Маскаева Л.Н., Марков В.Ф. и др. Технология химического осаждения пленок халькогенидов металлов

Учебное пособие. — Екатеринбург: Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина, 2018. — 136 с. — ISBN: 978-5-7996-2411-8.В учебном пособии изложены теоретический материал и алгоритмы выполнения курсовых работ, предлагаемых студентам по ряду профильных дисциплин, связанных с прогнозированием условий и проведением процесса осаждения полупроводниковых пленок на основе халькогенидов металлов и других сопутствующих фаз. Приведены необходимый для выполнения расчетов обширный справочный материал, рекомендации по содержанию и оформлению отчетов. Исходя из известных рабочих рецептур, подобраны различные варианты индивидуальных заданий по курсовым работам.
Предназначено для студентов бакалавриата и магистрантов, обучающихся по программе «Химическая технология материалов электроники, сенсорной аналитики и неорганических веществ», будет полезно аспирантам различных специальностей и преподавателям вузов.Предисловие.
Введение.
Определение граничных условий образования твердых фаз халькогенида, гидроксида и цианамида металла.
Расчет граничных условий образования халькогенидов, гидроксидов и цианамидов металла при осаждении тио-, селенокарбамидом.
Расчет граничных условий образования сульфида и гидроксида металла при осаждении тиоацетамидом.
Расчет граничных условий образования селенида и гидроксида металла при осаждении селеносульфатом натрия.
Пример выполнения расчета граничных условий образования твердой фазы CdS при осаждении тиокарбамидом.
Учет кристаллизационного фактора при образовании халькогенидов металлов.
Требования к оформлению курсовой работы.
Курсовые работы (1-4).
Расчет условий образования халькогенидов металлов и твердых растворов замещения по степени превращения соли металла.
Общие положения по определению области образования твердых растворов.
замещения халькогенидов металлов по степени превращения соли металла.
Термодинамическая оценка способности халькогенидов металлов.
Ионный обмен на межфазной границе «халькогенид металла – водный раствор».
Основы термодинамического анализа вероятности протекания реакции ионного обмена на межфазной границе «тонкая пленка A2XnТВ – водный раствор металла-заместителя».
Химическое осаждение полупроводниковых соединений из газовой фазы.
Химические транспортные реакции.
Направление химических транспортных реакций.
Классификация химических транспортных реакций.
Термодинамический расчет химического транспорта арсенида галлия парами воды.
Рассчитать область стехиометричности газовой фазы при осаждении полупроводникового материала методом газофазного синтеза.
Приложение.
Библиографические ссылки.
Список рекомендуемой литературы.