Зарегистрироваться
Восстановить пароль
FAQ по входу

Палатник Л.С., Сорокин В.К. Материаловедение в микроэлектронике

  • Файл формата djvu
  • размером 3,55 МБ
  • Добавлен пользователем , дата добавления неизвестна
  • Отредактирован
Палатник Л.С., Сорокин В.К. Материаловедение в микроэлектронике
М.: Энергия, 1978. — 280 с.
В книге освещены основные вопросы материаловедения в области микроэлектроники. Рассматриваются поверхностные свойства полупроводников, металлов и диэлектриков, вопросы адсорбции на поверхности газов и паров, вопросы диффузии и приповерхностный слой примесей, в также методы нанесения и свойства пленочных материалов: проводящих, сверхпроводящих, магнитных, резистивных пленок и эпитаксиальных пленок кремния.
Книга предназначена для широкого круга научных и инженерно-технических работников, а также может служить в качестве учебного пособия по теоретическим проблемам конструирования и производства микросхем для студентов и аспирантов вузов.
Предисловие редактора.
Предисловие.
Атомное строение твердого тела.
Межатомные связи и свойства материалов.
Дефекты кристаллического строения.
Аморфное и стеклообразное состояния.
Поверхность как особая область твердого тела.
Атомарно-чистая поверхность.
Адсорбция на поверхности.
Поверхность раздела двух твердых фаз.
Свойства поверхности раздела при отсутствии взаимного проникновения граничащих фаз.
Диффузия и электродиффузия через поверхность раздела.
Реактивная диффузия.
Поверхность твердого тела в контакте с жидкой фазой.
Межфазные явления на границе расплав-твердое тело.
Физико-химические процессы на границе раздела раствор-твердое тело.
Основы вакуумного материаловедения.
Формирование в вакууме газодинамических потоков и молекулярных пучков.
Ионно-плазменный метод в микроэлектронике.
Неравновесные состояния в пленках.
Пленочные материалы.
Проводящие пленки.
Магнитные пленки.
Сверхпроводящие пленки.
Резистивные пленки.
Химические методы нанесения пленок.
Выращивание эпитаксиальных пленок методом химической кристаллизации.
Дефекты кристаллического строения в эпитаксиальных пленках.
Легирование эпитаксиальных пленок в процессе роста.
Проблемы материаловедения в области планарной микроминиатюризации.
Современные методы планарной технологии в микроэлектронике.
Создание и использование активированного состояния при обработке материала ионными пучками.
Световые и электронные пучки и их воздействие на материалы.
Список литературы.
  • Чтобы скачать этот файл зарегистрируйтесь и/или войдите на сайт используя форму сверху.
  • Регистрация