Зарегистрироваться
Восстановить пароль
FAQ по входу

Физические основы электроники (ФОЭ)

Теги, соответствующие этому тематическому разделу

Файлы, которые ищут в этом разделе

Доверенные пользователи и модераторы раздела

Boca Raton: CRC Press, 2015. — 432 p. Soft errors are a multifaceted issue at the crossroads of applied physics and engineering sciences. Soft errors are by nature multiscale and multiphysics problems that combine not only nuclear and semiconductor physics, material sciences, circuit design, and chip architecture and operation, but also cosmic-ray physics, natural radioactivity...
  • №1
  • 64,37 МБ
  • добавлен
  • изменен
Edward Arnold, 1973. — 360 p. This book has been written to provide an introduction to those parts of physical electronics which are currently of most interest to electronic engineers and physicists. The level we have aimed at is that of the second- and third-year University courses in electronic engineering, and the examinations of the Institute of Physics, the Institute of...
  • №2
  • 14,44 МБ
  • добавлен
  • изменен
CRC Press, Taylor & Francis Group, 2017. — 545 p. — ISBN-13 978-1-138-03271-2. The primary focus of this book is on basic device concepts, memory cell design, and process technology integration. The first part provides in-depth coverage of conventional nonvolatile memory devices, stack structures from device physics, historical perspectives, and identifies limitations of...
  • №3
  • 42,42 МБ
  • добавлен
  • изменен
Boca Raton: CRC Pres, 2017. — 545 p. The primary focus of this book is on basic device concepts, memory cell design, and process technology integration. The first part provides in-depth coverage of conventional nonvolatile memory devices, stack structures from device physics, historical perspectives, and identifies limitations of conventional devices. The second part reviews...
  • №4
  • 12,39 МБ
  • добавлен
  • изменен
4th ed. — CreateSpace Independent Publishing Platform, 2017. — 288 p. — ISBN 9781543138849, 1543138845. This book introduces programmers to 64 bit Intel assembly language using the Microsoft Windows operating system. The book also discusses how to use the free integrated development environment, ebe, designed by the author specifically to meet the needs of assembly language...
  • №5
  • 7,46 МБ
  • добавлен
  • изменен
New York: Springer, 2017. — 106 p. This book focuses on two specific areas related to fractional order systems – the realization of physical devices characterized by non-integer order impedance, usually called fractional-order elements (FOEs); and the characterization of vegetable tissues via electrical impedance spectroscopy (EIS) – and provides readers with new tools for...
  • №6
  • 4,54 МБ
  • добавлен
  • изменен
New York: Springer, 2013. — 278 p. In Physical Unclonable Functions in Theory and Practice, the authors present an in-depth overview of various topics concerning PUFs, providing theoretical background and application details. This book concentrates on the practical issues of PUF hardware design, focusing on dedicated microelectronic PUF circuits. Additionally, the authors discuss...
  • №7
  • 7,80 МБ
  • добавлен
  • изменен
Wiley-VCH, 2010. — 576 p. — ISBN: 978-3-527-40915-0. This textbook is intended for students as well as professional scientists and engineers interested in the next generation of electronics and, in particular, in the opportunities and challenges introduced by surfaces and interfaces. As electronics technology improves with higher speed, higher sensitivity, higher power, and...
  • №8
  • 7,76 МБ
  • добавлен
  • изменен
John Wiley & Sons, 2016. — 310 p. — ISBN-10 111902711X. An Essential Guide to Electronic Material Surfaces and Interfaces is a streamlined yet comprehensive introduction that covers the basic physical properties of electronic materials, the experimental techniques used to measure them, and the theoretical methods used to understand, predict, and design them. Starting with the...
  • №9
  • 9,88 МБ
  • добавлен
  • изменен
Boca Raton: Pan Stanford, 2012. — 444 p. This book covers one of the most important device architectures that have been widely researched to extend the transistor scaling: FinFET. Starting with theory, the book discusses the advantages and the integration challenges of this device architecture. It addresses in detail the topics such as high-density fin patterning, gate stack...
  • №10
  • 16,74 МБ
  • добавлен
  • изменен
New York: Springer, 2017. — 578 p. This book is dedicated to field emission electronics, a promising field at the interface between “classic” vacuum electronics and nanotechnology. In addition to theoretical models, it includes detailed descriptions of experimental and research techniques and production technologies for different types of field emitters based on various...
  • №11
  • 13,98 МБ
  • добавлен
  • изменен
World Scientific Publishing Co. Re. Ltd., 1996. – 768p. – ISBN: 9810223870. Providing an introduction to the principles of semiconductor physics, this text links its scientific aspects with practical applications. It is addressed to both readers who wish to learn semiconductor physics and those seeking to understand semiconductor devices. Intended as a teaching vehicle, the book...
  • №12
  • 34,02 МБ
  • добавлен
  • изменен
InTech, 2011, —546p Silicon carbide (SiC) is an interesting material that has found application in a variety of industries. The two best known applications of this material are its use as an abrasive material and its more recent use as a wide band gap semiconductor for high power, high temperature electronic devices. The high hardness of this material, known for many years, led...
  • №13
  • 44,15 МБ
  • добавлен
  • изменен
New York: Springer, 2017. — 257 p. This book describes a new type of passive electronic components, called fractal elements, from a theoretical and practical point of view. The authors discuss in detail the physical implementation and design of fractal devices for application in fractional-order signal processing and systems. The concepts of fractals and fractal signals are...
  • №14
  • 3,50 МБ
  • добавлен
  • изменен
2nd ed. — Springer, 2010. — 900 p. ISBN: 3642138837 The Physics of Semiconductors provides material for a comprehensive upper-level-undergraduate and graduate course on the subject, guiding readers to the point where they can choose a special topic and begin supervised research. The textbook provides a balance between essential aspects of solid-state and semiconductor physics,...
  • №15
  • 36,61 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Springer-Verlag, Berlin, 2006, 689 pages, ISBN: 354025370X Brings the reader to an overview of the subject as a whole and to the point where they can specialize and enter supervised laboratory research. Provides a balance between aspects of solid state and semiconductor physics and the concepts of various semiconductor devices and their applications in electric and photonic...
  • №16
  • 16,34 МБ
  • добавлен
  • изменен
Academic Press, 2001. — 964 p. — ISBN 978-0123106759. Low Temperature Electronics: Physics, Devices, Circuits, and Applications summarizes the recent advances in cryoelectronics starting from the fundamentals in physics and semiconductor devices to electronic systems, hybrid superconductor-semiconductor technologies, photonic devices, cryocoolers and thermal management....
  • №17
  • 50,79 МБ
  • добавлен
  • изменен
Oxford: Oxford University Press, 2013. — 288 p. This book, which provides an introduction to the field of nanoelectronics, explains the physical phenomena that take place in nanoelectronic structures and explains how these phenomena are accessed in measurements. The emphasis is on phenomena taking place at low temperatures, where thermal noise cannot completely suppress the...
  • №18
  • 16,40 МБ
  • добавлен
  • изменен
New York: Pearson, 2009. — 354 p. Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits, First Edition introduces readers to the world of modern semiconductor devices with an emphasis on integrated circuit applications. KEY TOPICS: Electrons and Holes in Semiconductors; Motion and Recombination of Electrons and Holes; Device Fabrication Technology; PN and Metal–Semiconductor...
  • №19
  • 15,83 МБ
  • добавлен
  • изменен
New York : Nova Science Publishers, Inc., 2009. — 103 p. During the last few years, copper has become the standard metallization material for on-chip interconnects in high-performance microprocessors. Compared to the previously used aluminum, copper shows not only a lower resistivity, but also significantly improved electromigration resistance. Copper ions, however, are very...
  • №20
  • 1,71 МБ
  • добавлен
  • изменен
4th Edition. — McGraw-Hill Education, 2018. — 992 p. — ISBN 978-0-07-802818-2. Principles of Electronic Materials and Devices is one of the few books in the market that has a broad coverage of electronic materials that today's scientists and engineers need. The general treatment of the textbook and various proofs leverage at a semiquantitative level without going into detailed...
  • №21
  • 23,61 МБ
  • добавлен
  • изменен
McGraw-Hill; 3rd edition, 2006, 834 pages, ISBN: 0072957913 The third edition includes new topics and extended sections, such as diffusion, conduction in thin films, interconnects in microelectronics, electromigration, Stefan's radiation law, field emission from carbon nanotubes, piezoresistivity, amorphous semiconductors, solar cells, LEDs, Debye relaxation, giant...
  • №22
  • 114,27 МБ
  • добавлен
  • изменен
New York: Springer, 2016. — VII, 235 p. — ISBN 978-981-10-0724-8. Presents the multidisciplinary approach that is instrumental to fully understand the field of single-molecule electronics; Discusses state-of-the-art topics including single-molecule spectro-electrical methods, electrochemical DNA sequencing technology, and single-molecule chemical reactions; Appeals to a broad...
  • №23
  • 8,56 МБ
  • добавлен
  • изменен
New York: Springer, 2016. — VII, 235 p. — ISBN 978-981-10-0724-8. Presents the multidisciplinary approach that is instrumental to fully understand the field of single-molecule electronics; Discusses state-of-the-art topics including single-molecule spectro-electrical methods, electrochemical DNA sequencing technology, and single-molecule chemical reactions; Appeals to a broad...
  • №24
  • 3,61 МБ
  • добавлен
  • изменен
Wiley-IEEE Press, 2014. — 400 p. A comprehensive introduction and up-to-date reference to SiC power semiconductor devices covering topics from material properties to applications Based on a number of breakthroughs in SiC material science and fabrication technology in the 1980s and 1990s, the first SiC Schottky barrier diodes (SBDs) were released as commercial products in...
  • №25
  • 8,81 МБ
  • добавлен
  • изменен
N-Y., McGraw-Hill, 1995, 677 p. Semiconductor devices, the basic components of integrated circuits, are responsible for the rapid growth of the electronics industry over the past fifty years. Because there is a growing need for faster and more complex systems for the information age, existing semiconductor devices are constantly being studied for improvement, and new ones are...
  • №26
  • 4,18 МБ
  • добавлен
  • изменен
John Wiley & Sons, Ltd, 2017. — 203 p. — ISBN-10: 1119246296 Research into Tunneling Field Effect Transistors (TFETs) has developed significantly in recent times, indicating their significance in low power integrated circuits. This book describes the qualitative and quantitative fundamental concepts of TFET functioning, the essential components of the problem of modelling the...
