Харламов А.А. (ред.) Специальный физический практикум (по радиофизике и электронике). Часть 2

В 3-х частях. — 3-е изд., перераб. и доп. — Учебно-методическое пособие. — М. Издательство Московского университета, 1977. — 376 с.: 192 ил.Вторая часть — переработанное и расширенное руководство к практическим занятиям по современной электронике. В книге собраны описания практических работ по электронной оптике, по газовой, эмиссионной и полупроводниковой электронике и физике плазмы.Учебное пособие рассчитано на студентов старших курсов университетов, педвузов и втузов.Предисловие.Электронная оптика.
Электронная пушка.
Исследование структуры электронного луча методом вибрирующего зонда.
Автоматический траектограф и исследование устройств, фокусирующих интенсивный электронный пучок.
Просвечивающий электронный микроскоп.
Электронограф.
Растровый электронный микроскоп.Газовая электроника.
Электрические зонды Ленгмюра.
Исследование свойств плазмы с помощью СВЧ-радиоволн.
Деионизация плазмы.
Измерение концентрации возбужденных атомов в плазме спектральным методом.
Винтовая неустойчивость положительного столба разряда и аномальная диффузия в продольном магнитном поле.
Эффективные сечения возбуждения энергетических уровней гелия.
Резонанс ограниченной плазмы.
Плотная нестационарная плазма импульсного разряда.
Высотно-частотные характеристики ионосферы.Полупроводниковая электроника.
Равновесные концентрации и подвижности носителей заряда.
Определение ширины запрещенной зоны германия.
Исследование температурного хода подвижности электронов в германии с малым содержанием примесей.
Определение энергии ионизации основной примеси и концентрации разнозаряженных центров.
Рекомбинация, диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда.
Определение времени жизни и дрейфовой подвижности неравновесных носителей заряда импульсным методом.
Измерение параметров дрейфа и рекомбинации неравновесных носителей заряда, возбужденных светом.
р—п-переходы в полупроводниках и некоторые приборы на их основе.
Исследование электрических свойств р—n-переходов.
р—n-переходы в вырожденных полупроводниках и характеристики туннельных диодов.
Исследование электрических характеристик транзисторов с р—n-переходами.
Излучательная (рекомбинация в р—n-переходах и характеристики светодиодов.Эмиссионная электроника
Изучение энергетической структуры полупроводников с помощью внешнего фотоэффекта.
Термоэлектронная эмиссия металлов.Приложение.
Изучение газового разряда.