ASTM F 81-00. Test Method for Measuring Radial Resistivity Variation on Silicon Wafers

In: Annual Book of ASTM Standards vol. 10.04 (Electronics I), West Honshohoken, PA: ASTM Intl., 2001. - 9 p.
This test method provides procedures for the determination of relative radial resistivity variation of semiconductor wafers cut from silicon single crystals grown either by the Czochralski or floating-zone technique.
Описан метод определения относительной радиальной неоднородности удельного сопротивления кремниевых пластин, полученных из монокристаллического кремния, выращенного методом Чохральского или методом зонной плавки.