Зарегистрироваться
Восстановить пароль
FAQ по входу

Агаханян Т.М. Основы транзисторной электроники

  • Файл формата djvu
  • размером 5,41 МБ
  • Добавлен пользователем , дата добавления неизвестна
  • Отредактирован
Агаханян Т.М. Основы транзисторной электроники
Москва: Энергия, 1974. — 256 с.: ил.
Дается описание электронных процессов в полупроводниковых кристаллах. Исследуются импульсные и статические характеристики электронно-дырочного перехода с учетом влияния токов генерации и рекомбинации в переходном слое, канальных токов и токов утечки. Рассматриваются принцип действия, статические, высокочастотные, импульсные характеристики и физические параметры биполярных и униполярных транзисторов, приводятся их эквивалентные схемы, учитывающие специфику расчета различных электронных устройств.
Книга предназначена для аспирантов и студентов, специализирующихся по радиоэлектронике, автоматике, вычислительной технике. Она будет представлять интерес и для инженеров, занимающихся разработкой, производством и эксплуатацией радиоэлектронной аппаратуры.
Предисловие
Полупроводники и их электрофизические свойства

Проводники, полупроводники и диэлектрики.
Структура полупроводниковых кристаллов.
Электроны и дырки в полупроводниковых кристаллах. Электронная и дырочная проводимость.
Собственные и примесные полупроводники.
Электронные процессы в полупроводниковых кристаллах
Образование направленных потоков носителей заряда. Уравнение плотности тока.
Накопление и рассасывание подвижных носителей заряда. Уравнение непрерывности.
Электрические поля в кристаллах. Уравнение Пуассона.
Граничные условия.
Распределение носителей заряда в неравновесном состоянии.
Характеристики диффузии и дрейфа неосновных носителей заряда.
Определение электростатического потенциала в полупроводниковых кристаллах.
Электронно-дырочный переход
Классификация электронно-дырочных переходов. Технология изготовления.
Статистические характеристики идеального плоскостного p-n перехода.
Токи генерации и рекомбинации в переходном слое.
Токи утечки и канальные токи.
Вольт-амперная характеристика реального электронно-дырочного перехода.
Характеристики электронно-дырочного перехода в области высших частот.
Импульсные характеристики электронно-дырочного перехода.
Эквивалентные схемы электронно-дырочного перехода.
Биполярные транзисторы
Классификация биполярных транзисторов и технология изготовления.
Характерные особенности транзистора и транзисторных p-n переходов.
Статические характеристики транзистора.
Импульсные характеристики транзистора.
Эквивалентные схемы и параметры биполярных транзисторов
Особенности эквивалентных схем транзисторов.
Физические параметры транзистора.
Эквивалентные схемы транзистора для большого сигнала.
Малосигнальные эквивалентные схемы транзистора.
Параметры транзистора-четырехполюсника.
Зависимость параметров транзистора от режима и температуры.
Эквивалентная схема транзистора для расчета сдвига рабочей точки.
Предельно допустимые эксплуатационные параметры.
Шумы транзистора.
Повышение добротности транзистора.
Полевые транзисторы
Структура и разновидности полевых транзисторов.
Полевой транзистор с управляющим p-n переходом.
Полевой транзистор структуры металл — диэлектрик — полупроводник (МДП-трапзпстор).
Сравнение характеристик полевых транзисторов различной структуры.
Дифференциальные низкочастотные параметры полевых транзистеров и их зависимость от режима.
Температурная зависимость параметров полевых транзисторов.
Эквивалентные схемы полевого транзистора.
Добротность полевого транзистора.
Шумы полевых транзисторов.
Основные обозначения
Список литературы
  • Чтобы скачать этот файл зарегистрируйтесь и/или войдите на сайт используя форму сверху.
  • Регистрация