  • №27
  • 4,61 МБ
  • добавлен
  • изменен
InTech. 2011. 558 p. Silicon Carbide (SiC) and its polytypes, used primarily for grinding and high temperature ceramics, have been a part of human civilization for a long time. The inherent ability of SiC devices to operate with higher efficiency and lower environmental footprint than silicon-based devices at high temperatures and under high voltages pushes SiC on the verge of...
  • №28
  • 53,14 МБ
  • добавлен
  • изменен
3rd ed. — New-York: McGraw-Hill Higher Education, 2003. — 565 р. Deals with the electrical properties and characteristics of semiconductor materials and devices. The goal of this book is to bring together quantum mechanics, the quantum theory of solids, semiconductor material physics, and semiconductor device physics in a clear and understandable way. Contents: Prologue...
  • №29
  • 16,04 МБ
  • добавлен
  • изменен
3rd Edition. — The McGraw-Hill Companies, Inc., 2003. — 567 p. — ISBN 0071198628. The purpose of the third edition of this book is to provide a basis for understanding the characteristics, operation, and limitations of semiconductor devices. In order to gain this understanding, it is essential to have a thorough knowledge of the physics of the semiconductor material. The goal...
  • №30
  • 31,44 МБ
  • добавлен
  • изменен
4th Edition. – The McGraw-Hill Companies, Inc., 2014. – 784 p. – ISBN: 0072321075 The purpose of the fourth edition of this book is to provide a basis for understanding the characteristics, operation, and limitations of semiconductor devices. In order to gain this understanding, it is essential to have a thorough knowledge of the physics of the semiconductor material. The goal...
  • №31
  • 13,95 МБ
  • добавлен
  • изменен
Wiley-IEEE Press, 2017. — 471 p. — ISBN 1119107350, 978-1119107354. Describes the physical effects (quantum, tunneling) of MOS devices. Demonstrates the performance of devices, helping readers to choose right devices applicable to an industrial or consumer environment Addresses some Ge-based devices and other compound-material-based devices for high-frequency applications and...
  • №32
  • 7,45 МБ
  • добавлен
  • изменен
Springer Science+Business Media, Dordrecht, 2016. — 350 p. — (Topics in Applied Physics. Volume 131) — ISBN: 9789402408393 This book provides comprehensive coverage of the materials characteristics, process technologies, and device operations for memory field-effect transistors employing inorganic or organic ferroelectric thin films. This transistor-type ferroelectric memory...
  • №33
  • 17,54 МБ
  • добавлен
  • изменен
ITexLi, 2017. —180 p. — ISBN 9535131761. This book was designed to overview some of the concepts regarding field-effect transistors (FET) that are currently used as well as some concepts that are still being developed. In 1959, Atalla and Kahng at Bell Labs produced the first successful field-effect transistor (FET), which had been long anticipated by other researchers by...
  • №34
  • 16,53 МБ
  • добавлен
  • изменен
John Wiley & Sons, Ltd, UK, 2016. – 440 p. – ISBN: 1118514572 The development of semiconductor devices began a little more than a century ago, with the discovery of the electrical conductivity of ionic solids. Today, solid state technologies form the background of the society in which we live. The aim of this book is threefold: to present the background physical chemistry on...
  • №35
  • 14,05 МБ
  • добавлен
  • изменен
Springer International Publishing, Switzerland, 2017. — 346 p. — ISBN: 3319315943 This book presents the state-of-the art of one of the main concerns with microprocessors today, a phenomenon known as "dark silicon". Readers will learn how power constraints (both leakage and dynamic power) limit the extent to which large portions of a chip can be powered up at a given time,...
  • №36
  • 11,98 МБ
  • добавлен
  • изменен
Oxford University Press, New York, 1988 - 252 p. This book deals with the basic science of such contacts, and discusses the electrical properties that are relevant to semiconductor technology. Topics covered include the mechanism of formation oi Schottky barriers, the current-voltage relationship, the capacitance of rectifying contacts, and practical methods of fabricating...
  • №37
  • 131,11 МБ
  • добавлен
  • изменен
2nd edition. — New York: Springer, 2017. — 935 p. This textbook describes the basic physics of semiconductors, including the hierarchy of transport models, and connects the theory with the functioning of actual semiconductor devices. Details are worked out carefully and derived from the basic physical concepts, while keeping the internal coherence of the analysis and explaining...
  • №38
  • 5,59 МБ
  • добавлен
  • изменен
Hoboken: Wiley, 2015. — 263 p. Spintronics (short for spin electronics, or spin transport electronics) exploits both the intrinsic spin of the electron and its associated magnetic moment, in addition to its fundamental electronic charge, in solid-state devices. Controlling the spin of electrons within a device can produce surprising and substantial changes in its properties....
  • №39
  • 10,54 МБ
  • добавлен
  • изменен
CRC Press, 2016. — 292 p. — ISBN 9781498767132. During the last decade, there has been a great deal of interest in TFETs. To the best authors’ knowledge, no book on TFETs currently exists. The proposed book provides readers with fundamental understanding of the TFETs. It explains the interesting characteristics of the TFETs, pointing to their strengths and weaknesses, and...
  • №40
  • 2,73 МБ
  • добавлен
  • изменен
3rd edition. Wiley-Interscience, 2006. - xv, 781 p. Contents Resistivity Carrier and Doping Density Contact Resistance and Surface Barriers Series Resistance, Channel Length and Width, and Threshold Voltage Defects Oxide and Interface Trapped Charge, Oxide Thickness Carrier Lifetimes Mobility Charge-Based and Probe Characterization Optical Characterization...
  • №41
  • 12,05 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Wien; New York: Springer, 1984. — 307 p. Introduction Some Fundamental Properties Process Modeling The Physical Parameters Analytical Investigations About the Basic Semiconductor Equations The Discretization of the Basic Semiconductor Equations The Solution of Systems of Nonlinear Algebraic Equations The Solution of Sparse Systems of Linear Equations A Glimpse on Results Author...
  • №42
  • 12,39 МБ
  • добавлен
  • изменен
Wiley-VCH Verlag & Co. KGaA, 2013. - 484 Pages. ISBN: 3527329781. На англ. языке. With its comprehensive coverage this handbook and ready reference brings together some of the most outstanding scientists in the field to lay down the undisputed knowledge on how to make electronics stretchable. As such, it focuses on gathering and evaluating the materials, designs, models and...
  • №43
  • 8,71 МБ
  • добавлен
  • изменен
Wiley-VCH, 2013. — 484 p. — ISBN 3527329781. On a daily basis, our requirements for technology become more innovative and creative and the field of electronics is helping to lead the way to more advanced appliances. This book gathers and evaluates the materials, designs, models, and technologies that enable the fabrication of fully elastic electronic devices that can tolerate high...
  • №44
  • 9,22 МБ
  • добавлен
  • изменен
Pearson, 2016. — 621 p. Solid State Electronic Devices is intended for undergraduate electrical engineering students or for practicing engineers and scientists interested in updating their understanding of modern electronics One of the most widely used introductory books on semiconductor materials, physics, devices and technology, Solid State Electronic Devices aims to: 1)...
  • №45
  • 14,84 МБ
  • добавлен
  • изменен
Dordrecht: Springer Science+Business Media, 1997. — XI, 482 p. — ISBN 978-90-481-4857-8; ISBN 978-94-015-8921-5 (eBook). Many dynamical systems in physics, chemistry and biology exhibit complex behaviour. The apparently random motion of a fluid is the best known example. How ever also vibrating structures, electronic oscillators, magnetic devices, lasers, chemical oscillators, and...
  • №46
  • 17,29 МБ
  • добавлен
  • изменен
Boca Raton, USA: CRC Press, 2019. — 357 p. — (Devices, Circuits, and Systems). — ISBN-10 1138587982. The book addresses the need to investigate new approaches to lower energy requirement in multiple application areas and serves as a guide into emerging circuit technologies. It explores revolutionary device concepts, sensors, and associated circuits and architectures that will...
  • №47
  • 64,88 МБ
  • добавлен
  • изменен
Boca Raton, USA: CRC Press, 2019. — 357 p. — (Devices, Circuits, and Systems). — ISBN-10 1138587982. The book addresses the need to investigate new approaches to lower energy requirement in multiple application areas and serves as a guide into emerging circuit technologies. It explores revolutionary device concepts, sensors, and associated circuits and architectures that will...
  • №48
  • 13,13 МБ
  • добавлен
  • изменен
New York: Morgan & Claypool, 2017. — 151 p. Exa-scale computing needs to re-examine the existing hardware platform that can support intensive data-oriented computing. Since the main bottleneck is from memory, we aim to develop an energy-efficient in-memory computing platform in this book. First, the models of spin-transfer torque magnetic tunnel junction and racetrack memory are...
  • №49
  • 2,20 МБ
  • добавлен
  • изменен
The Institution of Electrical Engineers, UK, 2002. — 200 p. — (EMIS Processing Series 02) — ISBN 0852969988. Silicon carbide (SiC) is a wide bandgap semiconductor whose properties make it suitable for for devices and integrated circuits operating at high voltage, high frequency and high temperature. The second book in the EMIS Processing series explains why SiC is so useful in...
  • №50
  • 11,53 МБ
  • добавлен
  • изменен
Springer International Publishing, Switzerland, 2016. — 217 p. — ISBN 3319316516. This book provides a single-source reference to the state-of-the art in tunneling field effect transistors (TFETs). Readers will learn the TFETs physics from advanced atomistic simulations, the TFETs fabrication process and the important roles that TFETs will play in enabling integrated circuit...
  • №51
  • 8,52 МБ
  • добавлен
  • изменен
Springer International Publishing, Switzerland, 2016. — 192 p. — ISBN 3319316516. This book provides a single-source reference to the state-of-the art in tunneling field effect transistors (TFETs). Readers will learn the TFETs physics from advanced atomistic simulations, the TFETs fabrication process and the important roles that TFETs will play in enabling integrated circuit...
  • №52
  • 4,19 МБ
  • добавлен
  • изменен
М.: Высшая школа, 1984. — 320 с. Учебное пособие для студентов вузов специальностей электронной техники. Содержание. Основные явления при взаимодействии ускоренных электронов и ионов с твёрдым телом. Движение ускоренных электронов в веществе. Образование радиационных дефектов при облучении ионами. Изменение электрических свойств твердых тел в результате ионной...
  • №53
  • 4,38 МБ
  • добавлен
  • изменен
М.: Высшая школа, 1984. — 320 с. Уч. пособие для студентов вузов специальностей электронной техники. Содержание. Основные явления при взаимодействии ускоренных электронов и ионов с твердым телом. Движение ускоренных электронов в веществе. Образование радиационных дефектов при облучении ионами. Изменение электрических свойств твердых тел в результате ионной бомбардировки....
