 5-е переработанное и исправленное издание известной книги по полупроводниковым приборам. Приведены физические свойства, конструкции, характеристики и режимы работы полупроводниковых приборов. Рассмотрены особенности применения приборов. Изложены физические основы построения моделей приборов.
  • №162
  • 8,67 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Учебник для вузов по специальности «Полупроводники и диэлектрики» и «Полупроводниковые и микроэлектронные приборы». — 4-е изд., пер. и доп. — М.: Высшая школа, 1987. — 479 с.: ил. В книге рассмотрены физические процессы в полупроводниковых приборах и элементах интегральных микросхем, их основные свойства, характеристики и параметры, конструктивно-технологические особенности...
  • №163
  • 18,26 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебник для вузов. — 6-е изд., стер. — CПб.: Лань, 2002. — 480 с.: ил. —- (Учебники для вузов. Специальная литература). — ISBN 5-8114-0368-2. В книге рассмотрены физические процессы в полупроводниковых приборах и элементах интегральных микросхем, их основные свойства, характеристики и параметры, конструктивно-технологические особенности полупроводниковых приборов в интегральном...
  • №164
  • 18,43 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебное пособие. — СПб.: Питер, 2003. — 506 с. — ISBN: 5-94723-378-9 Книга рекомендованная УМО по образованию в области радиотехники, электроники, биомедицинской и автоматизации. Содержит в себе массу сведений о всех основных типах радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), а так же описания принципа физических процессов протекающих в них. Содержание глав. Предисловие. Введение....
  • №165
  • 3,91 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Учебное пособие. — СПб.: Питер, 2003. — 506 с. ISBN: 5-94723-378-9 Современный научно-технический прогресс неразрывно связан с расширением масштабов применения радиотехнических систем и систем телекоммуникаций. Составной частью этих систем является радиоэлектронная аппаратура (РЭА), содержащая огромное количество радиокомпонентов, для изготовления которых используются...
  • №166
  • 5,05 МБ
  • добавлен
  • изменен
М.: Наука, 1965.- 448 с. В книге изложены теория контактных явлений и принципы работы приборов. Для того чтобы лучше уяснить эти физические принципы и иметь возможность провести все расчеты, не отсылая читателя к оригинальным работам, в книге рассматриваются наиболее простые модели, позволяющие более четко выделить основные явления и получить окончательные формулы в простом...
  • №167
  • 4,58 МБ
  • добавлен
  • изменен
Ленинград: Наука, 1968. — 58 с. Работа содержит новую систематизированную методику расчета полупроводниковых термоохлаждающих устройств, основанную на использовании специальных номограмм и графиков, облегчающих и значительно ускоряющих процесс расчета по сравнению с обычным аналитическим методом. Представленные номограммы и графики могут применяться также для теоретического...
  • №168
  • 642,02 КБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Л.: Наука, 1969, 206 с. В книге рассматриваются вопросы расчета и проектирования термоохлаждающих устройств. Значительное внимание уделяется изучению влияния конструктивных и технологических факторов на эффективность и надежность термобатарей. Теоретические исследования дополняются примерами конкретных расчетов и данными практических испытаний термоохлаждающих устройств....
  • №169
  • 2,24 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
М.: Энергия, 1979г. - 168с. В книге изложены физические основы деформационных эффектов в однородных полупроводниках и полупроводниковых приборах. Даны формулы для расчета чувствительности этих приборов к давлению. Проведены расчеты зонной структуры деформированных полупроводников для разных видов деформаций.
  • №170
  • 2,36 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
М.: Энергия, 1978. — 176 с. Книга посвящена одному из перспективных направлений микроэлектроники — полупроводниковым интегральным запоминающим устройствам на МДП структурах. В книге рассмотрены общие принципы организации полупроводниковых интегральных ЗУ и основные характеристики элементов ЗУ на МДП структурах, различные типы запоминающих элементов, используемых для построения...
  • №171
  • 1,96 МБ
  • добавлен
  • изменен
КПУ(Запорожье), 4 курс, 7стр. ,
  • №172
  • 26,93 КБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Описан полный курс по ПП. Все описано подробно и понятно. Включает главы: Механизмы проводимости твердых тел; Контактные явления; биполярные и полевые транзисторы. Приведено много диаграмм и описаний.
