Зарегистрироваться
Восстановить пароль
FAQ по входу

Технология полупроводникового кремния

Теги, соответствующие этому тематическому разделу

Файлы, которые ищут в этом разделе

Доверенные пользователи и модераторы раздела

Киев: Институт физики АН УССР. Препринт. 1984. — 58 с. Рассмотрены физические основы нового перспективного метода легирования кремния, обеспечивающего высокую однородность распределения удельного сопротивления по объему монокристалла - трансмутационного легирования. Исследовано влияние различных режимов температурных обработок на основные электрофизические параметры...
  • №1
  • 1,22 МБ
  • добавлен
  • изменен
Воронов И.Н., Гришин В.П., Жвирблянский В.Ю., Шипетина Н.С. М.: ЦНИИ Информации и технико-экономических исследований цветной металлургии, 1972. — 103 с. Рассмотрена технология выращивания монокристаллов кремния большого диаметра методами Чохральского и бестигельной зонной плавки. Дано описание трудностей и особенностей получения таких кристаллов, оборудования и вопросов...
  • №2
  • 3,00 МБ
  • добавлен
  • изменен
Ендриховский С.А., Нестеров А.С., Неустроев С.А., Соколов Е.Б., Хурошвили Ш.Г. Москва: ЦНИИ Электроника, 1986. — 61 с. — (Обзоры по электронной технике. Серия 6. Материалы. Выпуск 1 (1170)). Обобщаются все доступные сведения о методах получения, свойствах и известных в настоящее время областях применения гидрогенизированного аморфного кремния α-Si:H. Наиболее распространенным...
  • №3
  • 1,83 МБ
  • добавлен
  • изменен
М.: ЦНИИ экономики и информации цветной металлургии, 1981. — 52 с. — (Обзорная информация. Производство редких металлов и полупроводниковых материалов Выпуск 4). В обзоре рассматривается состояние зарубежного оборудования для производства монокристаллов кремния методами Чохральского и бестигельной зонной плавки. Рассмотрены конструктивные особенности оборудования. Проведен анализ...
  • №4
  • 1,40 МБ
  • добавлен
  • изменен
С.В. Архипов, А.А. Тупицын, О.М. Катков, Е.А. Руш, И.М. Седых. — Под. ред. Каткова О.М. Иркутск: Кремний, 1999. — 244 с.: ил. Рассмотрены теоретические основы процесса восстановления и технология выплавки кремния в дуговых электропечах. Изложены результаты исследования термодинамики, кинетики реагирования и механизмов процесса плавки. Освещены вопросы производства:...
  • №5
  • 32,65 МБ
  • добавлен
  • изменен
Препринт. — М.: Институт прикладной математики им.М.В.Келдыша, 2018. No 74. — 24 с. — ISSN 2071-2898. В температурной области фазового перехода полупроводник-металл с помощью молекулярно-динамического моделирования (МДМ) определяются равновесные свойства кристаллического и расплавленного кремния. Определены барические зависимости удельной теплоты плавления и равновесной...
  • №6
  • 382,52 КБ
  • добавлен
  • изменен
Препринт. — М.: Институт прикладной математики им.М.В.Келдыша, 2018. No 74. — 24 с. — ISSN 2071-2898. В температурной области фазового перехода полупроводник-металл с помощью молекулярно-динамического моделирования (МДМ) определяются равновесные свойства кристаллического и расплавленного кремния. Определены барические зависимости удельной теплоты плавления и равновесной...
  • №7
  • 1,08 МБ
  • добавлен
  • изменен
Лапидус И.И., Коган Б.А., Перепелкин В.В. и др. Пособие для рабочих. — М.: Металлургия, 1971. — 144 с.: ил — (Библиотека рабочего цветной металлургии). Изложены физико-химические основы технологии полупроводникового кремния, рассмотрены свойства технологических материалов. Описаны процессы получения кремния и оборудование, в том числе вакуумное и криогенное. Рассмотрены...
  • №8
  • 1,76 МБ
  • добавлен
  • изменен
Сборник статей. — Перевод с английского Б.А. Колачева. — М.: Издательство иностранной литературы, 1960. — 434 с. Приводятся данные об общих свойствах полупроводников и история их развития, сведения об основных свойствах кремния, о его преимуществах как полупроводникового материала по сравнению с другими элементами, об областях применения кремния. Изложены технологические приемы...