  • №54
  • 3,32 МБ
  • добавлен
  • изменен
Под ред. Т.М. Агаханяна. — М.: Энергоатомиздат, 1989. — 256 с. ISBN 5-283-02963-8 Представлены основы теории взаимодействия ионизирующих излучений с материалами электронной техники. Приведены модели поведения элементов ИМ С в полях ионизирующих излучений. Рассмотрены особенности вторичных ионизационных эффектов - радиационного "Защелкивания", радиационно-индуцированного...
  • №55
  • 3,15 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебное пособие. Томск, ТГУСУР, 2007, 139 с. Авторы: А.И. Аксенов, А.Ф. Злобина,Н.Г. Панковец, Д.А. Носков Электронными приборами называют устройства, принцип действия которых основан на явлениях, связанных при движении электронов в вакууме, в газовой среде и в твердом теле. В зависимости от среды, в которой протекают основные процессы, электронные приборы подразделяются на...
  • №56
  • 1,97 МБ
  • добавлен
  • изменен
Пособие для студентов учреждения высшего образования, обучающихся по специальности «Физика (по направлениям)». — Гомель: ГГУ им. Ф. Скорины, 2014. — 92 с. Целью пособия является оказание помощи студентам специализации «Физическая метрология и автоматизация эксперимента» в овладении физическими основами электроники, теоретическими аспектами физики твердого тела, физическими...
  • №57
  • 3,33 МБ
  • добавлен
  • изменен
Андреев В.В., Балмашнов А.А., Корольков В.И., Лоза О.Т., Милантьев В.П. Учеб. пособие. М.: РУДН, 2008. – 383 с. В пособии изложены основные разделы современной физической электроники. Книга носит междисциплинарный характер и находится на стыке различных областей современной физики. Содержание пособия направлено на приобретение студентами глубоких и современных знаний о...
  • №58
  • 4,91 МБ
  • добавлен
  • изменен
М.: Радио и связь, 1988. — 272 с. Рассматриваются устройство, характеристики, параметры и области применения электронных приборов. Приводятся элементы расчета схем, а также электрические схемы цифровых и аналоговых вычислительных устройств, используемых в системах автоматики. Излагаются основы микропроцессорной базы, ее состав, характеристики и области применения. Описываются...
  • №59
  • 4,59 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебное пособие. М.: МИФИ, 2008. 48 с. Пособие содержит три самостоятельных раздела: «Эффекты в полупроводниковых ИС при воздействии импульсного ионизирующего излучения», «Описание моделирующей установки АРСА», а также «Лабораторная работа», целью которой является изучение радиационных эффектов при воздействии ИИИ на БИС ОЗУ К53РУ6, К132РУ5 и К541РУ 1. Лабораторная работа по...
  • №60
  • 1,21 МБ
  • добавлен
  • изменен
Москва: Наука, 1985. — 320 с. Посвящена систематическому подробному изложению линейной теории стационарных электронных явлений переноса в полупроводниках. Излагаются как классическая, так и квантовая теории и термомагнитных эффектов. Рассмотрены различные реальные модели зон: произвольная изотропная и анизотропная непараболическая зоны. Учтено увлечение носителей тока фононами в...
  • №61
  • 5,99 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Владивосток. Издательство: LAP. 2014. — 314 с. ISBN: 978-3-659-52152-2 Справочное пособие посвящено созданию математических моделей вольт-амперных характеристик полупроводниковых и вакуумных приборов. Приведены выводы уравнений вольт-амперных характеристик. СОДЕРЖАНИЕ Введение Исследование вакуумного диода. Решение задачи. Новая физика электронных приборов. Физика и...
  • №62
  • 3,37 МБ
  • добавлен
  • изменен
Владивосток. Издательство: LAP. 2014. — 314 с. ISBN: 978-3-659-52152-2 Справочное пособие посвящено созданию математических моделей вольт-амперных характеристик полупроводниковых и вакуумных приборов. Приведены выводы уравнений вольт-амперных характеристик. СОДЕРЖАНИЕ Введение Исследование вакуумного диода. Решение задачи. Новая физика электронных приборов. Физика и...
  • №63
  • 4,24 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебное пособие. — Ульяновск: УлГТУ, 2006. — 115 с. Учебное пособие предназначено для студентов, обучающихся по специальности 21020165 "Проектирование и технология радиоэлектронных средств". В пособие включены такие разделы, как основы квантовой механики, основы физики твердого тела, основы квантовых статистик, основы физики полупроводников. Пособие представляет собой...
  • №64
  • 1,02 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Ульяновск: УлГТУ, 2006. - 61 с. Учебное пособие предназначено для студентов, обучающихся по специальности 21040665 "Сети связи и системы коммутации", 21040465 "Многоканальные телекоммуникационные системы". В пособие включены такие разделы, как переходы в полупроводниках и полупроводниковых структурах, физика полупроводниковых оптоэлектронных приборов, основы физики...
  • №65
  • 980,24 КБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
М.: Физматлит, 2006. — 424 c. В книге изложены основные физические явления и закономерности, лежащие в основе технологических методов и процессов, используемых в производстве современных электронных приборов и интегральных микросхем. Изложение материала построено так, чтобы дать читателю возможность самостоятельно сформировать общие физико-технологические представления путем...
  • №66
  • 3,07 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Москва: Физматлит, 2008. — 424 с. — ISBN 978-5-9221-0679-5. В книге изложены основные физические явления и закономерности, лежащие в основе технологических методов и процессов, используемых в производстве современных электронных приборов и интегральных микросхем. Изложение материала построено так, чтобы дать читателю возможность самостоятельно сформировать общие...
  • №67
  • 2,98 МБ
  • добавлен
  • изменен
СПб.: Лань, 2001. — 272 с. Современная электроника как научно-техническое направление имеет дело с исследованием и техническим применением физических явлений в материальны средах с заряженными частицами - в вакууме, плазме и твердом теле для создания разнообразных электронных приборов и устройств. Изучение физических закономерностей, положенных в основу принципа действия...
  • №68
  • 8,76 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Учебное пособие. — Томск: Томский политехнический университет, 2008. — 143 с. Пособие посвящено физическим основам электронной эмиссии и основным направлениям практического использования эмиссии заряженных частиц из твердого тела в вакууме. Рассматриваются фундаментальные вопросы границы раздела металл-вакуум, основные типы эмиссии и примеры их практического использования....
  • №69
  • 3,31 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебное пособие. — Томск: Томский политехнический университет, 2008. — 115 с. Пособие содержит курс лекций, в котором рассмотрены основы динамики заряженных частиц в электрическом и магнитном поле, физические процессы, происходящие при генерации и транспортировке интенсивных электронных пучков, вопросы магнитной изоляции высоковольтных вакуумным промежутков и передающих линий, а...
  • №70
  • 2,17 МБ
  • добавлен
  • изменен
Беляев А.Е., Бессолов В.Н., Болтовец Н.С., Жиляев Ю.В., Кладько В.П., Конакова Р.В., Кучук А.В., Саченко А.В., Шеремет В.Н. — Киев: Наукова Думка, 2016. — 258 с. В монографии систематизированы и обобщены результаты по особенностям технологии объёмных нитридгаллиевых слоев на сапфировых и карбидкремниевых подложках, физико-технологических, модельных и теоретических исследований...
  • №71
  • 3,31 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебное пособие. - Челябинск, ЮУрГУ, 2010. – 96 с. Рассмотрены методы формирования тонких плёнок. Описаны особенности формирования тонких плёнок термовакуумным, ионным, молекулярно-лучевой эпитаксией, химическими и электрохимическими методами. Учебное пособие предназначено для студентов физического и приборостроительного факультетов, а также может быть полезно аспирантам и...
  • №72
  • 1,27 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Учеб. пособие / Пермский. гос. техн. ун-т. - Пермь, 2003. - 158 с. ISBN5-88151-173-5 Рассмотрены физические основы проводимости полупроводников, физика полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, основные свойства, характеристики и параметры распространенных полупроводниковых приборов. Кратко рассмотрены технологические вопросы получения полупроводниковых приборов и...
  • №73
  • 3,16 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Курс лекций. — Пермь: Пермский государственный технический университет, 2000. — 130 c. Курс лекций предназначен для студентов специальностей "Автоматизация техноло-гических процессов", "Электронная вычислительная техника". Развитие электроники Основные свойства электронных приборов Физические основы проводимости полупроводников Количественные соотношения в физике полупроводников...
  • №74
  • 1,22 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
М.: МГГУ, 1999. — 291 c. Рассмотрены основные вопросы физики полупроводников, описаны элементная база и современные устройства промышленной электроники, элементы импульсной и цифровой схемотехники. Приведены методики и основные расчетные соотношения для анализа работы элементов и отдель­ных устройств электроники, в конце каждой главы даны контрольные во­просы. В пособии приведен...
  • №75
  • 11,36 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебное пособие для вузов. — 2-е издание, стереотипное. — Москва: Издательство Московского государственного горного университета, 2003. — 290 с. — ISBN 5-7418-0130-7. Рассмотрены основные вопросы физики полупроводников, описаны элементная база и современные устройства промышленной электроники, элементы импульсной и цифровой схемотехники. Приведены методики и основные расчетные...
  • №76
  • 3,31 МБ
  • добавлен
  • изменен
Науч.-исслед. ин-т полупроводниковых приборов (АО "НИИПП"). — Томск : Издательский Дом Томского государственного университета, 2016. — 528 с. Монография предлагает анализ сложившихся представлений по основным вопросам физики контактов металл – полупроводник с барьером Шоттки с широким привлечением различных моделей. Представлены также собственные взгляды автора по дискуссионным...
  • №77
  • 10,05 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебное пособие.- М.: Издательство МФТИ, 1982.- 83 с. Данное учебное пособие по курсу "Основы вакуумной электроники предназначено для студентов третьего курса факультета физической и квантовой электроники МФТИ в соответствии с учебным планом их подготовки по специальности 0631 - автоматика и электроника. Все виды электронной и ионной эмиссии изложены в едином методическом стиле...
  • №78
  • 3,10 МБ
  • добавлен
  • изменен
Пер. с англ. — М.: Мир, 1985. — 496 с. В книге американских специалистов изложены физические принципы основных технологических процессов современной (на 1985 год) микроэлектроники, включая субмикронную литографию, сухое травление, лазерный и электронно-лучевой отжиг. Рассмотрены перспективы совершенствования технологии и фундаментальные ограничения на дальнейшее развитие...