  • №173
  • 1,92 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Перев.: В. Климов, В. Пальянов - М.: Наука, 1983. - 362 стр. В книге кратко излагаются теоретические основы ионной имплантации. Описаны различные методы исследования имплантированных слоев, оборудование и технология ионного легирования. Рассмотрены проблемы, связанные с пассивацией и локализацией р-n-структуры. Приведены примеры использования ионной имплантации для создания...
  • №174
  • 6,47 МБ
  • добавлен
  • изменен
М.: Радио и связь, 210 стр., 1982 г. Изложены физические основы работы контакта металл — полупроводник. Рассматривается физическая модель контакта металл — полупроводник. Подробно анализируются вольт-амперные характеристики контакта металл — полупроводник. Рассматриваются эквивалентная схема и параметры контактов. Особое внимание уделяется омическим контактам металл—...
  • №175
  • 2,42 МБ
  • добавлен
  • изменен
Москва: Энергоатомиздат, 1987. — 184 с.: ил. Изложены принципы построения различных типов полупроводниковых преобразователей средней мощности, содержащих транзисторные или тиристорные звенья повышенной частоты. Рассмотрены электромагнитные процессы в типовых схемах, описаны энергетические характеристики преобразователей, принципы регулирования и некоторые вопросы взаимодействия...
  • №176
  • 2,56 МБ
  • добавлен
  • изменен
Honeywell Inc., 126 pages. Table of contents: Hall Effect Sensing; Hall Effect Sensors; Magnetic Considerations; Electrical Considerations; Hall-based Sensing Devices; Applying Hall-effect Sensing Devices; Application Examples.
  • №177
  • 1,50 МБ
  • добавлен
  • изменен
М.: Знание, 1990,-64 с. Серия "Радиоэлектроника и связь", №7. В брошюре представлен анализ методов синтеза полупроводниковых аналогов реактивностей (индуктивностей,емкостей, трансформаторов) используемых разработчиками радиоэлектронной аппаратуры. Подробно рассмотрен широкий класс управляемых аналогов индуктивности, выполненных в интегральном исполнении. Рассмотрены...
  • №178
  • 1,89 МБ
  • добавлен
  • изменен
М.: ЮРАЙТ Высшее образование, 2009 год. 463 стр. Рассмотрены базовые полупроводниковые приборы современной микроэлектроники и физические процессы, обеспечивающие их работу. Анализируются статические, частотные и импульсные характеристики приборов, рассматриваются методы схемотехнического моделирования приборов и приводятся их эквивалентные схемы. Рассмотрены предельные параметры...
  • №179
  • 6,23 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Л.: ЛДНТП. 1964, Выпуск 13, 37 с. Выпуск 13. Гальваномагнитные приборы используются в различных устройствах автоматики, в устройствах для регистрации механических перемещений, в бесконтактных механических переключателях, в преобразователях постоянного тока в переменный, для измерения магнитного поля, для бесконтактного измерения токов и др. устройствах. Введение. Влияние...
  • №180
  • 1,03 МБ
  • добавлен
  • изменен
М.: Наука, 2007. - 220 с. - ISBN: 9785020361195. (Качество: хорошее, 600 dpi, OCR, bookmark) В книге систематически изложены основные результаты, полученные авторами в следующих областях: временной анализ цифровых КМОП-схем с учетом логических ограничений, статистический временной анализ; логический и логико-временной анализ помехоустойчивости цифровых КМОП-схем, алгоритмы...
  • №181
  • 2,07 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
4-е издание, переработанное и дополненное. — М.: Энергия, 1977. — 672 с. с ил. В книге проводятся анализ и расчет основных типов транзисторных усилителей, импульсных схем и источников питания. Анализу схем предшествует рассмотрение физических процессов в полупроводниковых диодах и транзисторах и характеристик диодов и транзисторов в качестве схемных элементов. Существенно...
  • №182
  • 8,77 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
4-е издание, переработанное и дополненное. — М.: Энергия, 1977. — 672 с. с ил. В книге проводятся анализ и расчет основных типов транзисторных усилителей, импульсных схем и источников питания. Анализу схем предшествует рассмотрение физических процессов в полупроводниковых диодах и транзисторах и характеристик диодов и транзисторов в качестве схемных элементов. Существенно...
