Смирнова Т.П., Кузнецов Ф.А., Яковкина Л.В., Каичев В.В., Косяков В.И., Лебедев М.С., Кичай В.Н. Получение и характеризация альтернативных диэлектриков на основе HfO2 для наноэлектроники нового поколения

М.: ИНХ им. Николаева А.В. СО РАН, ИК им. Борескова Г.К. СО РАН, 2010. — 3 с.Аннотация:
К настоящему времени практически достигнута предельная степень интеграции электронных микросхем на основе композиции Si/SiO₂. Дальнейшая миниатюризация требует
замены используемых материалов. Так, в качестве подзатворного диэлектрика оксид кремния необходимо заменить на материал с большим значением коэффициента диэлектрической проницаемости, так называемый «high-k»-диэлектрик.