  • №79
  • 20,97 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Пер. с англ. — М.: Мир, 1985. — 496 с. В книге американских специалистов изложены физические принципы основных технологических процессов современной (на 1985 год) микроэлектроники, включая субмикронную литографию, сухое травление, лазерный и электронно-лучевой отжиг. Рассмотрены перспективы совершенствования технологии и фундаментальные ограничения на дальнейшее развитие...
  • №80
  • 6,17 МБ
  • добавлен
  • изменен
М. Физматлит. 1962. 136 с. Введение Стационарный тепловой поток в проводящем стрежне Термоэлектрическое охлаждение Термоэлектрический подогрев Термоэлектрические генераторы
  • №81
  • 1,42 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Воронеж : Издательский дом ВГУ, 2016. — 120 с. Учебно-методическое пособие подготовлено на кафедре физики полупроводников и микроэлектроники физического факультета Воронежского государственного университета. Рекомендуется для слушателей Президентской программы повышения квалификации инженерных кадров «Приборно-технологическое проектирование компонентной базы микро- и...
  • №82
  • 2,85 МБ
  • добавлен
  • изменен
М.: Наука. Главная редакция физико-математической литературы, 1990 (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). — 216 с. — ISBN 5-02-014023-6. Рассмотрены процессы образования дефектов в кристаллическом кремнии. Дан анализ микроструктуры дефектов, приведены сведения об энергетическом спектре локальных электронных состояний, связанных с различными типами дефектов объеме и...
  • №83
  • 3,01 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
М.: Советское радио, 1973. — 228 с. Приведены теоретические и экспериментальные сведения об источниках шума в современных приборах: лазерах, полевых и биполярных транзисторах, диодах с барьером Шоттки. Детально рассмотрены тепловые, генерационно-рекомбинационные, дробовые, фликкерные, взрывные шумы и шумы токораспределения этих приборов. Предисловие. Введение....
  • №84
  • 3,14 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
СПб.: Лань, 2013. — 368 с. В пособии приводятся элементарные сведения из физики твердого тела и физики поверхности, необходимые для понимания процессов взаимодействия частиц с поверхностью твердого тела. Подробно рассматриваются механизмы термоэлектронной эмиссии, эмиссии электронов, вызываемой наличием сильных электрических полей, фотоэлектронной и вторичной электронной эмиссии,...
  • №85
  • 10,34 МБ
  • добавлен
  • изменен
СПб.: Лань, 2013. — 368 с. В пособии приводятся элементарные сведения из физики твердого тела и физики поверхности, необходимые для понимания процессов взаимодействия частиц с поверхностью твердого тела. Подробно рассматриваются механизмы термоэлектронной эмиссии, эмиссии электронов, вызываемой наличием сильных электрических полей, фотоэлектронной и вторичной электронной эмиссии,...
  • №86
  • 13,87 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебно-методическое пособие. — СПб.: СПбГУ, 2007. — 187 с. Содержание Введение Модель металла Зоммерфельда Химический потенциал Работа выхода электрона Поляризационная часть работы выхода Растекание электронного газа Эффект сглаживания электронного газа Влияние внешнего электрического поля на работу выхода металла Влияние периодичности решетки на электронные...
  • №87
  • 2,01 МБ
  • добавлен
  • изменен
М. : Московский технический университет связи и информатики, 2016. — 67 c. Данное учебное пособие содержит общие сведения об электрических свойствах веществ и контактов различных материалов, используемых в электронике, описание принципов работы и характеристик структур на их основе, а также основные принципы моделирования электронных элементов. Настоящее пособие полезно для...
  • №88
  • 43,59 МБ
  • добавлен
  • изменен
Курс лекций / Новосиб. гос. ун-т. Новосибирск, 2009. — 192 с. Учебное пособие включает лекции по обязательному одноименному курсу, читаемому для студентов отделения информатики физического факультета Нгу и предназначено для студентов 4 курса кафедр Афти и Фти. Так как современная микроэлектроника – это полупроводниковая микроэлектроника, примерно половина курса посвящена...
  • №89
  • 1,75 МБ
  • добавлен
  • изменен
Монография / Под ред. чл.-корр. РАН А.С. Сигова. - М.: Энергоатомиздат, 2011.- 175 с. ил. Скан 600 dpi + OCR В книге рассмотрено современное состояние и перспективы развития нового поколения устройств приема, обработки и хранения информации на основе интеграции сегнетоэлектрических материалов с технологиями современной микроэлектроники. Книга содержит анализ перспективных...
  • №90
  • 2,52 МБ
  • добавлен
  • изменен
Томск: Изд-во НТЛ, 2012. — 112 с. — ISBN 978-5-89503-491-0 В книге рассматриваются физические принципы работы полупроводниковых газовых сенсоров на основе тонких пленок металлооксидных полупроводников, кремниевых МОП-структур и туннельных МОП-диодов. Представлен детальный анализ механизмов воздействия окислительных и восстановительных газов на электрические характеристики...
  • №91
  • 1,52 МБ
  • добавлен
  • изменен
2-е пер. испр. и доп. изд. - Томск, 2000. — 456 с. Отличный учебник по физике полупроводниковых приборов. Рассматриваются след. вопросы: контакты металл-полупроводник; электронно-дырочные переходы; пробой p-n-перехода; гетеропереходы; перех. процессы в п/п диодах; электронные процессы в МДП-структурах; ПЗС системы; туннельные МДП-диоды; аналоговые транзисторы; функциональные...
  • №92
  • 6,21 МБ
  • добавлен
  • изменен
2-е пер. испр. и доп. изд. — Томск, 2000. — 456 с. Очень хороший учебник по физике полупроводниковых приборов. Рассматриваются след. вопросы: контакты металл-полупроводник; электронно-дырочные переходы; пробой p-n-перехода; гетеропереходы; перех. процессы в п/п диодах; электронные процессы в МДП-структурах; ПЗС системы; туннельные МДП-диоды; аналоговые транзисторы; функциональные...
  • №93
  • 5,74 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Москва, государственное издательство физико-математической литературы, 1960 год, 516 страниц Книга разделена на две части. В первой части излагаются физические основы электроники, т. е. описание и теория явлений, имеющих важное значение для работы электровакуумных и полупроводниковых приборов. Вторая часть содержит физические основы действия электровакуумных и полупроводниковых...
  • №94
  • 36,63 МБ
  • добавлен
  • изменен
Москва. Государственное издательство физико-математической литературы, 1960. — 516 с. Книга разделена на две части. В первой части излагаются физические основы электроники, т. е. описание и теория явлений, имеющих важное значение для работы электровакуумных и полупроводниковых приборов. Вторая часть содержит физические основы действия электровакуумных и полупроводниковых...
  • №95
  • 35,80 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебное пособие. — Москва; Костанай: 2003. — 274 с. — ISBN 9965-9273-2-4. Радиационная технология полупроводников в настоящее время заняла ведущее место в общей технологии микроэлектроники благодаря возможности прецизионного воздействия и управления свойствами. В настоящее время уже хорошо изучены физические процессы, связанные с воздействием радиации на материалы и ее влиянием на...
  • №96
  • 7,48 МБ
  • добавлен
  • изменен
Томск: Изд-во Томского политехнического университета, 2009. - 128 с. Конспект лекций включает в себя следующие основные разделы: Физические основы работы полупроводниковых приборов. Полупроводниковые диоды. Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы. Тиристоры. Оптоэлектронные полупроводниковые приборы. Классификация и обозначения полупроводниковых приборов.
  • №97
  • 7,67 МБ
  • добавлен
  • изменен
М. Наука. 1985. 233 с. Теория явлений переноса и методы их исследования в полупроводниковых пленках Влияние технологии получения пленок термоэлектрических материалов на их свойства Исследование электро- и теплофизических свойств термоэлектрических пленок Пленочные термобатареи и их использование в метрологии
  • №98
  • 6,28 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
М.: Наука, Главная редакция физико-математической литературы, 1972. — 320 с. В монографии подробно обсуждаются явления переноса, а также оптические и резонансные явления, которые в анизотропных материалах со сложной зонной структурой (каковыми являются Bi 2 Te 3 и твердые растворы на его основе) имеют ряд существенных особенностей. Большое внимание уделено общим вопросам...
  • №99
  • 5,68 МБ
  • добавлен
  • изменен
М.: Атомиздат, 1971. — 120 с. В книге рассмотрено влияние ионизирующих излучений на электрофизические характеристики материалов, используемых для изготовления радиодеталей. Основное внимание уделяется теоретическим и экспериментальным исследованиям характера изменения параметров материалов в условиях импульсного и непрерывного y- и нейтронного излучений. Приведены результаты...
  • №100
  • 3,39 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебное пособие. — Томск: Томский политехнический университет, 2013. — 172 с. В пособии изложены краткие теоретические сведения об электрических сигналах, их параметрах и формах представления. Приведены сжатые технические описания типовых профессиональных контрольно-измерительных приборов (КИП) с рекомендациями по их практическому применению при выполнении электрических измерений...
  • №101
  • 2,44 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебное пособие. Моск. гос. ин-т электроники и математики. М., 2006, 36с. В пособии изложены физические основы процессов ионно-плазменного нанесения тонких пленок. Рассмотрены разновидности процесса ионно-плазменного и плазмохимического нанесения пленок. Кратко рассмотрено ионно-лучевое осаждение металлических и алмазоподобных углеродных пленок. Пособие предназначено для...
  • №102
  • 592,49 КБ
  • добавлен
  • изменен
М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2012.— 352 с. Скан 600 dpi + OCR Изучение нелинейных явлений в многокомпонентных гетерогенных системах, находящихся в аморфном, нано- и микрокристаллическом состояниях, способствует установлению физической природы многих происходящих в них явлений и совершенствованию существующих теоретических положений, а следовательно, и разработке новых...
  • №103
  • 5,18 МБ
  • добавлен
  • изменен
М.: БИНОМ, Лаборатория знаний, 2012. — 352 с. Изучение нелинейных явлений в многокомпонентных гетерогенных системах, находящихся в аморфном, нано- и микрокристаллическом состояниях, способствует установлению физической природы многих про-исходящих в них явлений и совершенствованию существующих теоретических положений, а следовательно, и разработке новых материалов, обладающих...
  • №104
  • 10,53 МБ
  • добавлен
  • изменен
Москва: Наука, 1966. — 564 с. В научной литературе нет книг, охватывающих все вопросы эмиссионной электроники на достаточно современном уровне. В то же время потребность в такой монографии ощущают многие специалисты, работающие в области физической и технической электроники. С момента выхода в 1950 г. книги проф. Л. Н. Добрецова «Электронная и ионная эмиссия» появились и...