  • №183
  • 119,99 МБ
  • добавлен
  • изменен
Москва; Ленинград: Государственное энергетическое издательство, 1963. — 377 с. Книга посвящена анализу и расчету основных типов транзисторных усилителей, импульсных схем и источников питания. Анализу схем предшествует подробное рассмотрение физических процессов в полупроводниковых диодах и транзисторах и их характеристик в качестве схемных элементов. Книга предназначена для...
  • №184
  • 125,85 МБ
  • добавлен
  • изменен
М. : Советское радио, 1973. — 248 с. Книга написана в соответствии с утвержденной программой курса «Полупроводниковые приборы» для средних специальных технических учебных заведений. В ней рассмотрены принципы работы наиболее распространенных полупроводниковых приборов и физические процессы, определяющие их характеристики. Приведены конструкции, основные электрические параметры и...
  • №185
  • 3,18 МБ
  • добавлен
  • изменен
Брянск, ЗАО НТЦ СИТ, 2011, 16 с. Других данных нет. Микросхема 1182ПМ1 является новым решением проблемы регулировки мощности в классе высоковольтных мощных электронных схем. Благодаря уникальной технологии возможно применение ИС для сети переменного тока до 230В, при этом необходимо минимальное количество внешних элементов. Непосредственное применение ИС - для плавного...
  • №186
  • 665,64 КБ
  • добавлен
  • изменен
Алматы: Қазақ университеты 2010. — 116 б. — ISBN 9965-30-958-2. Оқу-әдістемелік құралы «Қатты дене физикасы», «Материалтану және жаңа материалдар технологиясы», «Техникалық физика» мамандыктары бойынша білім алып жатқан студенттерге арналған. Оқу-әдістемелік құралын жартылай өткізгіш материалдар мен жартылай өткізгіштен жасалған аспаптарды оқып-үйрену кезінде басқа мамаңдыктардың...
  • №187
  • 3,91 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебное пособие. — Казань: Казан. ун-т, 2015. — 262 с. Излагаются физические процессы в полупроводников, физика электрических переходов, рассматриваются математические модели, параметры и характеристики полупроводниковых диодов, биполярных и полевых транзисторов, элементы интегральных схем на биполярных и полевых транзисторах, особенности их применения в аналоговой и цифровой...
  • №188
  • 4,09 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебное пособие. — М.: МИЭТ, 2011. — 172 с. Представлены ключевые аналитические соотношения и задачи по расчету параметров и характеристик полупроводниковых приборов, принцип работ которых базируется на механизмах инжекции и переноса неосновных носителей заряда (диодов и биполярных бездрейфовых и дрейфовых транзисторов), а также приборов на основе контакта...
  • №189
  • 55,07 МБ
  • добавлен
  • изменен
Пер. с немецкого под ред. А.Г.Алексенко. — М.: Мир, 1982. — 512 с. В книге приведены параметры и описана структура полупроводниковых приборов и интегральных микросхем с различной степенью интеграции. Изложены принципы построения и методы расчета основных схем автоматики, радиоэлектроники и вычислительной техники. Для специалистов в области электронной и вычислительной...
  • №190
  • 6,54 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
12-ое издание в 2 томах. — М.: ДМК Пресс, 2008. — 942 с. — ISBN 5-94074-148-7. Книга Ульриха Титце и Кристофа Шенка «Полупроводниковая схемотехника» представляет собой фундаментальный труд, объединяющий принципы устройства полупроводниковых элементов (диоды, биполярные и полевые транзисторы, интегральные микросхемы) и основы создания из этих элементов различных функциональных...
  • №191
  • 43,55 МБ
  • добавлен
  • изменен
12-ое издание в 2 томах. — М.: ДМК Пресс, 2009. — 942 с. — ISBN 5-94074-148-7. Книга Ульриха Титце и Кристофа Шенка «Полупроводниковая схемотехника» представляет собой фундаментальный труд, объединяющий принципы устройства полупроводниковых элементов (диоды, биполярные и полевые транзисторы, интегральные микросхемы) и основы создания из этих элементов различных функциональных...
