Зарегистрироваться
Восстановить пароль
FAQ по входу

Kasper E., Paul D.J. Silicon Quantum Integrated Circuits. Silicon-Germanium Heterostructure Devices: Basics and Realisations

  • Файл формата pdf
  • размером 6,16 МБ
  • Добавлен пользователем , дата добавления неизвестна
  • Отредактирован
Kasper E., Paul D.J. Silicon Quantum Integrated Circuits. Silicon-Germanium Heterostructure Devices: Basics and Realisations
Springer, 2005. - 367 p. - Quantum size effects are becoming increasingly important in microelectronics, as the dimensions of the structures shrink laterally towards 100 nm and vertically towards 10 nm. Advanced device concepts will exploit these effects for integrated circuits with novel or improved properties. Keeping in mind the trend towards systems on chip, this book deals with silicon-based quantum devices and focuses on room-temperature operation. The basic physical principles, materials, technological aspects, and fundamental device operation are discussed in an interdisciplinary manner. It is shown that silicon-germanium (SiGe) heterostructure devices will play a key role in realizing silicon-based quantum electronics.
Книга немецких специалистов на английском языке, посвящённая созданию и использованию Si/Ge гетероструктур в современной полупроводниковой электронике. Рассмотрены вопросы связанные с технологией получения Si/Ge структур (МЛЭ, ХОГФ), квантовая теория полупроводников, применения Si/Ge в гетеробиполярных транзисторах (HBT), гетерополевых транзисторах (HFET), оптоэлектронных приборах и в интегральных логических схемах (КМОП, БКМОП).
  • Чтобы скачать этот файл зарегистрируйтесь и/или войдите на сайт используя форму сверху.
  • Регистрация