  • №105
  • 8,93 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебно-методический комплекс для студентов специальности «Моделирование и компьютерное проектирование радиоэлектронных средств». — Новополоцк: ПГУ, 2006. — 192 с. Рассмотрены физические эффекты, основные физико-химические процессы и закономерности сплошных сред, широко использующиеся при проектировании, производстве и эксплуатации современной микроэлектронной аппаратуры....
  • №106
  • 1,78 МБ
  • добавлен
  • изменен
Под ред. Д. В.3ернова. М.: Государственное издательство физико-математический литературы, 1958. 274 с. В книге собраны и обобщены результаты теоретических и экспериментальных работ в области звтоэлектронной эмиссии. Для инженеров и научных работников, занимающихся электроникой, а также будет полезна для студентов старших курсов и аспирантов, специализирующихся в этой области....
  • №107
  • 6,05 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
М.: Советское радио, 1971. — 376 с. В книге рассмотрены: элементы квантовой механики и статистической физики; основы физики твердого тела, контактные и поверхностные явления в твердом теле, необходимые при изучении курса микроэлектроники. Книга является учебным пособием по курсу Физические основы микроэлектроники, предназначенным для студентов специальности Конструирование и...
  • №108
  • 4,37 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Учебно - методическое пособие. — Самара: Изд-во Самар, гос. аэрокосм. ун-та, 2008. — 84 с. ISBN 978-5-7883-0662-9 В пособии изложены теоретические положения и физико-технические методы анализа параметров физических сред и элементов конструкций, используемых в конструкторско-технологической практике создания микроэлектронных устройств. Приведен большой круг задач и упражнений по...
  • №109
  • 4,32 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебное пособие. — Челябинск: Южно-Уральский государственный университет (ЮУрГУ), 2018. — 54 с. Пособие предназначено для студентов физического факультета по направлению подготовки «Электроника и наноэлектроника» 11.03.04 и 11.04.04. Оно содержит работы, посвященные физико-химическим основам технологии электронных средств. В нём изложены план коллоквиума, цели работы, основные...
  • №110
  • 1,24 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебное пособие. — СПб.: СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2002. — 56 с. — ISBN 5-7629-0474-1. Рассмотрены основные понятия и закономерности в области электродных явлений и мембранного транспорта, а также принципы работы и конструкции сенсоров на основе МДП-транзисторов. Рекомендуется студентам, обучающимся по специальности 200100 "Микроэлектроника и твердотельная электроника" и магистрантам...
  • №111
  • 1,56 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Томск: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 2017. — 307 с. В учебном пособии рассматриваются физико-химические основы технологических процессов производства электронных средств. Основное внимание уделяется рассмотрению теоретических закономерностей в процессах, связанных с современными методами формирования микроэлектронных структур: процессам...
  • №112
  • 4,36 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебное пособие для студентов физических и технических специальностей. — Петрозаводск : Издательство ПетрГУ, 2016. — 54 с. В пособии рассмотрены основные процессы в тонкопленочных структурах, которые широко применяются в современной электронике и микроэлектронике как в дискретных элементах, так и в интегральных схемах, в т.ч. флэш-памяти, ФПЗС и т.д. Пособие издано для поддержки...
  • №113
  • 1,69 МБ
  • добавлен
  • изменен
Йошкар-Ола: Марийский государственный технический университет, 2010. – 272 с. Представлены базовые понятия квантовой механики, статической физики, физики полупроводников и полупроводниковых приборов, контактные и поверхностные явления и другие фундаментальные положения, необходимые при изучении курса «Физические основы микроэлектроники» и близких ему курсов. Показаны перспективы...
  • №114
  • 7,54 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Учебное пособие. – Йошкар-Ола: Марийский государственный технический университет, 2010. – 272 с. Представлены базовые понятия квантовой механики, статической физики, физики полупроводников и полупроводниковых приборов, контактные и поверхностные явления и другие фундаментальные положения, необходимые при изучении курса «Физические основы микроэлектроники» и близких ему курсов....
  • №115
  • 3,00 МБ
  • добавлен
  • изменен
Санкт-Петербург, СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2002 - 80с Взаимодействие ионных потоков с твердым телом. Тормозная способность и пробег ионов. Торможение ионов и распыление твердотельной мишени. Торможение ионов и ионная имплантация. Метод резерфордовского обратного рассеяния (РОР). Исследование начальных стадий роста пленок методом РОР. Рентгеновское излучение, возбуждаемое...
  • №116
  • 13,24 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебник для вузов. — М.: Высшая школа, 1972. — 636 с. Издание поможет студенту не только усвоить и оперативно повторить учебный материал перед сдачей зачета и экзамена, но и качественно подготовиться к семинарским занятиям, на- писать курсовую и дипломную работу. Содержание учебно-методического комплекса полностью соответствует требованиям государственного образовательного...
  • №117
  • 6,25 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Учебно-методическое пособие предназначено для студентов факультета Высоких технологий ЮФУ. В нем рассмотрены вопросы сегнетоэлектрической поляризации. Описано явление диэлектрического гистерезиса, как основного критерия сегнетоэлектричества. Изложены особенности исследования характеристик сегнетоматериалов по петлям диэлектрического гистерезиса на частоте 50 Гц. Проведен анализ...
  • №118
  • 204,78 КБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
М. - Энергия, 1972 г., 528 стр. В книге рассмотрены не только приборы дугового несамостоятельного и самостоятельного разрядов, но и все разновидности приборов тлеющего разряда. Рассмотрены общие закономерности, на которых базируются физические свойства и характеристики рассмотренных классов приборов. Книга рассчитана на использование ее в качестве учебного пособия на...
  • №119
  • 10,26 МБ
  • добавлен
  • изменен
Новосибирск : СибГУТИ, 2007. — 89 с. Микроэлектроника – область электроники, объединяющая комплекс физических, радиотехнических и технологических проблем, направленных на создание сложных электронных схем для обработки и передачи информации, выполненных интегрально на едином основании, заключенном в корпус. Фактически микросхемы создаются на отдельном кристалле – чипе, как...
  • №120
  • 933,42 КБ
  • добавлен
  • изменен
Москва: Государственное издательство технико-теоретической литературы, 1954. — 464 с. Предлагаемая читателю книга написана как учебник, соответ­ствующий курсу «Электроника» на радиофизическом отделении университета, и содержит изложение лекций, читаемых в течение ряда лет её автором, с дополнениями, соответствующими совре­менному состоянию электроники. В соответствии с программой...
  • №121
  • 6,92 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебное пособие. М.: МИФИ, 2009. 52 c. В пособии приводится краткая классификация полупроводниковых приборов, определения режимов работы транзисторов и линейные (малосигнальные) эквивалентные схемы (схемы замещения) транзисторов в активном режиме, а также методика и примеры расчетов параметров. этих эквивалентных схем. Предназначено для студентов дневного и вечернего...
  • №122
  • 1,41 МБ
  • добавлен
  • изменен
Монография. — Минск: Наука и техника, 1986. — 254 с. В монографии обобщены результаты исследований советских и зарубежных ученых, полученные при изучении воздействия проникающей радиации на интегральные микросхемы и их элементы. Рассматриваются радиационные нарушения в интегральных микросхемах на основе биполярных и униполярных транзисторов, при этом учитываются как радиационные...
  • №123
  • 3,12 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Москва "Недра" 1984 Учебник для вузов. Изложены теории непрерывных электронных и импульсных цепей, основы преобразовательной техники; описано использова-ние средств вычислительной техники в системах управления и применение электронных устройств в задачах автоматизации и электрификации горных работ. Во втором издании (1-е изд. — 1973) приведены сведения о микроэлектронике,...
  • №124
  • 22,73 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Ярославль : ЯрГУ, 2009 - 137 c.— ISBN 978-5-8397-0663-7 "Пособие посвящено анализу строения различных веществ, электронных и ионных процессов в вакууме, газах, на поверхности раздела между твердыми телами и вакуумом или газом, в нем рассмотрены элементы, устройство и принципы работы различных электронных приборов. Предназначено для студентов, обучающихся по специальностям...
  • №125
  • 1,86 МБ
  • добавлен
  • изменен
Под ред. Е. А. Ладыгина. — М.: Советское Радио, 1980. — 224 с. В книге обобщены и изложены результаты отечественных и зарубежных исследований радиационных эффектов в различных изделиях электронной техники. Рассматриваются физические механизмы радиационных повреждений, природа и свойства радиационных дефектов в материалах и изделиях электронной техники. Введение Виды проникающей...
  • №126
  • 15,26 МБ
  • добавлен
  • изменен
Под ред. Е. А. Ладыгина. — М.: Советское Радио, 1980. — 224 с. В книге обобщены и изложены результаты отечественных и зарубежных исследований радиационных эффектов в различных изделиях электронной техники. Рассматриваются физические механизмы радиационных повреждений, природа и свойства радиационных дефектов в материалах и изделиях электронной техники. Оглавление Введение...
  • №127
  • 3,71 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
М.; Л.: Госэнергоиздат, 1962. — 192 с. Книга содержит систематическое изложение основ теория устойчивости активных цепей, обоснование тех предпосылок, которые используются при определения устойчивости цепей с усилительными приборами новых типов, исследование условий их применимости. Подробно рассмотрены уравнения активных цепей, содержащих частотно-зависимые (управляемые...
  • №128
  • 2,12 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебное пособие для вузов. М., "Связь", 1973. -360 с. с ил. Дана классификация электронных приборов, рассмотрены конструкции, физика работы и характеристика электронных ламп, полупроводниковых, электронно-лучевых, ионных и фотоэлектрических приборов. Рассмотрены вопросы миниатюризации, микроминиатюризации, надежности и дальнейшего усовершенствования электронных и...
  • №129
  • 60,24 МБ
  • добавлен
  • изменен
М.: Физматлит, 2008. — 488 с. Рассмотрены физические принципы работы наиболее важных классов современных полупроводниковых приборов: диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров, СВЧ приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением (диодов Ганна, лавинно-пролетных и инжекционно-пролетных диодов), приборов с зарядовой связью, оптоэлектронных приборов...
  • №130
  • 39,39 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
М.: Физматлит, 2008. — 488 с. Рассмотрены физические принципы работы наиболее важных классов современных полупроводниковых приборов: диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров, СВЧ приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением (диодов Ганна, лавинно-пролетных и инжекционно-пролетных диодов), приборов с зарядовой связью, оптоэлектронных приборов...