  • №9
  • 6,33 МБ
  • добавлен
  • изменен
Пер. с англ. — М.:. Мир, 1984. — 475 с.: ил. Фундаментальная монография известного американского автора посвящена технологии получения полупроводникового кремния высокой чистоты, используемого для производства интегральных микросхем и полупроводниковых приборов различного назначения. Исследовано влияние дефектов и примесей на электрические свойства кристаллов кремния. Для...
  • №10
  • 14,02 МБ
  • добавлен
  • изменен
Пер. с англ. — Москва: Металлургия, 1969. — 336 с.: ил. Приводится большой материал по физико-химическим, электрическим, оптическим и механическим свойствам кремния, технологическим процессам получения кремния (химическим методам получения кремния, выращиванию монокристаллов и пленок, легированию) и его использованию (приготовлению оптических элементов, диффузии, резки и т....
  • №11
  • 10,47 МБ
  • добавлен
  • изменен
Обзоры по электронной технике. Серия 2. Полупроводниковые приборы. Вып. 12 (668). Реферативно-аналитический обзор. — М.: ЦНИИ Электроника, 1979. — 60 с. Рассмотрены дефекты кристаллической структуры и их классификация в кремнии, которые образуются в монокристаллах кремния при выращивании из расплава и последующей их обработки - механической, химической и термической. Приведены...
  • №12
  • 2,58 МБ
  • добавлен
  • изменен
Запорожье: ЗГИА, 1996. — 80 с. — ISBN 966-7101-00-2. Монография посвящена вопросам дефектообразования в высокочистых бездислокационных монокристаллах кремния. Дан анализ современного состояния проблемы микродефектов в кремнии, полученном методом бестигельной зонной плавки. Обсуждены основные экспериментальные результаты электронно-микроскопических исследований. Рассмотрена...
  • №13
  • 1,88 МБ
  • добавлен
  • изменен
М.: Металлургия, 1992. — 408 с.: ил. — ISBN 5-229-00740-0. Изложены физико-химические основы технологии полупроводникового кремния, рассмотрены свойства технологических материалов, влияние структурных несовершенств и термической обработки на электрофизические и физико-химические свойства кремния, процессы получения кремния и оборудование, в том числе вакуумное и криогенное,...
  • №14
  • 4,95 МБ
  • дата добавления неизвестна
  • изменен
М.: Металлургия, 1992. — 408 с.: ил. — ISBN 5-229-00740-0. Изложены физико-химические основы технологии полупроводникового кремния, рассмотрены свойства технологических материалов, влияние структурных несовершенств и термической обработки на электрофизические и физико-химические свойства кремния, процессы получения кремния и оборудование, в том числе вакуумное и криогенное,...
  • №15
  • 5,01 МБ
  • добавлен
  • изменен
2-ге. вид. доп. і перероб. — Запоріжжя: ЗДІА, 2009. — 488 с. OCR Викладено фізико-хімічні основи технології напівпровідникового кремнію, розглянуті властивості технологічних матеріалів, вплив структурної недосконалості і термічної обробки на електрофізичні та фізико-хімічні властивості кремнію. Описані процеси отримання кремнію, розглянуте устаткування для цього, зокрема вакуумне...
  • №16
  • 25,08 МБ
  • добавлен
  • изменен
Запоріжжя: ЗДІА, 2009. — 488 с. Викладено фізико-хімічні основи технології напівпровідникового кремнію, розглянуті властивості технологічних матеріалів, вплив структурної недосконалості і термічної обробки на електрофізичні та фізико-хімічні властивості кремнію. Описані процеси отримання кремнію, розглянуте устаткування для цього, зокрема вакуумне і криогенне. Наведені способи...
  • №17
  • 5,82 МБ
  • добавлен
  • изменен
Монография. — Одесса: КУПРИЕНКО СВ, 2018. — 169 с. — ISBN 978-617-7414-45-1. Приведены сведения о технологии поликристаллического кремния, получаемого по технологии водородного восстановления хлоридных соединений кремния. Основное внимание уделено технологии кремниевых прутков-подложек для последующего осаждения на них кремния.В монографии развит новый подход к решению научной...
  • №18
  • 12,03 МБ
  • добавлен
  • изменен
В этом разделе нет файлов.

Комментарии

В этом разделе нет комментариев.