  • №192
  • 65,67 МБ
  • добавлен
  • изменен
Нижний Новгород, 2004, НГТУ. 62 стр. Содержание. Введение. Полупроводниковые диоды. Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы. Тиристоры. Интегральные микросхемы. Цифровые интегральные микросхемы. Элементы оптоэлектроники. Практические занятия.
  • №193
  • 63,69 КБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Учебное пособие. — М.: МАДИ (ГТУ), 2007. Учебное пособие содержит краткий обзор истории изучения полупроводниковых материалов и возникновения полупроводниковых приборов, а также вычислительной техники. В нем рассмотрены модели кристаллической и энергетической структур полупроводниковых материалов, энергетические состояния в кристаллах полупроводников, зонная структура, виды...
  • №194
  • 1,18 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Москва: Энергоатомиздат, 1990. — 576 с. Приведены физические свойства, характеристики и режимы работы полупроводниковых приборов, применяемых в устройствах промышленной электроники. Рассмотрены особенности применения приборов. Изложены физические основы построения моделей предельных режимов эксплуатации, методов управления и защиты полупроводниковых приборов. Для студентов вузов,...
  • №195
  • 14,32 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
М.: Энергоатомиздат, 1990. - 576 с. Для студентов вузов, обучающихся по специальности «Промышленная электроника» В книге приведены физические свойства, характеристики и режимы работы полупроводниковых приборов, применяемых в устройствах промышленной электроники. Рассмотрены особенности применения приборов. Изложены физические основы построения моделей предельных режимов...
  • №196
  • 21,58 МБ
  • добавлен
  • изменен
Куйбышев : Куйбышев. кн. изд-во, 1973. — 96 с. В настоящее время в электронных устройствах, в частности, разрабатываемых для целей автоматизации производства, используется множество разнообразных схемных решений. Поэтому автор сосредоточил внимание не на расчете конкретных схем, а на изложении сущности методов, служащих основой для самостоятельных расчетов разнообразных...
  • №197
  • 19,96 МБ
  • добавлен
  • изменен
Москва: Советское радио, 1975. — 104 с.: ил. — (Советско-венгерская библиотека по радиоэлектронике). Рассмотрены физические и технические проблемы и направления полупроводниковой электроники. Оцениваются перспективы использования различных физических эффектов (барьера Шоттки, доменной неустойчивости и т.д.) для создания полупроводниковых дискретных и интегральных приборов. В...
  • №198
  • 2,99 МБ
  • добавлен
  • изменен
Книга. — Москва: Издательство "Знание", 1969. — 80 с. В предлагаемой брошюре сделана попытка кратко изложить физические процессы и основные принципы схемного использования наиболее интересных полупроводниковых приборов, появившихся после транзистора. В силу фрагментарности и сжатости изложения, явившегося в значительной степени следствием ограниченного объёма брошюры, ни в коей...
  • №199
  • 3,05 МБ
  • добавлен
  • изменен
Перевод на русский язык: инж. Миллер Б. В. — Прага: Государственное издательство технической литературы, 1960. — 571 с. В первой части книги приведен обзор теории полупроводников с точки зрения представлений физики твердой фазы, так как мы имели в виду на этой основе указать на реальные возможности и на принципиальное ограничение новых кристаллических приборов. При этом...
  • №200
  • 13,52 МБ
  • добавлен
  • изменен
М: Металлургия, 1986 г., пер. с англ. под ред. С. С. Горелика Рассмотрены структура и классификация аморфных полупроводников, электронное строение, структурные дефекты и примеси, оптические и электрические свойства, оптически стимулированные явления в халькогенидных стеклах. Приведены данные о выращивании и свойствах аморфных гидридов кремния. Показаны области применения аморфных...
  • №201
  • 4,45 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Издательство: Ленинградский электротехнический институт связи. 1968. — 197 С. Полупроводниковыми приборами называются приборы, действие которых основано на использовании свойств полупроводников. Они подразделяются на электропреобразовательные полупроводниковые приборы, предназначенные для преобразования электрических величин в другие электрические величины, фотоэлектрические...