  • №131
  • 34,00 МБ
  • добавлен
  • изменен
М.: Советское радио, 1975. — 288 с. Описаны физические основы и практическое применение эффекта Ганна - одного из наиболее перспективных с прикладной точки зрения эффектов. Значительное внимание уделено также целому ряду новых физических явлений, связанных с эффектом Ганна, в частности объемному лазерному эффекту, генерации ультразвука в диодах Ганна, модуляции света....
  • №132
  • 5,56 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Учебное пособие для вузов. - Киев : Издательство Киевского университета, 1964 г. - 209 с. Учебное пособие содержит 100 задач и расчетов по физической электронике. Сборник ставит своей целью научить учащихся применять общие теоретические принципы к решению конкретных вопросов и задач. Рассчитано на студентов физических и радиофизических факультетов вузов, а также практических...
  • №133
  • 76,01 МБ
  • добавлен
  • изменен
К.: Видавничо-поліграфічний центр "Київський університет", 2005 - 153 с. Розглядаються питання, пов'язані з рухом заряджених частинок в електричних і магнітних полях у вакуумі, питання емісійної електроніки, елементарних процесів у газовому середовищі, фізики плазми та газового розряду. У кінці кожного розділу наведено контрольні запитання та задачі. Для студентів фізичних і...
  • №134
  • 6,65 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
М.: "МИР", 1975. — 264 с. пер. на русский Сборник задач с подробными решениями и комментариями по курсу физической электроники, соответствующему программам Лондонского университета и Института инженеров-электриков. Книга содержит около 100 отлично подобранных, хорошо продуманных, органически связанных между собой задач по следующим разделам: движение заряженных частиц в...
  • №135
  • 29,54 МБ
  • добавлен
  • изменен
Томск: Издательство Томского политехнического университета, 2012. — 95 с. Учебное пособие по курсу "Электротехника, электроника". В учебном пособии рассмотрены физические процессы, протекающие в полупроводниковых элементах; их основные характеристики и параметры; электронные устройства синтезированные на основе полупроводниковых элементов. Учебное пособие представляет собой...
  • №136
  • 2,08 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебное пособие для вузов. - Воронеж: ВГУ, 2007. В книге рассмотрены свойства ЭДП, физические принципы работы терморезисторов, фоторезисторов, фотодиодов и туннельных диодов
  • №137
  • 940,58 КБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Под ред. А.Н. Выставкина. — Москва: Издательство иностранной литературы, 1963. — 352 с. В книге с единой точки зрения — теории связанных колебаний — рассмотрен широкий класс радиоэлектронных устройств, таких, как лампы бегущей и обратной волны, и близких к ним приборов, а также новых параметрических усилителей и генераторов на полупроводниковых диодах, ферритах и электронных...
  • №138
  • 5,84 МБ
  • добавлен
  • изменен
М.: Изд-во иностранной литературы, 1963. — 352 с. В книге с единой точки зрения — теории связанных колебаний — рассмотрен широкий класс радиоэлектронных устройств, таких, как лампы бегущей и обратной волны, и близких к ним приборов, а также новых параметрических усилителей и генераторов на полупроводниковых диодах, ферритах и электронных пучках. Даются основные физические...
  • №139
  • 4,41 МБ
  • добавлен
  • изменен
М.: Академия, 2008. — 400 с. Изложены основы квантовой механики, фрактальной геометрии и фрактальной физики, нелинейной динамики. Рассмотрены физические основы основных технологических процессов микро- и наноэлектроники: получение тонкопленочных структур, создание и перенос литографического изображения, методы модификации поверхностных и объемных структур, основы и методы...
  • №140
  • 5,98 МБ
  • добавлен
  • изменен
М.: Академия, 2008. — 400 с. Изложены основы квантовой механики, фрактальной геометрии и фрактальной физики, нелинейной динамики. Рассмотрены физические основы основных технологических процессов микро- и наноэлектроники: получение тонкопленочных структур, создание и перенос литографического изображения, методы модификации поверхностных и объемных структур, основы и методы...
  • №141
  • 3,86 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Учебник. — Бишкек: Полиграфбумресурсы, 2010. — 252 с. — ISBN 987-9967-25-901-0. Рассмотрены физические основы современной электроники: теории электрических, магнитных, электромагнитных и оптических явлений; элементы зонной теории, различные физические эффекты и явления, жидкие кристаллы и оптические волокна, которые служат основой современных электронно-оптических приборов и...
  • №142
  • 1,98 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
М.: Советское радио, 1976. - 320 с. Рассмотрены вопросы теории и практики надежности интегральных схем (ИС). Обобщаются опубликованные в периодической литературе результаты физических исследований внезапных и постепенных отказов элементов гибридных тонкопленочных (ТП) ИС и полупроводниковых ИС, созданных на основе кремния. Приведены способы обеспечения и повышения надежности....
  • №143
  • 4,73 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Учебное пособие для втузов. — В 9 книгах. — Под редакцией Л.А. Коледова. — Москва: Высшая школа, 1987. — 168 с.: ил. В пособии рассмотрены физические процессы, определяющие функционирование изделии полупроводниковой микроэлектроники. Изложены принципы работы базовых полупроводниковых приборов. Предисловие редактора. Предисловие к книге 1. Введение. Основы физики полупроводников....
  • №144
  • 7,99 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Учебное пособие. Омск: Изд-во ОмГТУ, 2010. – 104 с. В учебном пособии рассматриваются общие вопросы, связанные с физическим принципом действия активных компонентов электронной техники, а именно: биполярные и полевые транзисторы, а также элементы оптоэлектронной техники. Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 200100 «Приборостроение» и специальности 200106...
  • №145
  • 1,16 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебное пособие. Омск: Изд-во ОмГТУ, 2010. – 92 с. В учебном пособии рассматриваются общие вопросы, связанные с физическим принципом действия пассивных проводниковых и полупроводниковых компонентов электронной техники, а именно: резисторов, электрических конденсаторов, катушек индуктивности, трансформаторов электронной аппаратуры; электропроводность полупроводников, их основные...
  • №146
  • 7,53 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебное пособие. Омск: Изд-во ОмГТУ, 2010. – 80 с. В учебном пособии рассматриваются общие вопросы, связанные с физическим принципом действия компонентов электронной техники, а именно: операционные усилители, цифровые интегральные микросхемы, аналого-цифровые и цифроаналоговые преобразователи. Приводятся типовые структурные схемы электронных устройств. Предназначено для...
  • №147
  • 1,32 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебное пособие. -Омск: Изд-во ОмГТУ, 2009. – 78 с. Рассматриваются общие вопросы, связанные с физическим принципом действия компонентов электронной техники, а именно: операционные усилители; цифровые интегральные микросхемы; аналого-цифровые и цифроаналоговые преобразователи. Приводятся типовые структурные схемы электронных устройств. Предназначено для студентов, обучающихся...
  • №148
  • 863,82 КБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Учебное пособие. -Омск: Изд-во ОмГТУ, 2009. – 100 с. Рассматриваются общие вопросы, связанные с физическим принципом действия активных компонентов электронной техники, а именно: биполярные и по-левые транзисторы, а также элементы оптоэлектронной техники. Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 200100.62 "Приборостроение", и специальности 200106...
  • №149
  • 1,22 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Учебное пособие. -Омск: Изд-во ОмГТУ, 2009. – 90 с. Рассматриваются общие вопросы, связанные с физическим принципом действия пассивных проводниковых и полупроводниковых компонентов электронной техники, а именно: резисторов, электрических конденсаторов, катушек индуктивности, трансформаторов электронной аппаратуры; электропроводность полупроводников, их основные свойства и...
  • №150
  • 2,04 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Учебное пособие. — Киев: НТУУ «КПИ», 2012. — 479 с. В учебном пособии рассмотрены современные и перспективные сверхбыстродействующие приборы электроники: полевые транзисторы с затвором Шоттки, гетеробиполярные транзисторы, транзисторы с высокой подвижностью электронов, мощные СВЧ транзисторы, резонансно-туннельные диоды и приборы, содержащие в активной области новые материалы...
  • №151
  • 8,23 МБ
  • добавлен
  • изменен
М.: Радио и связь, 1994. — 164 с. Приведены результаты исследований по выявлению и изучению особенностей радиационного поведения КМОП интегральных схем. Дан анализ радиационных эффектов в базовых структурах ИС основных КМОП технологий при воздействии стационарных и импульсных ионизирующих излучений. Рассмотрены различные механизмы отказов. Рекомендовано для специалистов в...
  • №152
  • 4,56 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебное пособие. — Екатеринбург: УрФУ, 2011. — 105 с. — ISBN 978-5-321-01917-7. Предназначено для студентов специальности «Электронное машиностроение» изучающих курс «Физические основы электронной техники». Целью пособия является формирование у студентов теоретического представления об основных закономерностях и физических процессах, происходящих в полупроводниках и диэлектриках и...
  • №153
  • 2,11 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебное пособие. — Екатеринбург: УрФУ, 2011. — 105 с. — ISBN 978-5-321-01917-7. Предназначено для студентов специальности «Электронное машиностроение» изучающих курс «Физические основы электронной техники». Целью пособия является формирование у студентов теоретического представления об основных закономерностях и физических процессах, происходящих в полупроводниках и диэлектриках и...
  • №154
  • 1,81 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебное пособие. Томск: Изд. ТПУ. 2000. – 152 с. Учебное пособие «Физические основы электроники» предназначено для студентов направления 55.13.00 «Электротехника, электромеханика и электротехнологии». Основные разделы курса посвящены изучению физических процессов в современных полупроводниковых приборах, причём, основной упор делается на изучение элементов силовой электроники,...
  • №155
  • 1,84 МБ
  • добавлен
  • изменен
Мн.: Изд. центр БГУ., 2004 г., 531 стр., ISBN: 985-476-251-3 В монографии рассмотрены физические процессы, вызывающие нагрев кремниевых пластин в результате их облучения импульсами когерентного и некогерентного света. Приведены расчеты температурных полей и термических напряжений, возникающих в кремниевых пластинах при такой обработке, их влияние на параметры исходных...
  • №156
  • 20,18 МБ
  • добавлен
  • изменен
Севастополь: Вебер, 2006. — 320 с. Монография посвящена одному из новых, перспективных направлений полупроводниковой СВЧ-электроники – реконфигурируемым мультисенсорным информационно-управляющим системам для мониторинга параметров и контроля быстропротекающих технологических процессов и перемещения высокоскоростных объектов. В монографии представлено обоснование выбора класса...
