Зарегистрироваться
Восстановить пароль
FAQ по входу

Выложенные файлы

  • Страницы:
  • 1
  • Всего: 6
New York: Electronics division, The electrochemical society, Inc., 1969. — 360 p. Physics of interfaces semiconductors, ohmic contacts to classical semiconductors and wide-band-gap semiconductors, multilevel metalization systems for silicon integrated circuits.
  • №1
  • 7,70 МБ
  • добавлен
  • изменен
М.: ФИЗМАТЛИТ, 2011. — Фрагмент стр. 156-192 (глава 4) (всего 648 с.). Монография посвящена систематическому изложению свойств, методов синтеза и возможностей применения пористого кремния, нанокремния и композитных материалов на их основе. Подробно изложены методы получения нанокристаллического кремния и проведен их сравнительный анализ. Описаны электронные и оптические...
  • №2
  • 513,33 КБ
  • добавлен
  • изменен
Мн.: Изд. центр БГУ., 2004 г., 531 стр., ISBN: 985-476-251-3 В монографии рассмотрены физические процессы, вызывающие нагрев кремниевых пластин в результате их облучения импульсами когерентного и некогерентного света. Приведены расчеты температурных полей и термических напряжений, возникающих в кремниевых пластинах при такой обработке, их влияние на параметры исходных...
  • №3
  • 20,18 МБ
  • добавлен
  • изменен
Oxford University Press, New York, 1988 - 252 p. This book deals with the basic science of such contacts, and discusses the electrical properties that are relevant to semiconductor technology. Topics covered include the mechanism of formation oi Schottky barriers, the current-voltage relationship, the capacitance of rectifying contacts, and practical methods of fabricating...
  • №4
  • 131,11 МБ
  • добавлен
  • изменен
Киев: Наук. думка, 1984. - 232 с. Рассмотрены физические механизмы формирования различных фотоэффектов в приповерхностных областях полупроводников и слоистых структур на их основе. Изложены последовательный метод теоретического анализа физических механизмов неравновесных процессов в приповерхностных слоях полупроводников. Описаны теоретические и экспериментальные исследования...
  • №5
  • 4,19 МБ
  • добавлен
  • изменен
1967 Книга предназначена для физиков, химиков и металлургов, исследующих свойства полупроводниковых материалов, а также для инженеров, занимающихся технологией изготовления полупроводниковых приборов.
  • №6
  • 17,08 МБ
  • добавлен
  • изменен
Нет выложенных файлов.
  • Страницы:
  • 1
  • Всего: 6