  • №202
  • 2,09 МБ
  • добавлен
  • изменен
Издательство: Ленинградский электротехнический институт связи. 1968. — 197 С. Полупроводниковыми приборами называются приборы, действие которых основано на использовании свойств полупроводников. Они подразделяются на электропреобразовательные полупроводниковые приборы, предназначенные для преобразования электрических величин в другие электрические величины, фотоэлектрические...
  • №203
  • 5,28 МБ
  • добавлен
  • изменен
Томск: Издательский Дом Томского государственного университета, 2016. — 258 с. — ISBN 978-5-94621-556-5 Монография является обобщением результатов обширных исследований структур и приборов на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами, проводимых в Томском государственном университете, Сибирском физико-техническом институте и Научно-исследовательском институте...
  • №204
  • 5,07 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебно пособие. — София: Нови знания, 2007. — 295 с. Учебникът е предназначено за студенти от Технически университет - София- специалности - електроника, телекомуникации, компютърни системи и управление и автоматика. В учебника са дадени основни сведения за физиката на полупроводниците и PN прехода. Разгледани са физицеските принципи на действие, устрои.йството, параметрите,...
  • №205
  • 15,47 МБ
  • добавлен
  • изменен
Ленинград: ЛДНТП, Институт полупроводников АН СССР, 1957. — 63 с. — (Полупроводники. Выпуск 3). Введение. Основные параметры и характеристики термосопротивлений. Термосопротивления в современной технике. Промышленные типы термосопротивлений. Заключение. Литература.
  • №206
  • 861,28 КБ
  • добавлен
  • изменен
М.: Государственное издательство физико-математической литературы, 1958. — 150 с. — (Физико-математическая библиотека инженера). Брошюра предназначена для ознакомления инженерно-технических работников с характеристиками и параметрами термосопротивлений, особенностями работы их в схемах и возможностями, открывающимися в результате использования термосопротивлений при решении...
  • №207
  • 4,24 МБ
  • добавлен
  • изменен
Автор книги - Атанас Иванов Шишков, Издание: 5, Издатель - Деликом, 2004, ISBN - 9549042723, 9789549042726, Количество страниц - Всего страниц: 475 Можно ли понимать процесы в полупроводниковой технике и оптимально использоват элементы (диоды, транзисторы и т.д.) посредством их каталожные данны, изпользуя менше формулы и тежелые вычисления? Положительны ответ на этом вопросе...
  • №208
  • 5,22 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебное пособие для вузов. 2-е изд., исправленное. Чебоксары: Изд-во Чуваш, ун-та, 2001. 378 с. Рассматриваются структура, энергетические зоны и электропроводность полупроводников, технологические процессы выращивания монокристаллов кремния, теория p-n-перехода и методы его изготовления, основные типы полупроводниковых приборов, элементы полупроводниковых и гибридных...
  • №209
  • 87,71 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Учебное пособие. Самара: Изд-во "Самарский университет", 2003 г. 155 с.: ил. Соответствует программе курса "Полупроводниковая электроника". Содержит последовательное изложение теоретических основ электроники твердого тела. Цель книги − дать студенту начальную базу в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов. Основное внимание при изложении материала...
  • №210
  • 1,13 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
В этом разделе нет файлов.

Комментарии

в разделе Полупроводниковые приборы #
У кого-нибудь есть Лебедев А.И. Физика полупроводниковых приборов, М., Физматлит, 2008.
в разделе Полупроводниковые приборы #
Книга выложена в разделе "Полупроводниковые приборы".
в разделе Полупроводниковые приборы #
Помогите найти
Ступельман Полупроводниковые приборы
в разделе Полупроводниковые приборы #
У кого есть мадам Трудко "Методы расчетов транзисторов"?Уже весь инет перерыла,выложите пожалуйста!
в разделе Полупроводниковые приборы #
Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. 1977 DJVU
Степаненко И. П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. Издание 4е переработанное и доп. М., "Энергия" 1977. 672 стр.
в разделе Полупроводниковые приборы #
Спасибо, но это не то. У Трудко идут именно расчеты транзисторов. Слава богу, прокатила летом левая курсовая...
В этом разделе нет комментариев.