  • №157
  • 39,91 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебное пособие. М.: Физический факультет МГУ, 2000 г. 164 стр., ISBN 5-211-04058-9 В учебном пособии рассмотрен широкий круг вопросов, касающихся механизмов передачи информации в молекулярных системах. Детально описаны принципы построения элементной базы устройств молекулярной электроники и технологические приемы синтеза наноструктур, используемых в таких устройствах. Для...
  • №158
  • 7,44 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
М.: Физический факультет МГУ, 2000. -164с. В учебном пособии рассмотрен широкий круг вопросов, касающихся механизмов передачи информации в молекулярных системах. Детально описаны принципы построения элементной базы устройств молекулярной электроники и технологические приемы синтеза наноструктур, используемых в таких устройствах. Для студентов старших курсов, аспирантов и научных...
  • №159
  • 2,27 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Тамбов: Изд-во Тамб. гос. техн. ун-та, 2006. Кн. 1. 204 с. Книга 2 Изложены теоретические и практические основы принципа действия и работы наиболее часто применяемых в производственной и исследовательской практике методов и приборов, предназначенных для измерения теплофизических свойств веществ. Большое внимание уделено стационарным и нестационарным методам и приборам для...
  • №160
  • 1,48 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Тамбов: Изд-во Тамб. гос. техн. ун-та, 2006. Кн. 2. 216 с. Книга 1 Во второй книге приведены сведения о разработанных в Тамбовском государственном техническом университете теплофизических методах и приборах: основанных на использовании временных и пространственных интегральных характеристик температур и тепловых потоков; предназначенных для измерения эффективных теплофизических...
  • №161
  • 1,52 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Учебное пособие - Омск: Изд-во СибАДИ, 2004. - 167 с. Аннотация: Рассмотрены физические процессы, определяющие принципы построения и работы полупроводниковых, электровакуумных, газоразрядных, оптоэлектронных и квантовых приборов. Приведены основные характеристики и параметры диодов, транзисторов, тиристоров и других приборов, составляющих элементную базу устройств...
  • №162
  • 2,77 МБ
  • добавлен
  • изменен
Тамбов: Изд-во Тамб. гос. техн. ун-та, 2001, 116 с. Учебно-методическое пособие по курсу "Физические основы микроэлектроники» написано в полном соответствии с Программой Министерства образования РФ и представляет собой краткое введение в теорию широкого круга явлений, с которыми приходится непосредственно иметь дело конструктору и технологу радиоэлектронной аппаратуры. Его...
  • №163
  • 1,05 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Тамбов: Тамбовский государственный технический университет, 2014. — 102 с. Учебно-методическое пособие «Физические основы нано- и микроэлектроники» предназначено для студентов, обучающихся по направлению 140400.62 «Электроэнергетика и электротехника» учебной дисциплине «Информационные системы в электроэнергетике», учебной дисциплине «Материаловедение» направления 200300.62...
  • №164
  • 1,98 МБ
  • добавлен
  • изменен
Для студентів спеціальності 06.503. - К.: КНУТД, 2004. - 110 с. В посібнику викладені теоретичні основи надвисокочастотних технологій, які побудовані на взаємодії електромагнітного поля з речовиною. Основна увага приділена виявленню функціональних зв'язків між фізичними і технологічними параметрами. Приведені приклади практичного застосування надвисокочастотних технологій у...
  • №165
  • 9,29 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Учебное пособие для вузов. — Томск: Томский государственный университет, 2010. — 288 с. В пособии изложены физико-технические основы электроники. Предназначено для студентов, аспирантов, инженеров, научных работников специализирующие в области физической электроники, радиофизики. Электроны в металлах и полупроводниках. Введение твердотельную эмиссионную электронику. ТЭЭ....
  • №166
  • 4,97 МБ
  • добавлен
  • изменен
Екатеринбург: Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина, 2018. — 116 с. — ISBN 978-5-7996-2500-9. Учебное пособие предназначено для студентов, обучающихся по направлению 11.03.04 — Электроника и наноэлектроника, аспирантов и научных работников. Кратко описаны существующие модели пробоя в кристаллах и жидкостях. Изложены результаты...
  • №167
  • 3,66 МБ
  • добавлен
  • изменен
БГТУ им Шухова, 4 курс, Кафедра Электротехники.
  • №168
  • 586,34 КБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Учебное пособие. — Киров: Изд-во ВятГУ, 2007. — 158 с. В пособии содержатся основные теоретические сведения из зонной теории и теории проводимости полупроводников, физические основы работы p-n-переходов и приборов на их основе, указаны технологические особенности применения диодов, описаны конструкция и технология производства интегральных микросхем. В учебном пособии приведен...
  • №169
  • 2,42 МБ
  • добавлен
  • изменен
Перевод с испанского С. И. Баскакова. Под редакцией проф. В. А. Терехва. Издательство "Высшая школа" 1991. 352 страницы. В книге детально, на высоком физико-математическом уровне рассматриваются вопросы функционирования основных полупроводниковых приборов - дискретных и в интегральном исполнении (диодов, биполярных и полевых транзисторов), а также физические основы...
  • №170
  • 4,80 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Handbook издательство: ESA-ESTEC Data Systems Division / Microelectronics Section Noordwijk, The Netherlands 2 December 2011 225 стр. Содержание: Radiation environment and integrated circuits - Radiation sources (Solar flares, Coronal mass ejections, Solar wind, Galactic cosmic rays) - Radiation environment (Van Allen belts, Atmospheric neutrons, Terrestrial radiation...
  • №171
  • 5,42 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебное пособие. Новосибирск: СГУТиИ, 2003г. -76с Рассматриваются устройство, физические процессы, характеристики, параметры и простейшие схемы применения полупроводниковых электронных приборов Содержание. Введение. Основы теории электропроводности полупроводников. Общие сведения о полупроводниках. Полупроводники с собственной проводимостью. Полупроводники с электронной...
  • №172
  • 685,88 КБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
М.: Радио и связь, 1988. — 184 с. В популярной форме поясняется смысл единиц физических величин, используемых в технике электросвязи, приводятся примеры их применения, сообщаются краткие сведения об ученых и изобретателях, в честь которых эти единицы получили свое наименование. Для специалистов в области связи, может быть полезна молодежи, которой предстоит выбрать профессию.
  • №173
  • 1,61 МБ
  • добавлен
  • изменен
Ивановский государственный химико-технологический университет. - Иваново, 2002. - 192 с. Рассмотрены физико-химические основы процессов корпускулярно-фотонных технологий, типовые установки, конкретные технологические процессы и примеры их реализации. Учебное пособие предназначено для студентов, обучающихся по специальностям "Материалы и компоненты твердотельной электроники" и...
  • №174
  • 5,35 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
М.: Молодая гвардия, 1990. - 444 [4] с., ил. - (Эврика). Занимательный рассказ об электроне, об электромагнитных полях и их взаимодействии, о людях, посвятивших свои жизни развитию электроники, и той роли, какую играет современная электроника в ускорении научно-технического прогресса.
  • №175
  • 42,93 МБ
  • добавлен
  • изменен
Челябинск: Изд. ЮЦрГУ, 2004. - 104 с. Описаны состав и отдельные компоненты учебного лабораторного комплекса «Электронные приборы и устройства». Представлены электрические схемы соединений и их описания, а также указания по проведению базовых экспериментов. Руководство предназначено для использования при подготовке к проведению лабораторных занятий по дисциплинам...
  • №176
  • 21,96 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебное пособие посвящено теоретическим основам работы твердотельных фотоэлектричесих преобразователей световой энергии в электрическую.
  • №177
  • 4,52 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Методическая разработка для студентов дневного отделения направления «Телекоммуникации». - Самара: ПГУТИ, кафедра электродинамики и антенн , 2010. - 38с. Содержание: Цели, задачи и методы изучения дисциплины Список рекомендованной литературы Методические рекомендации по изучению дисциплины Список теоретических вопросов для подготовки к зачету Виды тестовых вопросов для...
  • №178
  • 520,20 КБ
  • добавлен
  • изменен
СПб.: Лань, 2013. — 312 с. В книге изложены историческая справка становления и развития наноэлектроники, физические основы наноструктур и приборов наноэлектроники, физические и микросистемные основы построения элементной базы приборов и устройств направлений развития функциональной электроники (акустоэлектроники, диэлектрической электроники, полупроводниковой электроники,...
  • №179
  • 10,60 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебное пособие. — 2-е изд., испр. — СПб.: Лань, 2013. — 560 с.: ил. — (Учебники для вузов. Специальная литература). — ISBN 978-5-8114-1369-0. В книге изложены: историческая справка физики становления и развития полупроводниковой электроники, физические основы полупроводниковых и пленочных структур, физические основы построения элементной базы приборов и устройств на ее основе, их...
  • №180
  • 2,56 МБ
  • добавлен
  • изменен
Киев : Наук, думка, 1985.— 304 с. В монографии дан обзор результатов работ по основным направлениям фундаментальных и прикладных исследований, проводимых в Институте полупроводников АН УССР. Значительное внимание уделено исследованиям, положившим начало новым направлениям в теории полупроводников, оптике и радиоспектроскопии полупроводников, физике неравновесных явлений в...
  • №181
  • 11,63 МБ
  • добавлен
  • изменен
М.: Мир, 1991. — 504 с. Книга авторов из Великобритании представляет собой тщательно обработанный текст лекций по физическим основам твердотельной электроники, читаемых на инженерном отделении Оксфордского университета (перевод с 4-го издания). Методически продуманно излагаются принципы построения полупроводниковых приборов, основы оптоэлектроники, квантовой электроники, вопросы...
  • №182
  • 4,89 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Навчальний посібник - 3-тє вид., випр. та допов. — К.: Університет «Україна», 2008. — 256 с. ISBN 978-966-388-259-8. Зміст: Феноменологічна математична модель системи газ — напівпровідник Постановка задачі моделювання Формалізація задачі Система рівнянь матеріального балансу Фундаментальна система рівнянь масопереносу та переносу заряду в напівпровідниковому...
  • №183
  • 1,30 МБ
  • добавлен
  • изменен
2009 г. Учебное пособие 101 стр, СПб Гос Университет информационных технологий, механики и оптики. содержит описание лабораторных работ, методические указания по их выполнению, контрольные вопросы и краткий теоретический материал. Предназначено для студентов факультета Компьютерных технологийи Управления по направлению "Проектирование и технология электронно-вычислительных...
