Магистерская выпускная работа "Зарядовые явления в МДП-структурах в составе IGBT".
МЭИ ТУ, 2007г., Кафедра "Микроэлектроника и полупроводниковые приборы", направление "Силовые полупроводниковые приборы".
Работа содержит 102 стр.
Идеальная МДП-структура.
Приповерхностная область пространственного заряда.
Ёмкость ОПЗ.
Характеристики идеальной МДП-структуры.
Реальная...
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций, доц. В. М. Малышев, Санкт-Петербург, 2016, 80 с. Цель работы - разработка принципиальной схемы корреляционно- импульсного измерителя источников низкочастотного ДБШ на основе результатов моделирования отдельных блоков. В процессе работы была рассмотрена структурная...
Магістерська дисертація Спеціальность 8.090804 Фізична та біомедична електроніка. Київ, КПИ, 2011, 72 с., 4 розділи, 15 ілюстрацій, 9 джерел в переліку посилань. На русском.
Метою даної роботи є реалізація у середовищі MatLab7.0 програми самоузгодженого моделювання електронних процесів у квантовій ямі та виявлення впливу процесу самоузгодження на результати моделювання. У...
МФТИ, Черноголовка, 2009. 22с.
Работа состоит из разделов:
Введение и постановка задачи.
Литературный обзор.
Технология изготовления экспериментальных образцов.
Экспериментальная установка.
Экспериментальные результаты.
Выводы.
Литература.
Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. 1977 DJVU Степаненко И. П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. Издание 4е переработанное и доп. М., "Энергия" 1977. 672 стр.
Комментарии
Ступельман Полупроводниковые приборы
Степаненко И. П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. Издание 4е переработанное и доп. М., "Энергия" 1977. 672 стр.