  • №184
  • 1,51 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Учебное пособие. — М.: МАДИ, 2015. — 188 с. — ISBN: 978-5-7962-0176-3. Учебное пособие содержит сведения о физических свойствах и кристаллической решетке полупроводниковых материалов, о зонной теории, а также сведения о принципах создания и работы основных типов полупроводниковых приборов. Кратко изложена история изучения полупроводниковых материалов и этапы их практического...
  • №185
  • 3,70 МБ
  • добавлен
  • изменен
Издательство: НИЦ "Регулярная и хаотическая динамика", Институт компьютерных исследований-2009г. В пособии на элементарном уровне излагаются основы квантовой механики и квантовой статистики, необходимые для понимания квантовой теории полупроводников, лежащей в основе твёрдотельной электроники. Также в пособии подробно рассмотрены основные вопросы физики полупроводниковых...
  • №186
  • 4,84 МБ
  • добавлен
  • изменен
Издательство: НИЦ "Регулярная и хаотическая динамика", Институт компьютерных исследований-2009г. В пособии на элементарном уровне излагаются основы квантовой механики и квантовой статистики, необходимые для понимания квантовой теории полупроводников, лежащей в основе твёрдотельной электроники. Также в пособии подробно рассмотрены основные вопросы физики полупроводниковых...
  • №187
  • 167,65 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Учебное пособие - Красноярск: СФУ, 2007 - 468с. В учебном пособии изложены современные представления о физико-химических основах технологических процессов электроники, особенности термодинамики химических и фазовых равновесий, кинетические характеристики процессов. Рассмотрены процессы зародышеобразования, роста слоев новой фазы, методы проведения термодинамического анализа....
  • №188
  • 4,18 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Красноярск : СФУ, 2011. — 336 с. Изложены современные представления о физико-химических основах технологических процессов электроники, особенности термодинамики химических и фазовых равновесий, кинетические характеристики процессов. Рассмотрены процессы зародышеобразования, роста слоев новой фазы, методы проведения термодинамического анализа. Предназначено для студентов...
  • №189
  • 4,53 МБ
  • добавлен
  • изменен
Кратко изложены основные вопросы, изучаемые студентами в курсе «Физические основы электроники» Включены следующие разделы: Электрофизические свойства полупроводников оптические свойства полупроводников контактные явления типовые технологические процессы.
  • №190
  • 397,15 КБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Настоящая коллективная монография содержит теоретические и экспериментальные результаты по использованию ряда силицидов, нитридов и боридов тугоплавких металлов в технологии формирования контактов для полупроводниковых приборов и СБИС. Авторы, опираясь на собственные исследования и литературные данные, на конкретных примерах показывают перспективность использования фаз внедрения...
  • №191
  • 11,54 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Учебное пособие. – изд. 2, испр. и доп. – М.: Советское радио, 1969. – 592 с. Излагаются физические основы работы различных полупроводниковых приборов: диодов и транзисторов различных типов и классов, полупроводниковых приборов для оптоэлектроники и некоторых других типов полупроводниковых приборов. Основы зонной теории, принципы электропроводности полупроводников, основные...
  • №192
  • 9,57 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебное пособие. — 2-е изд., испр. и доп. — М.: Советское радио, 1969. — 592 с. Излагаются физические основы работы различных полупроводниковых приборов: диодов и транзисторов различных типов и классов, полупроводниковых приборов для оптоэлектроники и некоторых других типов полупроводниковых приборов. Основы зонной теории, принципы электропроводности полупроводников, основные...
  • №193
  • 14,68 МБ
  • добавлен
  • изменен
Махачкала: ИПЦ ДГУ, 2008. — 414 с. В сборнике содержатся материалы докладов, представленных на V Всероссийскую конференцию по физической электронике. В первом разделе сборника собраны работы, доложенные на секциях по газовой электронике. Во втором разделе сборника включены работы, доложенные на секции по твердотельной электронике.
  • №194
  • 3,80 МБ
  • добавлен
  • изменен
Махачкала: ДГУ, 1999. — 134 с. В сборнике содержатся материалы докладов, представленных на Всероссийскую конференцию Физическая электроника. В первом разделе сборника собраны материалы обзорных докладов, доложенных на конференции. Во втором разделе сборника собраны работы, доложенные на секциях по газовой электронике. В третий раздел сборника включены работы по твердотельной...
  • №195
  • 2,59 МБ
  • добавлен
  • изменен
Электроника и микроэлектроника, схемотехника. Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые структуры. Электронные усилители и генераторы. Импульсная техника.
  • №196
  • 1,01 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Элементы зонной теории твёрдого тела. Модель атома и св-ва электрона Квантовые числа. Понятие об энергетических уровнях и зонах. Кристаллическая решетка. Свойства полупроводников. Собственный полупроводник. Определение равновесной концентрации зарядов в собственном полупроводнике. Функция распределения Ферми-Дирака. Вероятность распределения электронов по энерг. уровням....
  • №197
  • 3,44 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Учебное пособие. — Саратов.: СГТУ, 2010. — 220 с. Элементная база полупроводниковой электроники. Усилители и генераторы на транзисторах. Операционные усилители и аналоговые устройства на его основе. Работа полупроводниковых приборов в ключевом режиме. Импульсные устройства на операционном усилители. Источники вторичного электропитания электронных устройств. Цифровая техника.
  • №198
  • 30,77 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебно-методическое пособие «Исследование характеристик сегнето- пьезоматериалов по петлям деформации в сильных электрических полях инфранизкой частоты» предназначено для студентов, факультета Высоких технологий. В нем даны некоторые основные понятия физики сегнетоэлектричества. Описаны особенности электромеханических свойств сегнетоэлектриков. На основе литературных данных...
  • №199
  • 313,06 КБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Учеб. пособие. — СПб.: СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 1999. — 64 с. Содержит основные формулы, графики, энергетические диаграммы, схемы и рисунки структур основных полупроводниковых приборов, элементов и компонентов интегральных микросхем. Пособие является своеобразным приложением и добавлением нового материала к учебнику «Полупроводниковые приборы» (Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые...
  • №200
  • 1,49 МБ
  • добавлен
  • изменен
М.: Атомиздат, 1972. — 148 с. Появление атомной энергетики явилось стимулом развития новой отрасли физики твердого тела — физике радиационного повреждения и ее практическому применению — атомному материаловедению. Многочисленные теоретические и экспериментальные работы в области радиационного материаловедения позволяют сделать вывод, что большинство процессов, протекающих в...
  • №201
  • 1,91 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
М.: Атомиздат, 1977. — 176 с. Рассмотрены процессы взаимодействия ионизирующего излучения с ионно-электронной системой металлических твердых тел, связь радиационного дефектообразования с локальными искажениями электронных состояний, процессы радиационно-стимулированной диффузии в гетерогенных системах, электронные свойства радиационных дефектов и изменение физических свойств на...
  • №202
  • 2,23 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Перевод с англ. / Под ред. Ю. В. Гуляева - М.: Советское радио, 1979г. , 232 стр. Дается классификация и обсуждаются теоретические модели гетеропереходов. Описаны современные методы получения гетероструктур и их электрические и оптоэлектронные свойства. Много внимания уделяется методам измерения электрических параметров, характеризующих гетероструктуру. Рассмотрены области...
  • №203
  • 13,04 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
Перевод с англ. — Под ред. Ю.В. Гуляева — М.: Советское радио, 1979. — 232 с. Дается классификация и обсуждаются теоретические модели гетеропереходов. Описаны современные методы получения гетероструктур и их электрические и оптоэлектронные свойства. Много внимания уделяется методам измерения электрических параметров, характеризующих гетероструктуру. Рассмотрены области...
  • №204
  • 6,64 МБ
  • добавлен
  • изменен
Москва: Энергия, 1977. – 608 с. Книга представляет собой систематическое изложение современной физической электроники, охватывающей как основные теоретические представления, используемые в этой области физики, и описание важнейших экспериментально установленных фактов, на которых это изложение основывается, так и приложение важнейших физических идей, выдвинутых в этой области...
  • №205
  • 7,30 МБ
  • добавлен
  • изменен
М. Энергия 1977г. 608 стр Книга К. Шимони "Физическая электроника" представляет собой систематическое изложение современной физической электроники, охватывающей как основные теоретические представления, используемые в этой области физики, и описание важнейших экспериментально установленных фактов, на которых это изложение основывается, так и приложение важнейших физических идей,...
  • №206
  • 29,54 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
М.:«ЕНЕРГІЯ», 1972. - 183 с. Переклад: Бучинський В. , Дубчак І. і Кайда Н. Излагаются современные достижения физической электроники, охватывающее как основные теоретические представления, используемые в этой области физики, и описание важнейших экспериментально установленных фактов, на которых это изложение основывается, так иприложение важнейших физических идей, выдвинутых в...
  • №207
  • 8,29 МБ
  • добавлен
  • изменен
Монография, Ленинград:. Главная редакция физико-математической литературы изд-ва «Наука», 1977 г. Книга посвящена вторично-эмиссионным методам исследования поверхностных и объемных свойств твердого тела. В основе этих методов лежат разнообразные физические явления, наблюдаемые при взаимодействии с твердым телом электронов малых и средних энергий (от 1 эВ до 100 кэВ). В книге...
  • №208
  • 19,78 МБ
  • добавлен
  • изменен
Автор неизвестен. 2011. – 11 с. Однородные полупроводники и однородные полупроводниковые слои находят весьма узкое применение и используются только в виде различного рода резисторов. Основные элементы интегральных микросхем и большая часть дискретных полупроводниковых приборов представляют собой неоднородные структуры. Большая часть полупроводниковых приборов работает на...
  • №209
  • 400,40 КБ
  • добавлен
  • изменен
Ухта: УГТУ, 2005. — 99 с.: ил. — ISBN 5-88179-387-0. Учебное пособие предназначено для студентов специальности 180400 – «Электропривод и автоматика промышленных установок и технологических комплексов» и направления бакалавра 551300 – «Электротехника, электромеханика и электротехнологии», а также может быть рекомендовано студентам специальностей: 220200 (АИС), 071900 (ИСБ), 080400...
  • №210
  • 1,40 МБ
  • добавлен
  • изменен
Учебное пособие. - Ухта: УГТУ, 2002. - 99с., ил.- ISBN 5-88179-387-0 Учебное пособие предназначено для студентов специальности 180400 - «Электропривод и автоматика промышленных установок и технологических комплексов» и направления бакалавра 551300 - «Электротехника, электромеханика и электротехнологии».
  • №211
  • 1,09 МБ
  • добавлен
  • изменен
В этом разделе нет файлов.

Комментарии

В этом разделе нет комментариев.